Kategorya: Balita

Co-pakete SiC Transistor-Diode kumbinasyon sa isang matibay, nakahiwalay, 4-Namuno, mini-module packaging binabawasan Turn-On enerhiya pagkawala at nagbibigay-kakayahan sa nababaluktot circuit disenyo para sa mataas na dalas ng kapangyarihan converters

MGA DULLES, VA, Mayo 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes sa isang nakahiwalay na, 4-Leaded mini-module packaging na nagbibigay-kakayahan sa lubhang mababang Turn-On enerhiya pagkawala habang nag-aalok ng nababaluktot, modular disenyo sa mataas na dalas ng kapangyarihan converters. Ang paggamit ng mataas na dalas, mataas na boltahe at mababang on-resistance na may kakayahang SiC Transistors at Rectifiers ay mabawasan ang laki / timbang / dami ng mga electronic application na nangangailangan ng mas mataas na kapangyarihan paghawak sa mataas na operating frequencies. Ang mga device na ito ay target na gamitin sa isang malawak na iba't ibang mga application kabilang ang induction heaters, plasma generators, mabilis na chargers, DC-DC converters, at lumipat mode kapangyarihan supplies.

Co-pakete SiC Junction Transistors (SJT)-Sic Rectifiers inaalok ng GeneSiC ay natatanging angkop sa inductive paglipat ng mga application dahil SJTs ay ang tanging malawak na switch nag-aalok ng >10 microsec paulit-ulit maikling circuit kakayahan, kahit na sa 80% ng rated boltahe (itlog. 960 V para sa isang 1200 V aparato). Bilang karagdagan sa sub-10 nsec rise / bumabagsak na oras at isang parisukat reverse biased ligtas na operasyon lugar (RBSOA), ang Gate Bumalik terminal sa bagong configuration makabuluhang nagpapabuti ng kakayahan upang mabawasan ang paglipat enerhiya. Ang mga bagong klase ng mga produkto ay nag-aalok ng transient enerhiya pagkawala at paglipat ng mga oras na independiyenteng ng junction temperatura. SiC Junction Transistors mula sa GeneSiC ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at ay may kakayahang itaboy sa mababang boltahe ng Gate, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch.
Sic Schotky Rectifier na ginamit sa mga mini-module ipakita mababang-estado boltahe drops, magandang siruhano kasalukuyang mga rating at industriya pinakamababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Gamit ang temperatura independiyenteng, malapit-zero reverse pagbawi paglipat katangian, Sic Schotky rectifier ay ideal na kandidato para gamitin sa mataas na kahusayan circuits.
“GeneSiC's Sic Transistor at Rectifier produkto ay dinisenyo at manufactured upang mapagtanto mababa sa estado at paglipat ng pagkalugi. Ang kumbinasyon ng mga teknolohiyang ito sa isang makabagong pakete ay nangangako ng huwaran sa pagganap sa kapangyarihan circuits hinihingi ng malawak na bandgap batay sa aparato. Ang mini-module packaging ay nag-aalok ng mahusay na kakayahang magdisenyo ng flexibility para gamitin sa iba't ibang uri ng kapangyarihan circuits tulad ng H-Bridge, Flyback at multi-level inverters” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.
Produkto inilabas ngayon isama
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor /Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Nakahiwalay na SOT-227/mini-block/Isotop pakete
• Transistor Kasalukuyang Makakuha (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado sa pamamagitan ng packaging)
• I-on/i-off; Tumaas/ Mahulog beses <10 nanoseconds karaniwang.

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga marka. Ang mga device ay agad makukuha mula sa GeneSic's Awtorisadong mga Distributor.

