Hybrid SiC Schotky Rectifier/Si IGBT Module mula sa GeneSiC ay nagbibigay-kakayahan sa 175°C operasyon

MGA DULLES, VA, Marso 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon ibinalita ang agarang availability ng kanyang ikalawang henerasyon hybrid mini-module gamit ang 1200 V/100 Amperes Sic Schotky Rectifiers na may rugged Silicon IGBTs – ang GB100XCP12-227. Ang pagganap-presyo point kung saan ang produktong ito ay inilabas ay nagbibigay-daan sa maraming mga aplikasyon ng conversion upang makinabang mula sa pagbabawas ng gastos / timbang /timbang /dami na hindi silicon IGBT / Silicon Rectifier solusyon, o isang dalisay na Modulo ng Sic ay maaaring mag-alok ng. Ang mga device na ito ay target na gamitin sa iba't ibang mga application kabilang ang pang-industriya motors, solar inverters, dalubhasa kagamitan at kapangyarihan grid application.

Sic Schotky/Si IGBT mini-module (Co-pack) inaalok ng GeneSiC ay ginawa sa Si IGBTs na eksibit positibong temperatura kape ng on-state drop, matipuno punchrough disenyo, mataas na temperatura operasyon at mabilis paglipat ng mga katangian na kaya ng pagiging itinataboy sa pamamagitan ng komersyal na, karaniwang magagamit 15 V IGBT gate driver. Ang SiC rectifiers na ginamit sa mga co-pack module na ito ay nagbibigay-daan sa lubhang mababang pakete ng pag-inductance, mababang-estado boltahe drop at walang reverse pagbawi. Ang SOT-227 pakete ay nag-aalok ng nakahiwalay na baseplate, 12mm mababang profile disenyo na maaaring gamitin masyadong flexibly bilang isang standalone circuit elemento, mataas na kasalukuyang kahalintulad na kumpigurasyon, isang Binti ng Phase (dalawang modulo), o bilang isang chopper circuit elemento.

“Nakinig kami sa aming mga key customer dahil ang unang nag-aalok ng produktong ito halos 2 taon bumalik. Ang ikalawang henerasyong ito 1200 V /100 A Co-pack produkto ay may isang mababang disenyo ng pag-inductance na ay angkop para sa mataas na dalas, mataas na temperatura application. Ang mahihirap na mataas na temperatura at baligtarin pagbawi katangian ng Silicon diodes kritikal limitado ang paggamit ng IGBTs sa mas mataas na temperatura. GeneSic's mababang VF, mababang kapasidad SiC Schotky Diodes paganahin ang breakdown na ito produkto” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

1200 V/100 Isang SibGBT / Sic Rectifier Technical Highlight

  • On-state Drop ng 1.9 V sa 100 Isang
  • Positibong temperatura kape sa VF
  • Tjmax = 175°C
  • Magbukas-On-Enerhiya Pagkawala 23 microjoules (karaniwang).

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, RoHS compliant industriya-standard SOT-227 pakete. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

GeneSiC introduces Silicon Carbide Junction Transistors

MGA DULLES, VA, Pebrero 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, Telecom at Networking Power Supplies, walang putol na suplay ng kuryente, solar inverters, industrial motor control systems, and downhole applications.

Junction Transistors inaalok ng GeneSiC exhibit ultra-mabilis na paglipat ng kakayahan, isang parisukat na reverse biased ligtas na lugar ng operasyon (RBSOA), pati na rin ang temperatura independiyenteng panandaliang pagkawala ng enerhiya at paglipat ng mga oras. Ang mga switch na ito ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at may kakayahang itaboy ng komersyal na, karaniwang magagamit 15 V IGBT gate driver, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch. Habang nag-aalok ng pagiging tumutugma sa SiC JFET driver, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

As power system designers continue to push the limits of operating frequency, habang pa rin demanding mataas na circuit kahusayan, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Paggamit ng natatanging aparato at tela makabagong-likha, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” sinabi Dr. rantso singh , Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Tatlong handog – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); at 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanoseconds karaniwang.

1200 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); at 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanoseconds karaniwang

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, RoHS komplikadong TO-247 pakete. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.

