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Articulos tecnicos:
Paquetes de rectificadores híbridos Si-IGBT/SiC y rectificadores SiC JBS
septiembre, 2011 Paquetes de rectificadores híbridos Si-IGBT/SiC y rectificadores SiC JBS
12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
septiembre, 2011 12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
mes de julio, 2012 1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
15 Los diodos kV SiC PiN logran 95% de límite de avalancha y operación estable a largo plazo
mar, 2013 15 Los diodos kV SiC PiN logran 95% de límite de avalancha y operación estable a largo plazo