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin: https://192.168.88.14/komersyal-sic/sic-modules-copack/

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin ang Silicon diode module. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, downhole langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Mataas na temperatura (>210^oC) Junction Transistors at Rectifiers sa maliit na form na metal ay maaaring mag-alok ng mga rebolusyonaryong benepisyo sa iba't ibang mga application kabilang ang amplification, mababang ingay circuitry at downhole actuator control

MGA DULLES, VA, Marso 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng isang linya ng compact, mataas na temperatura SiC Junction Transistors pati na rin ang isang linya ng mga rectifiers sa TO-46 metal ay maaaring pakete. Ang mga bahaging ito ay dinisenyo at manufactured upang mapatakbo sa ilalim ng ambient temperatura ng mas mataas kaysa sa 215^oC. Ang paggamit ng mataas na temperatura, mataas na boltahe at mababang on-resistance na may kakayahang SiC Transistors at Rectifiers ay mabawasan ang laki / timbang / dami ng mga electronic application na nangangailangan ng mas mataas na kapangyarihan paghawak sa mataas na temperatura. Ang mga device na ito ay target na gamitin sa iba't ibang mga application kabilang ang isang malawak na iba't-ibang mga circuits ng pababa, geothermal instrumento, solenoyde aksyon, pangkalahatang layunin ng pagganap, at lumipat mode kapangyarihan supplies.

Mataas na Temperatura SiC Junction Transistors (SJT) inaalok ng GeneSiC exhibit sub-10 nsec rise / bumabagsak beses na nagbibigay-kakayahan >10 MHz paglipat pati na rin ang isang parisukat reverse bias ligtas na operasyon lugar (RBSOA). Ang transient enerhiya pagkalugi at paglipat ng oras ay malaya ng junction temperatura. Ang mga switch na ito ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at may kakayahang itaboy sa pamamagitan ng 0/+5 V TTL gate driver, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch. Natatanging mga bentahe ng SJT sa kaibahan sa iba pang mga SiC switch ay ang mas mataas na pangmatagalang pagiging maaasahan, >20 gamitin ang maikling circuit kakayahan, at nakahihigit avalanche kakayahan. Ang mga device na ito ay maaaring gamitin bilang mahusay na mga amplifiers bilang sila pangako ng isang mas mataas na linearity kaysa sa anumang iba pang SiC lumipat.

Mataas na Temperatura Sic Schotky Rectifiers na inaalok ng GeneSiC ipakita mababang-estado boltahe drops, at industriya pinakamababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Gamit ang temperatura independiyenteng, malapit-zero reverse pagbawi paglipat katangian, Sic Schotky rectifier ay ideal na kandidato para gamitin sa mataas na kahusayan, mataas na temperatura circuits. Ang TO-46 metal ay maaaring pakete pati na rin ang kaugnay na mga proseso ng packaging na ginagamit upang lumikha ng mga produktong ito kritikal na paggamit kung saan mataas na pagiging maaasahan ay kritikal.

“GeneSiC's Transistor at Rectifier produkto ay dinisenyo at manufactured mula sa lupa hanggang sa paganahin ang mataas na temperatura operasyon. Ang mga compact to-46 pakete SJTs nag-aalok ng mataas na kasalukuyang makakuha ng (>110), 0/+5 V TTL control, at matibay na pagganap. Ang mga device na ito ay nag-aalok ng mababang pagkalugi pagkawala at mataas na linearity. Disenyo namin ang aming "SHT" linya ng mga rectifier, upang mag-alok ng mababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Ang mga metal ay maaaring nakaimpake produkto augment ang aming TO-257 at metal SMD produkto inilabas noong nakaraang taon upang mag-alok ng maliit na form kadahilanan, vibration lumalaban solusyon” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

Kabilang sa mga produktong inilabas ngayon ang:

240 mOhm Sic Junction Transistors:

• 300 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GA05JT03-46
• 100 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GA05JT01-46
• Kasalukuyang Makakuha ng (h_FE) >110
• T_jmax = 210^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <10 nanoseconds karaniwang.

Hanggang sa 4 Mataas na Temperatura Schottky diodes:

• 600 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT06-46
• 300 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT03-46
• 100 V pagharang boltahe. Numero ng Bahagi GB02SHT01-46
• Kabuuang capacitive singil 9 nC
• T_jmax = 210^oC.