Bagong Physics Hinahayaan Thyristor Maabot ang Mas Mataas na Antas

MGA DULLES, VA, Agosto 30, 2011 – Bagong Physics Hinahayaan Thyristors Maabot ang Mas Mataas na Antas

Isang electric kapangyarihan grid supplies maaasahan kapangyarihan sa tulong ng mga electronic device na siguraduhin na makinis, maaasahang daloy ng kapangyarihan. Hanggang ngayon, silicon-based assemblies ay umasa sa, ngunit hindi nila kayang hawakan ang mga kinakailangan ng smart grid. Malawak-band-gap materyales tulad ng silicon carbide (Sic) nag-aalok ng isang mas mahusay na alternatibo bilang sila ay may kakayahang mas mataas na bilis ng paglipat, isang mas mataas na breakdown boltahe, mas mababang paglipat pagkalugi, at isang mas mataas na junction temperatura kaysa sa tradisyunal na silicon-based switch. Ang unang tulad sic-based na aparato upang maabot ang merkado ay ang Ultra-mataas na boltahe Silicon Carbide Thyristor (SiC Thyristor), binuo sa pamamagitan ng GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., may suporta mula sa Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., ang US. Kagawaran ng Enerhiya / Kuryente Paghahatid, at ang US. Pananaliksik ng Hukbo/Armament Research, Development at Engineering Center, Picatinny Arsenal, N.J.

Ang mga developer pinagtibay ng isang iba't ibang mga operasyon physics para sa kagamitang ito, na nagpapatakbo sa minorya carrier transportasyon at isang integrated ikatlong terminal rectifier, na kung saan ay isa higit sa iba pang mga komersyal na Sic device. Developer pinagtibay ng isang bagong pamamaraan ng tela na sumusuporta sa mga rating sa itaas 6,500 V, pati na rin ang isang bagong gate-anode disenyo para sa mataas na kasalukuyang mga aparato. May kakayahang gumanap sa temperatura hanggang sa 300 C at kasalukuyang sa 80 Isang, ang Sic Thyristor ay nag-aalok ng hanggang sa 10 beses mas mataas na boltahe, apat na beses na mas mataas na blocking boltahe, at 100 beses mas mabilis paglipat ng dalas kaysa sa silicon-based thyristors.

GeneSiC nanalo ang prestihiyoso R&D100 Award para sa Sic Devices sa Grid-konektado Solar at Wind Enerhiya Applications

MGA DULLES, VA, Hulyo 14, 2011 — R&D Magazine ay napili GeneSic Semiconductor Inc. ng mga Dulles, VA bilang isang tatanggap ng prestihiyoso 2011 R&D 100 Award para sa komersyalisasyon ng Silicon Carbide aparato na may mataas na boltahe rating.

GeneSiC ang Inc, isang mahalagang innovator sa Silicon Carbide batay kapangyarihan aparato ay pinarangalan noong nakaraang linggo sa anunsyo na ito ay iginawad ang prestihiyoso 2011 R&D 100 Award. Ito award kinikilala GeneSiC para sa pagpapakilala ng isa sa mga pinaka-makabuluhang, bagong ipinakilala pananaliksik at pag-unlad advances sa maramihang disiplina sa panahon ng 2010. R&D Magazine kinikilala GeneSiC's Ultra-High Voltage Sic Thyristor para sa kanyang kakayahan upang makamit ang pagharang ng mga boltahe at dalas ay hindi kailanman gumagamit bago patungo sa kapangyarihan electronic demonstrasyon. Ang boltahe rating ng >6.5kV, on-state kasalukuyang rating ng 80 A at operating dalas ng >5 kHz ay mas mataas kaysa sa mga dati ipinakilala sa merkado. Ang mga kakayahang ito na nakamit ng GenesiC's Thyristors kritikal na paganahin ang kapangyarihan electronics mananaliksik upang bumuo ng grid-nakatali inverters, Nabaluktot

