Kategorya: Pindutin ang mga Release

El Segundo, CA., Agosto 15, 2022 — Navitas Semiconductor (nasdaq: Mga NVT), industriya lider sa gallium nitride (Gan) kapangyarihan IC, ngayon inihayag ang pagkuha ng GeneSic Semiconductor, isang silicon carbide (Sic) pioneer na may malalim na kadalubhasaan sa Sic power device disenyo at proseso. Ang transaksyon ay agad na akma sa Navitas bilang GeneSiC ay lubhang kumikita, may higit sa 25% EBITDA margin. Kalendaryo 2022 kita ay inaasahang humigit-kumulang $25 milyong na may ipakita taunang paglago rate ng higit sa 60%. Ang pinagsamang kumpanya ay lumilikha ng isang komprehensibong, industriya-nangungunang teknolohiya portfolio sa susunod na henerasyon kapangyarihan semiconductors – parehong Gan at SiC – na may isang pinagsamang pagkakataon merkado na tinatayang sa higit sa $20 bilyong dolyar bawat taon sa pamamagitan ng 2026.

"GeneSiC ay isang mainam na kasosyo para sa Navitas sa kanilang focus at tagumpay sa pagbuo ng industriya-nangungunang Teknolohiya," sinabi Gene Sheridan, Navitas CEO at co-founder. "Navitas ay may makabuluhang mga pamumuhunan sa global benta, pagpapatakbo at teknikal na suporta koponan, kasama ang mga disenyo ng sistema ng disenyo sa EV at mga sentro ng data. Ang mga kakayahang ito ay isang perpektong katungkulan sa GeneSiC at lalo pang pabilisin ang kanilang paglago sa parehong synergistic at mga bagong customer at merkado. Ngayon, kami ay kinuha ng isang malaking hakbang sa misyon ng aming kumpanya sa 'Electrify Our World™' at drive ang paglipat ng aming planeta mula sa fossil fuels upang linisin, mahusay na, electrical enerhiya."

"Genesic's patent-protektado, advanced na teknolohiya at makabagong, nakaranas koponan ay kritikal na mga kadahilanan sa paglago ng aming kumpanya. Ang aming Sic MOSFETs nag-aalok ng pinakamataas na pagganap ng industriya, pananagutan, at ruggedness – parameters kritikal patungo sa malawakang pag-aampon ng electric sasakyan at kaugnay na imprastraktura," sinabi Genesic President Dr. rantso singh. "Sa halos 20 taon ng nangungunang-gilid R&D, napatunayang platform, higit sa 500 iba't-iba ang mga customer, at lumalaking kita at kakayahang kumita, maaari naming malutas ang mass-produksyon kadalubhasaan at pumunta-to-market diskarte upang pabilisin ang mga kita ng SiC. Tuwang-tuwa kami tungkol sa bagong pakikipagsosyo na ito."

Dr. Singh sumali Navitas bilang Executive Vice-President para sa geneSic negosyo at Navitas inaasahan upang mapanatili ang lahat ng mga miyembro ng GeneSiC team.

Sa kapangyarihan semiconductors, parehong Gan at SiC ay mas nakahihigit na mga materyales sa pamana silicon, nagbibigay-kakayahan sa mas mataas na bilis, mas mataas na enerhiya savings, mas mabilis na singilin, at makabuluhang nabawasan laki, timbang, at gastos. Magkasama, mga katugmang ito, susunod na henerasyon materyales address ng isang malawak na hanay ng mga application mula sa 20W smartphone chargers, sa 20kW EV chargers, sa 20MW grid-imprastraktura system at lahat sa pagitan ng. Sa paglipas ng 500 mga customer, GeneSiC acquisition naghahatid ng sari-sari at synergistic merkado at mga customer, at accelerates Navitas kita sa estratehikong, mas mataas na kapangyarihan application:

• Electric Sasakyan: Navitas Gan IC ay optimized para sa 400V EV system, at GeneSic teknolohiya ay mainam para sa 800V EV system, sa umiiral na kita at pag-unlad ng mga customer na kinabibilangan ng BYD – ang mundo #1 EV supplier, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, Magliwanag, LG Magna, Saab, at Makabagong-likha, kasama ang dose-dosenang iba pa.
• Solar & Enerhiya Imbakan: Navitas Gan ICs ay naglilingkod sa tirahan solar, habang GeneSiC ay may agarang kita sa mas mataas na kapangyarihan, komersyal na solar at enerhiya imbakan mga customer, kabilang ang APS, Advanced na Enerhiya, Magsingit, sungrow, Lumago, pusa, Magpakita at marami pang iba.
• Mas malawak na pang-industriya merkado: GeneSiC mataas na boltahe produkto magdala kaagad ng kita sa isang malawak na hanay ng mga karagdagang pang-industriya merkado na isama ang tren, UPS, hangin, grid kapangyarihan, pang-industriya motors, at medikal na imaging.

Mga Detalye ng Transaksyon

Ang pagkuha ng GeneSiC ay inaasahang kaagad na akma sa kita ng Navitas bawat share. Kabuuang pagsasaalang-alang ay binubuo ng humigit-kumulang $100 milyon sa cash, 24.9 milyong namamahagi ng Navitas stock at posibleng kumita ng mga pagbabayad ng hanggang sa $25 milyong kondisyon sa tagumpay ng malaking kita target para sa GeneSiC negosyo sa paglipas ng apat na quarters nagtatapos Setyembre 30, 2023. Karagdagang impormasyon tungkol sa GeneSiC ay magagamit ir.navitassemi.com.

Mga Tagapayo

Jefferies LLC kumilos bilang financial advisor sa Navitas at Bank ng Amerika ay kumilos bilang financial advisor sa GeneSiC. TCF Law Group, PLLC kumilos bilang legal na tagapayo sa Navitas at Gibson, ben10 init sabog & Crutcher LLP kumilos bilang legal na tagapayo sa GeneSiC.

Impormasyon tungkol sa Kumperensya at Webcast

Ang GeneSiC acquisition ay tatalakayin bilang bahagi ng Navitas Q2 2022 pagtawag sa kita:

Kailan: Lunes, Agosto 15^th, 2022

Oras: 2:00 p.m. Pacific / 5:00 p.m. Pasko ng Pagkabuhay

Toll Free Dial-in: (800) 715-9871 o (646) 307-1963

ID ng Kumperensya: 6867001

Live Webcast: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Replay: Ang isang replay ng tawag ay maa-access mula sa mamumuhunan Relations seksyon ng website ng Kumpanya sa https://ir.navitassemi.com/.