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang rating at bahay sa metal ay maaaring-to-46 pakete. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin ang Silicon diode module. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, downhole langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; at https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board optimize para sa mataas na bilis ng paglipat at pag-uugali-based na mga modelo ay nagbibigay-kakayahan sa kapangyarihan electronic designer upang i-verify at quantify benepisyo ng SJTs sa board-level evaluation at circuit simulation

MGA DULLES, V.A., Nobyembre 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng Gate Driver pagsusuri board at pinalawak nito disenyo suporta para sa pinakamababang pagkawala ng industriya pagkawala switch – ang SiC Junction Transistor (SJT) – na may isang ganap na kwalipikadong LTSPICE IV modelo. Paggamit ng bagong Gate Driver Board, kapangyarihan conversion circuit designer ay maaaring i-verify ang mga benepisyo ng sub-15 nanosecond, temperatura independiyenteng paglipat ng mga katangian ng SiC Junction Transistors, na may mababang driver kapangyarihan pagkalugi. Pagsasama-sama ng mga bagong modelo ng SPICE, circuit designer ay madaling suriin ang mga benepisyo GeneSiC's SJTs magbigay para sa pagkamit ng isang mas mataas na antas ng kahusayan kaysa sa posibleng may maginoo silicon kapangyarihan paglipat ng mga aparato para sa comparably-rated aparato.

SiC Junction Transistors ay may makabuluhang iba't-ibang mga katangian kaysa sa iba pang mga sic Transistor teknolohiya, pati na rin ang Silicon Transistors. Gate Driver board na maaaring magbigay ng mababang kapangyarihan pagkawala habang nag-aalok pa rin ng mataas na bilis ng paglipat ay kinakailangan upang magbigay ng drive solusyon para sa paggamit ng mga benepisyo ng SiC Junction Transistors. Ganap na nakahiwalay ang GeneSic GA03IDDJT30-FR4 Gate driver board tumatagal sa 0/12V at isang TTL signal sa optimally kondisyon ng boltahe / kasalukuyang waveforms kinakailangan upang magbigay ng maliit na tumaas / mahulog beses, habang pa rin minimizing ang tuloy-tuloy na kasalukuyang kinakailangan para sa pagpapanatili ng Normal-OFF SJT na isinasagawa sa panahon ng estado. Ang pin configuration at form mga kadahilanan ay itinatago katulad sa iba pang mga SiC transistors. GeneSiC ay inilabas din Gerber file at BOMs upang tapusin ang mga ito upang maisama ang mga benepisyo ng driver disenyo makatotohanang.

SJTs nag-aalok ng mahusay na-behave sa estado at paglipat ng mga katangian, paggawa ng madaling lumikha ng pag-uugali batay SPICE modelo na sumasang-ayon kapansin-pansin na rin sa mga pangunahing physics batay mga modelo pati na rin. Paggamit ng mahusay na itinatag at naunawaan physics-based modelo, SPICE parameter ay inilabas matapos ang malawak na pagsubok sa aparato pag-uugali. GeneSiC's SPICE modelo ay inihambing sa eksperimento sinusukat data sa lahat ng mga data ng device at ay angkop sa lahat 1200 V at 1700 V SiC Junction Transistors inilabas.
GeneSiC's SJTs ay kaya ng paghahatid ng mga dalas ng paglipat na higit pa sa 15 beses na mas mataas kaysa sa IGBT-based na mga solusyon. Ang kanilang mas mataas na paglipat ng mga dalas ay maaaring paganahin ang mas maliit na magnetic at capacitive elemento, sa gayon pag-urong ng pangkalahatang laki, timbang at gastos ng kapangyarihan electronic system.

Ito SiC Junction Transistor SPICE modelo ay nagdadagdag sa komprehensibong suite ng mga tool ng disenyo, teknikal na dokumentasyon, at pagiging maaasahan ang impormasyon upang magbigay ng kapangyarihan electronic engineer sa disenyo ng mga mapagkukunan na kailangan upang ipatupad ang komprehensibong pamilya ng SiC Junction Transistors at Rectifiers sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng kapangyarihan.