AC Transmission System (Katotohanan) at Mataas na Boltahe DC System (HVDC). Ito ay magpapahintulot sa mga bagong imbensyon at mga pag-unlad ng produkto sa loob ng panibagong enerhiya, solar inverters, hangin kapangyarihan inverters, at enerhiya imbakan industriya. Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSiC Semiconductor comented "Ito ay inaasahan na ang malaking-scale market sa solid-estado electrical substations at hangin turbina generators ay bukas up pagkatapos ng mga mananaliksik sa kapangyarihan conversion ay ganap na mapagtanto ang mga benepisyo ng Sic Thyristors. Ginagamit ng mga unang henerasyong ito si Sic Thyristors ang pinakamababang boltahe at iba't ibang pagtutol na nakamit sa Sic Thyristors. Balak naming i-release ang mga darating na henerasyon ng SiC Thyristors optimize para sa Gate-controlled Turn Off kakayahan at pulsed kapangyarihan kakayahan at >10kV rating. Habang patuloy kaming bumuo ng mataas na temperatura ultra-mataas na boltahe packaging solusyon, ang kasalukuyang 6.5kV Thyristors ay nakapakete sa mga modulo na may ganap na malutas na mga contact, limitado sa 150oC junction temperatura." Dahil ang produktong ito ay inilunsad noong Oktubre 2010, GeneSiC ay may booked order mula sa maramihang mga customer patungo sa pagpapamalas ng advanced na kapangyarihan electronics hardware gamit ang mga Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC ay patuloy na bumuo ng kanyang pamilya ng Silicon Carbide Thyristor produkto. Ang R&D sa maagang bersyon para sa power conversion application ay binuo sa pamamagitan ng SBIR pagpopondo suporta mula sa US Dept. ng Enerhiya. Higit pang mga advanced, Pulsed Power optimize SiC Thyristors ay binuo sa ilalim ng isa pang SBIR kontrata sa ARDEC, HUKBONG US. Paggamit ng mga teknikal na pag-unlad na ito, panloob na pamumuhunan mula sa GeneSiC at komersyal na mga order mula sa maramihang mga customer, GeneSiC ay nagawang mag-alok ng mga UHV Thyristors bilang komersyal na mga produkto.

Ang ika-49 na taunang teknolohiya kumpetisyon tumakbo sa pamamagitan ng R&D Magazine sinuri entry mula sa iba't-ibang mga kumpanya at industriya manlalaro, pananaliksik organisasyon at unibersidad sa buong mundo. Ang mga editor ng magasin at isang panel ng mga eksperto ay nagsilbing mga hukom, sinusuri ang bawat entry sa mga tuntunin ng kahalagahan nito sa mundo ng agham at pananaliksik.

Ayon sa R&magasin, nanalo ng R&D 100 Award ay nagbibigay ng isang marka ng kahusayan na kilala sa industriya, pamahalaan, at akademia bilang patunay na ang produkto ay isa sa mga pinaka-makabagong ideya ng taon. Kinikilala ng award na ito ang GeneSiC bilang isang pandaigdigang lider sa paglikha ng mga produktong teknolohiya na gumagawa ng kaibhan sa kung paano tayo nagtatrabaho at nabubuhay.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.

GeneSiC Semiconductor Selected to Showcase Technology at 2011 ARPA-E Energy Innovation Summit

MGA DULLES, VA, Pebrero 28, 2011 – GeneSiC Semiconductor is excited to announce its selection for the prestigious Technology Showcase at the ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, Pangulo, Dr. rantso singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – Marso 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor

GeneSiC ang Inc. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, Hukbo, NASA, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, engineers, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Visit www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Visit www.ct-si.org for more information.

GeneSiC wins power management project from NASA in support of future Venus exploration missions

MGA DULLES, VA, Disyembre 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (Sic) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” sinabi Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETshe added.

GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisita www.genesicsemi.com.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol.

Multi-kHz, Ultra-Mataas na Boltahe Silicon Carbide Thyristors sample sa US Mananaliksik

MGA DULLES, VA, Nobyembre 1, 2010 –Sa una sa kanyang uri ng handog, GeneSiC Semiconductor ibinalita ang availability ng isang pamilya ng 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors para gamitin sa kapangyarihan electronics para sa Smart Grid application. Rebolusyonaryo pagganap bentahe ng mga kapangyarihan aparato ay inaasahang gastusin key innovations sa utility-scale kapangyarihan electronics hardware upang dagdagan ang accessibility at pagsasamantala ng Distribution Enerhiya Resources (DER). "Hanggang ngayon, multi-kV Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan aparato ay hindi bukas na magagamit sa US mananaliksik upang ganap na samantalahin ang mga kilalang bentahe– pangalan 2-10kHz operating frequencies sa 5-15kV rating – ng SiC-based na mga aparato ng kapangyarihan.". rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "GeneSiC ay kamakailan-lamang na nakumpleto paghahatid ng maraming 6.5kV/40A, 6.5kV/60A at 6.5kV/80A Thyristors sa maramihang mga customer na nagsasagawa ng pananaliksik sa panibagong enerhiya, Army at Naval power system application. Ang mga sic device na may mga rating na ito ay inaalok na ngayon ng mas malawak na."