Babala Pahayag Tungkol sa Pagpapasa ng mga Pahayag

Ang press release na ito ay kinabibilangan ng "forward-looking statements" sa loob ng kahulugan ng Bahagi 21E ng Mga Mahalagang Papel ng Palitan ng 1934, bilang amended. Ang mga pahayag na naghahanap-buhay ay maaaring matukoy sa pamamagitan ng paggamit ng mga salitang tulad ng "inaasahan natin" o "inaasahang maging," "pagtatantya," "plano," "proyekto," "forecast," "inilaan," "anticipate," "naniniwala," "hanapin," o iba pang katulad na mga ekspresyon na hulaan o ipahiwatig ang mga kaganapan o kalakaran sa hinaharap o na hindi mga pahayag ng mga makasaysayang bagay. Kabilang sa mga pahayag na ito ang mga pahayag na ito, ngunit ay hindi limitado sa, pahayag tungkol sa pagtatantya at pagtataya ng iba pang mga pinansiyal at pagtatanghal ng mga metriko at proyekto ng merkado pagkakataon at merkado ibahagi. Ang mga pahayag na ito ay batay sa iba't ibang palagay, kung o hindi tinukoy sa press release na ito. Ang mga pahayag na ito ay batay rin sa kasalukuyang mga inaasahan ng pamamahala ng Navitas at hindi mga paghuhula ng aktwal na pagganap. Ang gayong mga pahayag na naghahanap-buhay ay inilaan para sa mga paglalarawan lamang at hindi nilayong maglingkod bilang, at hindi dapat umasa sa pamamagitan ng anumang mamumuhunan bilang, isang garantiya, isang katiyakan, isang paghuhula o isang kahulugan pahayag ng katotohanan o posibilidad. Aktwal na mga kaganapan at sitwasyon ay mahirap o imposibleng mahulaan at ay magkaiba mula sa mga palagay at mga inaasahan. Maraming mga aktwal na mga kaganapan at sitwasyon na nakakaapekto sa pagganap ay lampas sa kontrol ng Navitas. Forward-naghahanap ng mga pahayag ay napapailalim sa isang bilang ng mga panganib at kawalang-katiyakan, kabilang ang posibilidad na ang inaasahang paglago ng Navitas' at GeneSiC negosyo ay hindi matutupad, o hindi matatanto sa loob ng inaasahang panahon, dahil sa, kabilang sa iba pang mga bagay, ang kabiguan upang matagumpay na maisama ang GeneSiC sa navitas negosyo at operasyon sistema; ang epekto ng pagkuha sa customer at supplier relasyon o ang kabiguan upang mapanatili at palawakin ang mga relasyon; ang tagumpay o kabiguan ng iba pang mga pagsisikap ng negosyo; Navitas pinansiyal na kalagayan at mga resulta ng pagpapatakbo; Kakayahan ng Navitas na tumpak na mahuhulaan ang mga kita sa hinaharap para sa layunin ng angkop na pagbabadyet at pag-aayos ng mga gastusin ng Navitas; Navitas's kakayahan upang i-save ang kanyang customer base at bumuo ng mga relasyon sa mga bagong merkado; Navitas's kakayahan upang lagyan ng scale ang kanyang teknolohiya sa mga bagong merkado at application; ang mga epekto ng kumpetisyon sa navitas negosyo, kabilang ang mga aksyon ng mga kakompetensya na may itinatag presensya at mga mapagkukunan sa merkado umaasa kami na matigil, kabilang ang silicon carbide merkado; ang antas ng demand sa Navitas' at GeneSiC's end market, parehong sa pangkalahatan at may paggalang sa sunun-abo henerasyon ng mga produkto o teknolohiya; Kakayahan ng Navitas na maakit, tren at panatilihin ang key kwalipikadong tauhan; mga pagbabago sa mga patakaran sa kalakalan ng gobyerno, kabilang ang pagpapataw ng tariffs; ang epekto ng coVID-19 pandemiko sa negosyo na Navitas, mga resulta ng pagpapatakbo at pinansiyal na kalagayan; ang epekto ng COVID-19 pandemiko sa pandaigdigang ekonomiya, kabilang ang ngunit hindi limitado sa Supply ng Navitas at ang supply chain ng mga customer at supplier; regulasyon pag-unlad sa Estados Unidos at mga banyagang bansa; at Navitas's kakayahan upang protektahan ang kanyang intelektwal na mga karapatan ari-arian. Ang mga ito at iba pang mga panganib kadahilanan ay tinalakay sa Panganib kadahilanan seksyon simula sa p. 11 ng aming taunang ulat tungkol sa Form 10-K para sa taon na natapos Disyembre 31, 2021, na aming isinampa sa mga Mahalagang Papel at Exchange Commission (ang "SEC") Marso 31, 2022 at pagkatapos niyon ay nababaluktot, at sa iba pang mga dokumento namin file sa SEC, kabilang ang aming mga quarterly report sa Form 10-Q. Kung ang alinman sa mga panganib na ito materyales o ang aming mga asumpsiyon patunayan mali, aktwal na mga resulta ay maaaring magkaiba materyal mula sa mga resulta na ipinahiwatig sa pamamagitan ng mga pahayag na ito-naghahanap ng mga pahayag. Maaaring may karagdagang mga panganib na hindi alam ng Navitas o na ang Navitas ay kasalukuyang naniniwala na maaari ring maging sanhi ng aktwal na mga resulta upang magkaiba mula sa mga nakapaloob sa mga nakatingin na pahayag. Sa karagdagan, forward-naghahanap ng mga pahayag ay nagpapakita ng mga inaasahan ng Navitas, mga plano o pagtataya ng mga kaganapan sa hinaharap at view ng petsa ng press release na ito. Inaasahan ng Navitas na ang sumunod na mga kaganapan at pag-unlad ay magiging sanhi ng pagtatasa ng Navitas. Gayunpaman, habang Navitas ay maaaring halalan upang i-update ang mga pahayag na ito sa ilang mga punto sa hinaharap, Navitas partikular na disclaims anumang obligasyon na gawin ito. Ang mga pahayag na ito na naghahanap ng mga pahayag na ito ay hindi dapat umasa bilang kumakatawan sa mga assessment ng Navitas bilang anumang petsa kasunod ng petsa ng pag-release.