GeneSic's Gate Driver Board datasheets at SJT SPICE modelo ay maaaring i-download mula sa https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

SiC switch nag-aalok ng pinakamababang pag-uugali pagkawala at mas mataas na maikling circuit kakayahan na inilabas para sa Mataas na Dalas kapangyarihan Circuits

Dulles, Virginia., Oktubre 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon ibinalita ang agarang availability ng isang pamilya ng mababang-on-paglaban 1700V at 1200 V SiC Junction Transistors sa TO-247 pakete. Ang paggamit ng mataas na boltahe, mataas na dalas, mataas na temperatura at mababang on resistance capable SiC Junction Transistors ay dagdagan ang conversion kahusayan at mabawasan ang laki / timbang / dami ng kapangyarihan electronics application na nangangailangan ng mas mataas na bus boltahe. Ang mga aparatong ito ay naka target para magamit sa isang malawak na iba't ibang mga application kabilang ang DC microgrids, Sasakyan Mabilis na charger, server ng server, Telecom at Networking Power Supplies, walang putol na suplay ng kuryente, solar inverters, Mga sistema ng kapangyarihan ng hangin, at pang industriya na mga sistema ng kontrol ng motor.

Mga Transistor ng SiC Junction (SJT) inaalok ng GeneSiC exhibit ultra mabilis na kakayahan sa paglipat (katulad ng sa SiC MOSFETs), isang parisukat na reverse biased ligtas na lugar ng operasyon (RBSOA), pati na rin ang temperatura independiyenteng panandaliang pagkawala ng enerhiya at paglipat ng mga oras. Ang mga switch na ito ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at may kakayahang mapadpad ng mga komersyal na gate driver, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch. Natatanging mga bentahe ng SJT sa kaibahan sa iba pang mga SiC switch ay ang mas mataas na pangmatagalang pagiging maaasahan, >10 gamitin ang maikling circuit kakayahan, at nakahihigit avalanche kakayahan

“Ang mga pinabuting SJTs nag-aalok ng mas mataas na kasalukuyang makakuha ng (>100), mataas na matatag at matatag na pagganap kumpara sa iba pang mga SiC switch. GeneSiC's SJTs nag-aalok ng lubhang mababang pag-uugali pagkawala sa rate ng kasalukuyang bilang superior-off pagkawala sa kapangyarihan circuits. Paggamit ng natatanging aparato at tela makabagong-likha, GeneSiC's Transistor produkto ay tumutulong sa mga designer makamit ang isang mas matibay na solusyon,” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor inilabas

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Kasalukuyang Makakuha ng (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <30 nanoseconds karaniwang.

1200 V SiC Junction Transistor inilabas

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Kasalukuyang Makakuha ng (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <30 nanoseconds karaniwang.

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, RoHS komplikadong TO-247 pakete. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.

Para sa karagdagang impormasyon, Bisitahin lamang ang https://192.168.88.14/komersyal-sic/sic-junction-transistor/

GeneSiC's Sic Transistor at Rectifiers nag-aalok ng makabuluhang mga bentahe patungo sa pagkamit ng mga layunin ng maliit na kahon hamon

Estado-of-the Art. Silicon Carbide Power Transistors & Mga Rectifier. Magagamit na. Ngayon!

GeneSiC ay may isang malawak na portfolio ng mga produkto na magagamit ngayon sa buong mundo mula sa tuktok distributor

barena mamatay chip form ng SiC device magagamit direkta mula sa pabrika (mangyaring punan ang form sa ibaba)

Magsiyasat SJTS at Mga Rectifier sa Komersyal na temperatura rating (175° C)

Magsiyasat HiT SJTs at s at sa Mataas na Temperatura (hanggang sa 250o C)

GeneSiC nag-aalok ng pinakamalawak na iba't ibang mga produkto SiC – sa mga naka-package na mga produkto pati na rin ang hubad-die format upang payagan ang mas malaking disenyo kakayahang umangkop at makabagong ideya. Ang GeneSiC ay patuloy na nagsisikap na manatiling maaga sa pamamagitan ng pagpapakilala ng mga bagong, makabagong mga produkto. Kung hindi mo makita ang eksaktong produkto na hinahanap mo ngayon, maaari mong makita ito sa malapit na hinaharap.