Silicon Carbide batay sa Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors. Target na mga application pananaliksik pagkakataon para sa mga device na ito isama ang pangkalahatang layunin ng daluyan ng voltage kapangyarihan conversion (MVDC), Grid-nakatali solar inverters, hangin kapangyarihan inverters, pulsed kapangyarihan, sistema ng armas, Kontrol ng ignisyon, at mag-trigger control. Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan.

Dr. Singh ay patuloy "Ito ay inaasahan na ang mga malalaking merkado sa solid-estado electrical substations at hangin turbina generators ay bukas up pagkatapos ng mga mananaliksik sa kapangyarihan conversion ay ganap na mapagtanto ang mga benepisyo ng Sic Thyristors. Ginagamit ng mga unang henerasyong ito si Sic Thyristors ang pinakamababang boltahe at iba't ibang pagtutol na nakamit sa Sic Thyristors. Balak naming i-release ang darating na mga henerasyon ng SiC Thyristors optimize para sa Gate-controlled Turn Off kakayahan at >10kV rating. Habang patuloy kaming bumuo ng mataas na temperatura ultra-mataas na boltahe packaging solusyon, ang kasalukuyang 6.5kV Thyristors ay nakapakete sa mga modulo na may ganap na malutas na mga contact, limitado sa 150oC junction temperatura." GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.

Matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahin www.genesicsemi.com.

GeneSiC nanalo $2.53M mula sa ARPA-E patungo sa pag-unlad ng Silicon Carbide Thyristor-based na aparato

MGA DULLES, VA, Setyembre 28, 2010 – Advanced na Pananaliksik Proyekto Ahensiya – Enerhiya (ARPA-E) ay ipinasok sa isang Kasunduan sa Kooperative Kasunduan sa GeneSiC Semiconductor-humantong koponan patungo sa pagbuo ng nobelang ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) Thyristor batay aparato. Ang mga aparatong ito ay inaasahang maging key enable para sa pagsasama-sama ng malakihang hangin at solar power halaman sa susunod na henerasyon Smart Grid.

"Ang mataas na mapagkumpitensyang award na ito sa GeneSiC ay magpapahintulot sa amin na palawain ang aming teknikal na posisyon sa multi-kV Silicon Carbide teknolohiya, pati na rin ang aming pangako sa grid-scale alternatibong mga solusyon enerhiya na may solid estado solusyon," komento Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "Multi-kV Sic Thyristors namin pagbuo ay ang susi na nagbibigay-kakayahang teknolohiya patungo sa pagkaunawa ng Nababaluktot AC Transmission System (Katotohanan) mga elemento at Mataas na Boltahe DC (HVDC) arkitektura envisaged patungo sa isang integrated, mahusay na, Smart Grid ng hinaharap. GeneSiC's Sic-based Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis na paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon sa FACTS at HVDC power processing solusyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors."

Noong Abril 2010, GeneSiC tumugon sa Agile Paghahatid ng Electrical Power Teknolohiya (ADEPT) solicitation mula sa ARPA-E na naghangad na mamuhunan sa mga materyales para sa mga pangunahing advances sa mataas na boltahe switch na may potensyal na lumukso umiiral na kapangyarihan converter pagganap habang nag-aalok ng pagbabawas sa gastos. Ang panukala ng kumpanya na pinamagatang "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor para sa daluyan ng voltage power conversion" ay pinili upang magbigay ng isang magaan na timbang, solid-estado, daluyan ng enerhiya pagbabalik-loob para sa mataas na kapangyarihan application tulad ng solid-estado electrical substations at hangin turbina generators. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan. Makabagong-likha ang napiling suportahan at itaguyod ang US. mga negosyo sa pamamagitan ng teknolohikal na pamumuno, sa pamamagitan ng isang mataas na mapagkumpitensya proseso.

Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may malawak na mas mataas na katangian upang maginoo silicon, tulad ng kakayahang hawakan nang sampung beses ang boltahe—at isandaang beses ang kasalukuyan—sa mga temperatura na kasingtaas 300ºC. Ang mga katangiang ito ay ginagawang angkop sa mataas na kapangyarihan aplikasyon tulad ng hybrid at electric sasakyan, renewable enerhiya (hangin at solar) mga instalasyon, at electrical-grid control system.

Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR Compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Iba pang mga promising application at bentahe para sa mga device na ito isama:

  • Power-management at power-conditioning system para sa Medium Voltage DC conversion na hinangad sa ilalim ng Hinaharap Naval Capability (FNC) ng US Navy, Electro-magnetic ilunsad system, mataas na enerhiya armas system at medikal na imaging. Ang 10-100X mas mataas na operating kakayahan ay nagbibigay-daan sa walang kapantay na pagpapabuti sa laki, timbang, dami at sa huli, gastos ng naturang sistema.
  • Iba't-ibang imbakan ng enerhiya, mataas na temperatura at mataas na enerhiya physics application. Enerhiya imbakan at kapangyarihan grid application ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.

“Lumitaw kami bilang lider sa ultra-mataas na boltahe Sic teknolohiya sa pamamagitan ng leveraging ang aming core competency sa aparato at proseso ng disenyo na may isang malawak na suite ng tela, katangian, at pagsubok pasilidad," concludes Dr. Singh. "Ang posisyon ni GeneSiC ay epektibong napatibay ng US DOE na may makabuluhang follow-on award."

Tungkol sa GeneSic Semiconductor

Estratehikong matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahinwww.genesicsemi.com.

Renewable Enerhiya Thrust Nets GeneSic Semiconductor $1.5M mula sa US Department of Energy

MGA DULLES, VA, Nobyembre 12, 2008 – Ang US Department of Energy ay iginawad GeneSic Semiconductor dalawang magkahiwalay na grants kabuuang $1.5M para sa pagbuo ng mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga device na magsisilbing key enable para sa hangin- at solar-power integration sa kuryente ng bansa grid.

"Ang mga award na ito ay nagpapakita ng tiwala ng DOE sa kakayahan ng GeneSiC, pati na rin ang kanyang pangako sa alternatibong mga solusyon ng enerhiya," tala Dr. rantso singh, pangulo ng GeneSiC. "Isang integrated, mahusay na kapangyarihan grid ay kritikal sa enerhiya ng bansa hinaharap — at ang Sic devices namin pagbuo ay kritikal para sa pagdaig sa mga hindi pagkakapantay-pantay ng mga teknolohiya ng silicon."

Ang unang award ay isang $750k Phase II SBIR grant para sa pagbuo ng mabilis, ultra-mataas na boltahe Sic bipolar aparato. Ang pangalawa ay isang $750k Phase II STTR grant para sa pagbuo ng optika gated mataas na kapangyarihan Sic switch.

Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may kakayahanupang hawakan ang 10x ang boltahe at 100x ang kasalukuyang silicon, paggawa ng ito sa isip angkop sa mataas na kapangyarihan application tulad ng renewable enerhiya (hangin at solar) instalasyon at electrical-grid control system.

Partikular na, ang dalawang award ay para sa:

  • Pagbuo ng mataas na dalas, multi-kilovolt SiC gate-off (GTO) kapangyarihan aparato. Pamahalaan at komersyal na aplikasyon isama ang power-management at kondisyon sistema para sa mga ships, ang industriya ng utility, at medikal na imaging.
  • Disenyo at tela ng optika gated mataas na boltahe, mataas na kapangyarihan Sic lumipat ng mga aparato. Paggamit ng fiber-optics upang lumipat ng kapangyarihan ay isang mainam na solusyon para sa mga kapaligiran na plagued sa pamamagitan ng electro-magnetic interference (EMI), at application na nangangailangan ng ultra-boltahe.

Ang Sic device GeneSiC ay pagbuo ng isang iba't ibang mga imbakan ng enerhiya, kapangyarihan grid, at mga aplikasyong militar, na kung saan ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.

Batay sa labas ng Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, patlang-epekto transistors (MGA FET) at bipolar aparato, pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahin www.genesicsemi.com.