Tungkol sa Navitas

Navitas Semiconductor (nasdaq: Mga NVT) ay ang industriya lider sa gallium nitride (Gan) kapangyarihan IC, itinatag noong 2014. GanFast™ kapangyarihan ICs integrate Gan kapangyarihan sa drive, kontrol, damdamin at proteksyon upang paganahin ang mas mabilis na singilin, mas mataas na kapangyarihan density at mas mataas na enerhiya savings para sa mobile, consumer, data center, EV at solar merkado. Higit sa 165 Navitas patent ay ibinigay o nakabinbing. Higit sa 50 milyong mga yunit ay ipinadala sa zero iniulat GaN field kabiguan, at Navitas ipinakilala ang unang industriya at lamang 20-taon warranty. Navitas ay ang unang semiconductor kumpanya na maging CarbonNeutral®-sertipikadong.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ay isang pioneer at world-leader sa silicon carbide (Sic) teknolohiya. Nangungunang pandaigdigang tagagawa depende sa teknolohiya ng GeneSiC upang iangat ang pagganap at kahusayan ng kanilang mga produkto. GeneSic's electronic bahagi tumakbo cooler, mas mabilis, at higit pang pang-ekonomiya at i-play ang isang mahalagang papel sa pangangalaga ng enerhiya sa isang malawak na array ng mataas na kapangyarihan sistema. GeneSiC holding patent sa malawak na banda-gap kapangyarihan aparato teknolohiya, isang merkado na proyekto upang maabot ang higit sa $5 bilyon-bilyong sa pamamagitan ng 2025. Ang aming mga pangunahing kalakasan ng disenyo, proseso at teknolohiya magdagdag ng higit pang halaga sa end-produkto ng aming mga customer, sa pagganap at gastos metrics setting ng mga bagong pamantayan sa industriya ng silicon carbide.

Impormasyon sa Contact

Media

Graham Robertson, CMO Grand Bridges

Graham@GrandBridges.com

Mamumuhunan

Stephen Oliver, VP Corporate Marketing & Mamumuhunan Relations

ir@navitassemi.com

Navitas Semiconductor, ganfast, GanSense at ang Navitas logo ay trademark o nakarehistro trademark ng Navitas Semiconductor Limited. Lahat ng iba pang mga tatak, produkto pangalan at marks ay o maaaring trademark o nakarehistro trademark na ginagamit upang matukoy ang mga produkto o serbisyo ng kani-kanilang mga may-ari.

Power System Disenyo Interviews Genesic

nuremberg, Alemanya Mayo 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor President ay ininterbyu ni Alix Paultre ng Power Systems Disenyo (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) sa PCIM ipakita sa Nuremberg, Alemanya.

Co-pakete SiC Transistor-Diode kumbinasyon sa isang matibay, nakahiwalay, 4-Namuno, mini-module packaging binabawasan Turn-On enerhiya pagkawala at nagbibigay-kakayahan sa nababaluktot circuit disenyo para sa mataas na dalas ng kapangyarihan converters

MGA DULLES, VA, Mayo 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes sa isang nakahiwalay na, 4-Leaded mini-module packaging na nagbibigay-kakayahan sa lubhang mababang Turn-On enerhiya pagkawala habang nag-aalok ng nababaluktot, modular disenyo sa mataas na dalas ng kapangyarihan converters. Ang paggamit ng mataas na dalas, mataas na boltahe at mababang on-resistance na may kakayahang SiC Transistors at Rectifiers ay mabawasan ang laki / timbang / dami ng mga electronic application na nangangailangan ng mas mataas na kapangyarihan paghawak sa mataas na operating frequencies. Ang mga device na ito ay target na gamitin sa isang malawak na iba't ibang mga application kabilang ang induction heaters, plasma generators, mabilis na chargers, DC-DC converters, at lumipat mode kapangyarihan supplies.

1200 V/20 mOhm Silicon Carbide Junction Transistor Rectifier-Copackaged sa isang Nakahiwalay na SOT-227 pakete na nagbibigay ng hiwalay na Gate Source at Kakayahang Balat

Co-pakete SiC Junction Transistors (SJT)-Sic Rectifiers inaalok ng GeneSiC ay natatanging angkop sa inductive paglipat ng mga application dahil SJTs ay ang tanging malawak na switch nag-aalok ng >10 microsec paulit-ulit maikling circuit kakayahan, kahit na sa 80% ng rated boltahe (itlog. 960 V para sa isang 1200 V aparato). Bilang karagdagan sa sub-10 nsec rise / bumabagsak na oras at isang parisukat reverse biased ligtas na operasyon lugar (RBSOA), ang Gate Bumalik terminal sa bagong configuration makabuluhang nagpapabuti ng kakayahan upang mabawasan ang paglipat enerhiya. Ang mga bagong klase ng mga produkto ay nag-aalok ng transient enerhiya pagkawala at paglipat ng mga oras na independiyenteng ng junction temperatura. SiC Junction Transistors mula sa GeneSiC ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at ay may kakayahang itaboy sa mababang boltahe ng Gate, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch.
Sic Schotky Rectifier na ginamit sa mga mini-module ipakita mababang-estado boltahe drops, magandang siruhano kasalukuyang mga rating at industriya pinakamababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Gamit ang temperatura independiyenteng, malapit-zero reverse pagbawi paglipat katangian, Sic Schotky rectifier ay ideal na kandidato para gamitin sa mataas na kahusayan circuits.
“GeneSiC's Sic Transistor at Rectifier produkto ay dinisenyo at manufactured upang mapagtanto mababa sa estado at paglipat ng pagkalugi. Ang kumbinasyon ng mga teknolohiyang ito sa isang makabagong pakete ay nangangako ng huwaran sa pagganap sa kapangyarihan circuits hinihingi ng malawak na bandgap batay sa aparato. Ang mini-module packaging ay nag-aalok ng mahusay na kakayahang magdisenyo ng flexibility para gamitin sa iba't ibang uri ng kapangyarihan circuits tulad ng H-Bridge, Flyback at multi-level inverters” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.
Produkto inilabas ngayon isama
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor /Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Nakahiwalay na SOT-227/mini-block/Isotop pakete
• Transistor Kasalukuyang Makakuha (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado sa pamamagitan ng packaging)
• I-on/i-off; Tumaas/ Mahulog beses <10 nanoseconds karaniwang.

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga marka. Ang mga device ay agad makukuha mula sa GeneSic's Awtorisadong mga Distributor.

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin: https://192.168.88.14/komersyal-sic/sic-modules-copack/

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin ang Silicon diode module. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, downhole langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Mataas na temperatura (>210^oC) Junction Transistors at Rectifiers sa maliit na form na metal ay maaaring mag-alok ng mga rebolusyonaryong benepisyo sa iba't ibang mga application kabilang ang amplification, mababang ingay circuitry at downhole actuator control

MGA DULLES, VA, Marso 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng isang linya ng compact, mataas na temperatura SiC Junction Transistors pati na rin ang isang linya ng mga rectifiers sa TO-46 metal ay maaaring pakete. Ang mga bahaging ito ay dinisenyo at manufactured upang mapatakbo sa ilalim ng ambient temperatura ng mas mataas kaysa sa 215^oC. Ang paggamit ng mataas na temperatura, mataas na boltahe at mababang on-resistance na may kakayahang SiC Transistors at Rectifiers ay mabawasan ang laki / timbang / dami ng mga electronic application na nangangailangan ng mas mataas na kapangyarihan paghawak sa mataas na temperatura. Ang mga device na ito ay target na gamitin sa iba't ibang mga application kabilang ang isang malawak na iba't-ibang mga circuits ng pababa, geothermal instrumento, solenoyde aksyon, pangkalahatang layunin ng pagganap, at lumipat mode kapangyarihan supplies.

Mataas na Temperatura SiC Junction Transistors (SJT) inaalok ng GeneSiC exhibit sub-10 nsec rise / bumabagsak beses na nagbibigay-kakayahan >10 MHz paglipat pati na rin ang isang parisukat reverse bias ligtas na operasyon lugar (RBSOA). Ang transient enerhiya pagkalugi at paglipat ng oras ay malaya ng junction temperatura. Ang mga switch na ito ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at may kakayahang itaboy sa pamamagitan ng 0/+5 V TTL gate driver, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch. Natatanging mga bentahe ng SJT sa kaibahan sa iba pang mga SiC switch ay ang mas mataas na pangmatagalang pagiging maaasahan, >20 gamitin ang maikling circuit kakayahan, at nakahihigit avalanche kakayahan. Ang mga device na ito ay maaaring gamitin bilang mahusay na mga amplifiers bilang sila pangako ng isang mas mataas na linearity kaysa sa anumang iba pang SiC lumipat.

Mataas na Temperatura Sic Schotky Rectifiers na inaalok ng GeneSiC ipakita mababang-estado boltahe drops, at industriya pinakamababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Gamit ang temperatura independiyenteng, malapit-zero reverse pagbawi paglipat katangian, Sic Schotky rectifier ay ideal na kandidato para gamitin sa mataas na kahusayan, mataas na temperatura circuits. Ang TO-46 metal ay maaaring pakete pati na rin ang kaugnay na mga proseso ng packaging na ginagamit upang lumikha ng mga produktong ito kritikal na paggamit kung saan mataas na pagiging maaasahan ay kritikal.

“GeneSiC's Transistor at Rectifier produkto ay dinisenyo at manufactured mula sa lupa hanggang sa paganahin ang mataas na temperatura operasyon. Ang mga compact to-46 pakete SJTs nag-aalok ng mataas na kasalukuyang makakuha ng (>110), 0/+5 V TTL control, at matibay na pagganap. Ang mga device na ito ay nag-aalok ng mababang pagkalugi pagkawala at mataas na linearity. Disenyo namin ang aming "SHT" linya ng mga rectifier, upang mag-alok ng mababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Ang mga metal ay maaaring nakaimpake produkto augment ang aming TO-257 at metal SMD produkto inilabas noong nakaraang taon upang mag-alok ng maliit na form kadahilanan, vibration lumalaban solusyon” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

Kabilang sa mga produktong inilabas ngayon ang:

240 mOhm Sic Junction Transistors:

• 300 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GA05JT03-46
• 100 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GA05JT01-46
• Kasalukuyang Makakuha ng (h_FE) >110
• T_jmax = 210^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <10 nanoseconds karaniwang.

Hanggang sa 4 Mataas na Temperatura Schottky diodes:

• 600 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT06-46
• 300 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT03-46
• 100 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT01-46
• Kabuuang capacitive singil 9 nC
• T_jmax = 210^oC.

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang rating at bahay sa metal ay maaaring-to-46 pakete. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin ang Silicon diode module. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, downhole langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; at https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board optimize para sa mataas na bilis ng paglipat at pag-uugali-based na mga modelo ay nagbibigay-kakayahan sa kapangyarihan electronic designer upang i-verify at quantify benepisyo ng SJTs sa board-level evaluation at circuit simulation

MGA DULLES, V.A., Nobyembre 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng Gate Driver pagsusuri board at pinalawak nito disenyo suporta para sa pinakamababang pagkawala ng industriya pagkawala switch – ang SiC Junction Transistor (SJT) – na may isang ganap na kwalipikadong LTSPICE IV modelo. Paggamit ng bagong Gate Driver Board, kapangyarihan conversion circuit designer ay maaaring i-verify ang mga benepisyo ng sub-15 nanosecond, temperatura independiyenteng paglipat ng mga katangian ng SiC Junction Transistors, na may mababang driver kapangyarihan pagkalugi. Pagsasama-sama ng mga bagong modelo ng SPICE, circuit designer ay madaling suriin ang mga benepisyo GeneSiC's SJTs magbigay para sa pagkamit ng isang mas mataas na antas ng kahusayan kaysa sa posibleng may maginoo silicon kapangyarihan paglipat ng mga aparato para sa comparably-rated aparato.

Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 naaangkop patungo sa SJTs mula sa GeneSiC

SiC Junction Transistors ay may makabuluhang iba't-ibang mga katangian kaysa sa iba pang mga sic Transistor teknolohiya, pati na rin ang Silicon Transistors. Gate Driver board na maaaring magbigay ng mababang kapangyarihan pagkawala habang nag-aalok pa rin ng mataas na bilis ng paglipat ay kinakailangan upang magbigay ng drive solusyon para sa paggamit ng mga benepisyo ng SiC Junction Transistors. Ganap na nakahiwalay ang GeneSic GA03IDDJT30-FR4 Gate driver board tumatagal sa 0/12V at isang TTL signal sa optimally kondisyon ng boltahe / kasalukuyang waveforms kinakailangan upang magbigay ng maliit na tumaas / mahulog beses, habang pa rin minimizing ang tuloy-tuloy na kasalukuyang kinakailangan para sa pagpapanatili ng Normal-OFF SJT na isinasagawa sa panahon ng estado. Ang pin configuration at form mga kadahilanan ay itinatago katulad sa iba pang mga SiC transistors. GeneSiC ay inilabas din Gerber file at BOMs upang tapusin ang mga ito upang maisama ang mga benepisyo ng driver disenyo makatotohanang.

SJTs nag-aalok ng mahusay na-behave sa estado at paglipat ng mga katangian, paggawa ng madaling lumikha ng pag-uugali batay SPICE modelo na sumasang-ayon kapansin-pansin na rin sa mga pangunahing physics batay mga modelo pati na rin. Paggamit ng mahusay na itinatag at naunawaan physics-based modelo, SPICE parameter ay inilabas matapos ang malawak na pagsubok sa aparato pag-uugali. GeneSiC's SPICE modelo ay inihambing sa eksperimento sinusukat data sa lahat ng mga data ng device at ay angkop sa lahat 1200 V at 1700 V SiC Junction Transistors inilabas.
GeneSiC's SJTs ay kaya ng paghahatid ng mga dalas ng paglipat na higit pa sa 15 beses na mas mataas kaysa sa IGBT-based na mga solusyon. Ang kanilang mas mataas na paglipat ng mga dalas ay maaaring paganahin ang mas maliit na magnetic at capacitive elemento, sa gayon pag-urong ng pangkalahatang laki, timbang at gastos ng kapangyarihan electronic system.

Ito SiC Junction Transistor SPICE modelo ay nagdadagdag sa komprehensibong suite ng mga tool ng disenyo, teknikal na dokumentasyon, at pagiging maaasahan ang impormasyon upang magbigay ng kapangyarihan electronic engineer sa disenyo ng mga mapagkukunan na kailangan upang ipatupad ang komprehensibong pamilya ng SiC Junction Transistors at Rectifiers sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng kapangyarihan.

GeneSic's Gate Driver Board datasheets at SJT SPICE modelo ay maaaring i-download mula sa https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/