Ang pangako ng mataas na temperatura sa SiC Transistors natanto sa pamamagitan ng compatible industriya-standard na pakete ay kritikal na mapahusay downhole at aerospace actuators at kapangyarihan supplies

Dulles, Virginia., Disyembre 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon ibinalita ang agarang availability sa pamamagitan ng kanyang mga distributor at direktang isang pamilya mataas na temperatura pakete 600 V SiC Junction Transistors (SJT) sa 3-50 Amperes kasalukuyang rating sa JEDEC industriya-standard sa pamamagitan ng butas at ibabaw bundok pakete. Inkorporada ang mga mataas na temperatura, mababang on-resistance, mataas na dalas Sic Transistors sa hermetic pakete, mataas na temperatura solders at encapsulation ay dagdagan ang kahusayan ng conversion kahusayan at mabawasan ang laki / timbang / dami ng mataas na temperatura kapangyarihan conversion application.

Kontemporaryo mataas na temperatura kapangyarihan supply, motor control at actuator circuits na ginagamit sa langis /gas/downhole at aerospace application magdusa mula sa kakulangan ng isang mataas na temperatura Silicon Carbide solusyon. Silicon transistors magdusa mula sa mababang circuit kahusayan at malaking sukat dahil sila magdusa mula sa mataas na leakage kasalukuyang at mababang paglipat ng mga katangian. Parehong ang mga parameter na ito ay nagiging mas masahol pa sa mas mataas na temperatura ng junction. Gamit ang thermally pinipigilan kapaligiran, junction temperatura tumaas lubos madali kahit na kapag disente kasalukuyang ay lumipas. Hermetically nakaimpake SiC transistors nag-aalok ng natatanging mga katangian na pangako upang maisakatuwid ang kakayahan ng pababa at aerospace application. GeneSiC ni 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors tampok malapit sa zero paglipat ng oras na hindi nagbabago sa temperatura. Ang 210^oC junction temperatura-rated aparato nag-aalok ng relatibong malaking temperatura margin para sa mga application na gumagana sa ilalim ng matinding kapaligiran.

Junction Transistors inaalok ng GeneSiC exhibit ultra-mabilis na paglipat ng kakayahan, isang parisukat na reverse biased ligtas na lugar ng operasyon (RBSOA), pati na rin ang temperatura independiyenteng panandaliang pagkawala ng enerhiya at paglipat ng mga oras. Ang mga switch na ito ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at may kakayahang itaboy ng komersyal na, karaniwang magagamit 15 V IGBT gate driver, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch. Habang nag-aalok ng pagiging tumutugma sa SiC JFET driver, SiC Junction Transistors ay madaling kahalintulad dahil sa kanilang pagtutugma ng mga katangian ng transient.

“Bilang downhole at aerospace application designer patuloy na itulak ang mga limitasyon ng operating dalas, habang pa rin demanding mataas na circuit kahusayan, kailangan nila siC switch na maaaring mag-alok ng isang pamantayan ng pagganap, pagiging maaasahan at produksyon uniporme. Paggamit ng natatanging aparato at tela makabagong-likha, GeneSiC's SJT produkto ay tumutulong sa mga designer makamit ang lahat na sa isang mas matikas solusyon. Ang mga produktong ito ay nagbubunga ng hermetic pakete SiC rectifier inilabas noong nakaraang taon sa pamamagitan ng GeneSiC, at ang mga pangunahing produkto na inilabas mas maaga sa taong ito, habang pag-iimpake ng paraan para sa amin upang mag-alok ng mataas na temperatura, mababang-inductance, kapangyarihan module sa malapit na hinaharap ” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

Nakahiwalay sa TO-257 sa 600 V SJTs:

• 65 mOhms/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7637-GA); at 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <50 nanoseconds karaniwang.
• Kaukulang Baree Die GA20JT06-CAL (sa 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (sa 2N7637-GA); at GA05JT06-CAL (sa 2N7635-GA)

Non-Isolated to-258 Prototype pakete na may 600 SJTS

• 25 mOhms/50 Amp (GA50JT06-258 prototype package)
• T_jmax = 210^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <50 nanoseconds karaniwang.
• Kaukulang hubad mamatay GA50JT06-CAL (sa GA50JT06-258)

Ibabaw Mount TO-276 (SMD0.5) kasama ang 600 SJTS

• 65 mOhms/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7638-GA); at 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <50 nanoseconds karaniwang.

Lahat ng device ay 100% nasubok sa buong boltahe / kasalukuyang rating at nakatira sa hermetic package. Teknikal na Suporta at SPICE circuit modelo ay inaalok. Ang mga aparato ay agad na magagamit mula sa GeneSiC Direkta at / o sa pamamagitan ng mga Awtorisadong Distributor nito.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Mataas na Boltahe, Reverse Recovery-free Sic Schotky Diodes upang kritikal na paganahin ang Solar Inverters at Mataas na Boltahe pagtitikas sa pamamagitan ng nag-aalok ng pinakamaliit na form ibabaw kakayahan mount kakayahan

Dulles, Virginia., Nobyembre 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon ibinalita ang agarang availability ng isang pamilya ng Industriya-standard SMB (JEDEC DO-214AA) pakete SiC Rectifiers sa 650 – 3300 V saklaw. Inkorporada ang mga mataas na boltahe, i-reverse ang pagbawi-free, mataas na dalas at mataas na temperatura na may kakayahang SiC Diodes ay dagdagan ang kahusayan ng conversion kahusayan at mabawasan ang laki / timbang / dami ng multi-kV assemblies. Ang mga produktong ito ay target patungo sa Micro-solar inverters pati na rin ang boltahe multiplier circuits na ginagamit sa isang malawak na hanay ng X-Ray, Laser at particle generator kapangyarihan supplies.

Kontemporaryo Micro-solar inverters at boltahe multiplier circuits ay maaaring magdusa mula sa mababang circuit kahusayan at malaking laki dahil ang reverse pagbawi kasalukuyang mula sa Silicon rectifiers. Sa mas mataas na rectifier junction temperatura, sitwasyon na ito ay nagiging mas masahol pa dahil ang reverse pagbawi kasalukuyang sa Silicon rectifiers ay nagdaragdag sa temperatura. Sa thermally hadlang mataas na boltahe assemblies, junction temperatura tumaas lubos madali kahit na kapag disente kasalukuyang ay lumipas. Mataas na Boltahe SiC rectifiers nag-aalok ng natatanging mga katangian na pangako upang i-rebolusyon ang micro-solar inverters at mataas na boltahe pagtitiyak. GeneSiC ni 650 V/1 A; 1200 V/2 A at 3300 V/0.3 Isang Schotky rectifiers tampok zero reverse pagbawi kasalukuyang na hindi nagbabago sa temperatura. Ang 3300 V-rated aparato nag-aalok ng relatibong mataas na boltahe sa isang solong aparato ay nagbibigay-daan sa isang pagbabawas sa mga yugto ng multiplikasyon na kinakailangan sa karaniwang mataas na boltahe generator circuits, sa pamamagitan ng paggamit ng mas mataas na AC input boltahe. Ang malapit sa ideal na mga katangian ng paglipat ay nagpapahintulot sa pag aalis / dramatikong pagbabawas ng boltahe pagbabalanse ng mga network at snubber circuit. Ang SMB (DO-214AA) overmolded pakete tampok industriya-standard form na kadahilanan para sa ibabaw bundok assemblies.

"Ang mga produktong ito ay nagmumula sa maraming taon ng patuloy na pagsisikap sa geneSiC patungo sa pag-aalok ng mga aparato at pakete. Kami ay naniniwala na ang SMB form kadahilanan ay isang mahalagang iba't-ibang para sa Micro Solar Inverter at Voltage Multiplier market, at ay magbibigay daan sa makabuluhang mga benepisyo sa aming mga customer. GeneSic's mababang VF, mababang capacitance Sic Schotky Rectifiers at pinabuting SMB pakete ay nagbibigay-kakayahan sa break na ito produkto” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

1200 V/2 Isang SMB Sic Schottky Diode (GB02SLT12-214) Mga Teknikal na Tampok

• Karaniwang VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• I-reverse ang Charge = 14 nC.

3300 V/0.3 Isang SMB Sic Schotky Diode (GAP3SLT33-214) Mga Teknikal na Tampok

• Karaniwang VF = 1.7 V
• T_jmax = 175^oC
• I-reverse ang Charge = 52 nC.

650 V/1 Isang SMB Sic Schottky Diode (GB01SLT06-214) Mga Teknikal na Tampok

• Karaniwang VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• I-reverse ang Charge = 7 nC.

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, Rohs kumplikadong SMB (DO-214AA) mga pakete. Teknikal na Suporta at SPICE circuit modelo ay inaalok. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, Bisitahin lamang ang https://192.168.88.14/indeks.php/sic-produkto /schottky

Mataas na Boltahe assembly upang makinabang mula sa mga mababang capacitance rectifiers na nag aalok ng temperatura-independent zero reverse recovery currents sa nakahiwalay na mga pakete

Magnanakaw Ilog Falls/Dulles, Virginia., Mayo 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ipahayag ang agarang availability ng 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – ang GAP3SLT33-220FP. Ang natatanging produktong ito ay kumakatawan sa pinakamataas na boltahe SiC rectifier sa merkado, at ay partikular na target patungo boltahe multiplier circuits at mataas na boltahe assembly na ginagamit sa isang malawak na hanay ng X-Ray, Laser at particle generator kapangyarihan supplies.

Kontemporaryong boltahe multiplier circuits magdusa mula sa mababang circuit efficiencies at malalaking sukat dahil ang reverse recovery currents mula sa Silicon rectifiers discharge ang parallel konektado capacitors. Sa mas mataas na rectifier junction temperatura, sitwasyon na ito ay nagiging mas masahol pa dahil ang reverse pagbawi kasalukuyang sa Silicon rectifiers ay nagdaragdag sa temperatura. Sa thermally hadlang mataas na boltahe assemblies, junction temperatura tumaas lubos madali kahit na kapag disente kasalukuyang ay lumipas. Mataas na Boltahe SiC rectifiers nag aalok ng mga natatanging katangian na nangangako upang revolutionize ang mataas na boltahe assemblies. GeneSiC ni 3300 V/0.3 Isang Schotky rectifiers tampok zero reverse pagbawi kasalukuyang na hindi nagbabago sa temperatura. Ito medyo mataas na boltahe sa isang solong aparato ay nagbibigay daan sa isang pagbabawas sa boltahe pagpaparami yugto kinakailangan sa tipikal na mataas na boltahe generator circuits, sa pamamagitan ng paggamit ng mas mataas na AC input boltahe. Ang malapit sa ideal na mga katangian ng paglipat ay nagpapahintulot sa pag aalis / dramatikong pagbabawas ng boltahe pagbabalanse ng mga network at snubber circuit. Ang TO-220 Full Pack overmolded isolated package ay nagtatampok ng industry standard form factor na may nadagdagan pin spacing in through hole assemblies.

"Ang pag aalok ng produktong ito ay nagmula sa mga taon ng napapanatiling pagsisikap sa GeneSiC. Naniniwala kami na ang 3300 V rating ay isang key differentiator para sa mataas na boltahe generator market, at ay magbibigay daan sa makabuluhang mga benepisyo sa aming mga customer. GeneSic's mababang VF, mababang capacitance SiC Schottky Rectifiers ay nagbibigay daan sa breakthrough na ito produkto” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

3300 V / 0.3 Isang SiC Rectifier Mga Highlight ng Teknikal

• On-state Drop ng 1.7 V sa 0.3 Isang
• Positibong temperatura kape sa VF
• T_jmax = 175^oC
• Singil sa capacitive 52 nC (karaniwang).

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Buong Pack) mga pakete. Ang mga aparato ay agad na magagamit mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSiC, Digikey.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, bisitahin mo na lang www.genesicsemi.com

Mataas na Boltahe circuits at assemblies upang makinabang mula sa SiC chips na nag aalok ng walang uliran rating boltahe at ultra mataas na bilis ng paglipat

Dulles, Virginia., Nobyembre 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ipahayag ang agarang availability ng 8000 V SiC PiN Rectifiers; 8000 V SiC Schottky Rectifiers, 3300 V SiC Schottky Rectifiers at 6500 V SiC Thyristors sa hubad mamatay format. Ang mga natatanging produkto ay kumakatawan sa pinakamataas na boltahe SiC aparato sa merkado, at ay partikular na naka target patungo sa langis at gas instrumentation, boltahe multiplier circuits at mataas na boltahe assembly.

Kontemporaryong ultra mataas na boltahe circuits magdusa mula sa mababang circuit efficiencies at malalaking sukat dahil ang reverse recovery currents mula sa Silicon rectifiers discharge ang parallel konektado capacitors. Sa mas mataas na rectifier junction temperatura, sitwasyong ito worsens karagdagang dahil ang reverse recovery kasalukuyang sa Silicon rectifiers ay nagdaragdag sa temperatura. Sa thermally hadlang mataas na boltahe assemblies, junction temperatura tumaas lubos madali kahit na kapag disente kasalukuyang ay lumipas. Mataas na Boltahe SiC rectifiers nag aalok ng mga natatanging katangian na nangangako upang revolutionize ang mataas na boltahe assemblies. GeneSiC ni 8000 V at 3300 V Schottky rectifiers tampok zero reverse recovery kasalukuyang na hindi nagbabago sa temperatura. Ito medyo mataas na boltahe sa isang solong aparato ay nagbibigay daan sa isang pagbabawas sa boltahe pagpaparami yugto kinakailangan sa tipikal na mataas na boltahe generator circuits, sa pamamagitan ng paggamit ng mas mataas na AC input boltahe. Ang malapit sa ideal na mga katangian ng paglipat ay nagpapahintulot sa pag aalis / dramatikong pagbabawas ng boltahe pagbabalanse ng mga network at snubber circuit. 8000 V PiN Rectifiers nag aalok ng mas mataas na kasalukuyang antas at mas mataas na temperatura ng pagpapatakbo. 6500 Ang V SiC Thyristor chips ay magagamit din upang mapabilis ang R&D ng mga bagong sistema.

"Ang mga produktong ito ay nagpapakita ng malakas na lead ng GeneSiC sa pag unlad ng SiC chips sa mga rating ng multi kV. Naniniwala kami na ang 8000 Ang rating ng V ay lampas sa kung ano ang maaaring mag alok ng mga aparatong Silicon sa rated na temperatura, at ay magbibigay daan sa makabuluhang mga benepisyo sa aming mga customer. GeneSic's mababang VF, mababang capacitance SiC Rectifiers at Thyristors ay paganahin ang mga benepisyo ng antas ng system hindi posible bago” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Mga Tampok na Teknikal

• T_jmax = 210^oC
• Reverse Leakage Currents < 50 uA ha 175^oC
• Reverse Recovery Charge 558 nC (karaniwang).

8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Mga Mahahalagang Teknikal

• Kabuuang Capacitance 25 pF (karaniwang, ha -1 V, 25^oC).
• Positibong temperatura kape sa VF
• T_jmax = 175^oC

6500 V SiC Thyristor Bare Die Mga Teknikal na Highlight

• Tatlong handog – 80 Mga Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Mga Amperes (GA060TH65-CAU); at 40 Mga Amperes (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^oC

3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Mga Tampok sa Teknikal

• On-state Drop ng 1.7 V sa 0.3 Isang
• Positibong temperatura kape sa VF
• T_jmax = 175^oC
• Singil sa capacitive 52 nC (karaniwang).

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie