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GeneSiC lanza el MPS Schottky SiC 1700V de mejor rendimiento de la industria™ diodos

DULLES, Virginia, enero 7, 2019 — GeneSiC lanza una cartera completa de diodos SiC Schottky MPS ™ de tercera generación de 1700V en paquete TO-247-2

GeneSiC ha introducido GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 y GB50MPS17-247; Los diodos SiC 1700V de mejor rendimiento de la industria disponibles en el popular paquete de orificios pasantes TO-247-2. Estos diodos SiC de 1700 V reemplazan a los diodos de recuperación ultrarrápida basados ​​en silicio y otros JBS SiC de 1700 V de la vieja generación, permitiendo a los ingenieros construir circuitos de conmutación con mayor eficiencia y mayor densidad de potencia. Se espera que las aplicaciones incluyan cargadores rápidos para vehículos eléctricos., accionamientos de motor, suministros de energía para el transporte y energía renovable.

GB50MPS17-247 es un diodo Schottky PiN fusionado SiC de 1700 V 50 A, El diodo de potencia de SiC discreto de corriente nominal más alta de la industria. Estos diodos recién lanzados presentan una baja caída de voltaje directo, recuperación cero hacia adelante, recuperación inversa cero, capacitancia de unión baja y están clasificados para una temperatura máxima de funcionamiento de 175 ° C. La tecnología de diodos Schottky SiC de tercera generación de GeneSiC proporciona resistencia frente a avalanchas y picos de corriente líderes en la industria (Ifsm) robustez, combinado con fundición de 6 pulgadas calificada para automóviles de alta calidad y tecnología avanzada de ensamblaje discreto de alta confiabilidad.

Estos diodos de SiC son reemplazos directos compatibles con clavijas de otros diodos disponibles en el paquete TO-247-2. Beneficiándose de sus menores pérdidas de potencia (funcionamiento más fresco) y capacidad de conmutación de alta frecuencia, Los diseñadores ahora pueden lograr una mayor eficiencia de conversión y una mayor densidad de potencia en los diseños..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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Multi-kHz, Tiristores de carburo de silicio de voltaje ultra alto muestreados para investigadores de EE. UU.

DULLES, Virginia, noviembre 1, 2010 –En una oferta única en su género, GeneSiC Semiconductor anuncia la disponibilidad de una familia de tiristores de carburo de silicio en modo SCR de 6,5 kV para uso en electrónica de potencia para aplicaciones de redes inteligentes. Se espera que las revolucionarias ventajas de rendimiento de estos dispositivos de energía estimulen innovaciones clave en el hardware de la electrónica de potencia a escala de servicios públicos para aumentar la accesibilidad y la explotación de los recursos energéticos distribuidos. (EL). "Hasta ahora, carburo de silicio de varios kV (Sic) los dispositivos de potencia no estaban disponibles abiertamente para que los investigadores de EE. UU. explotaran plenamente las conocidas ventajas, es decir, frecuencias de funcionamiento de 2 a 10 kHz a valores nominales de 5 a 15 kV, de los dispositivos de potencia basados ​​en SiC ". comentó el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC. “GeneSiC ha completado recientemente la entrega de muchos 6.5kV / 40A, 6.5Tiristores kV / 60A y 6.5kV / 80A para múltiples clientes que realizan investigaciones en energías renovables, Aplicaciones del sistema de energía del ejército y la marina. Los dispositivos SiC con estas clasificaciones ahora se ofrecen de manera más amplia ".

Los tiristores basados ​​en carburo de silicio ofrecen un voltaje 10 veces mayor, 100X frecuencias de conmutación más rápidas y funcionamiento a mayor temperatura en comparación con los tiristores convencionales basados ​​en silicio. Las oportunidades de investigación de aplicaciones específicas para estos dispositivos incluyen conversión de energía de voltaje medio de propósito general (MVDC), Inversores solares conectados a la red, inversores de energía eólica, potencia pulsada, sistemas de armas, control de encendido, y control de gatillo. Ahora está bien establecido que voltaje ultra alto (>10kV) Carburo de silicio (Sic) La tecnología de dispositivos jugará un papel revolucionario en la red eléctrica de próxima generación.. Los dispositivos de SiC basados ​​en tiristores ofrecen el mayor rendimiento en estado para >5 dispositivos kV, y son ampliamente aplicables a los circuitos de conversión de potencia de voltaje medio como los limitadores de corriente de falla, Convertidores AC-DC, Compensadores VAR estáticos y compensadores en serie. Los tiristores basados ​​en SiC también ofrecen la mejor posibilidad de adopción temprana debido a sus similitudes con los elementos convencionales de la red eléctrica.. La implementación de estas tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia podría proporcionar tanto como 25-30 reducción porcentual del consumo de electricidad gracias al aumento de la eficiencia en el suministro de energía eléctrica.

Dr. Singh continúa: “Se anticipa que los mercados a gran escala en subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas se abrirán después de que los investigadores en el campo de la conversión de energía se den cuenta plenamente de los beneficios de los tiristores de SiC. Estos tiristores de SiC de primera generación utilizan la caída de voltaje en estado activo más baja demostrada y las resistencias de encendido diferenciales jamás logradas en los tiristores de SiC. Tenemos la intención de lanzar futuras generaciones de tiristores de SiC optimizados para la capacidad de apagado controlado por puerta y >10clasificaciones kV. A medida que continuamos desarrollando soluciones de envasado de voltaje ultra alto para alta temperatura, Los actuales tiristores de 6.5kV están empaquetados en módulos con contactos completamente soldados, limitado a temperaturas de unión de 150 ° C ". GeneSiC es un innovador de rápida aparición en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo.

Ubicado cerca de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, Transistores de superjunción (SJT) y una amplia variedad de dispositivos basados ​​en tiristores. GeneSiC tiene o ha tenido contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visita www.genesicsemi.com.

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GeneSiC gana $ 2.53M de ARPA-E para el desarrollo de dispositivos basados ​​en tiristores de carburo de silicio

DULLES, Virginia, Septiembre 28, 2010 - Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada - Energía (ARPA-E) ha celebrado un acuerdo de cooperación con el equipo liderado por GeneSiC Semiconductor para el desarrollo del nuevo carburo de silicio de ultra alto voltaje (Sic) Dispositivos basados ​​en tiristores. Se espera que estos dispositivos sean habilitadores clave para la integración de plantas de energía eólica y solar a gran escala en la Smart Grid de próxima generación..

“Este premio altamente competitivo para GeneSiC nos permitirá ampliar nuestra posición de liderazgo técnico en la tecnología de carburo de silicio de varios kV, así como nuestro compromiso con las soluciones de energía alternativa a escala de red con soluciones de estado sólido.,”Comentó el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC. “Los tiristores de SiC de varios kV que estamos desarrollando son la tecnología clave para la realización de sistemas de transmisión de CA flexibles (HECHOS) elementos y CC de alto voltaje (HVDC) arquitecturas concebidas para una integración, eficiente, Smart Grid del futuro. Los tiristores basados ​​en SiC de GeneSiC ofrecen un voltaje 10 veces mayor, 100X frecuencias de conmutación más rápidas y operación a mayor temperatura en las soluciones de procesamiento de energía FACTS y HVDC en comparación con los tiristores convencionales basados ​​en silicio ”.

En abril 2010, GeneSiC respondió a la entrega ágil de tecnología de energía eléctrica (ADEPTO) Solicitud de ARPA-E que buscaba invertir en materiales para avances fundamentales en interruptores de alto voltaje que tiene el potencial de superar el rendimiento del convertidor de potencia existente al tiempo que ofrece reducciones en el costo.. La propuesta de la empresa titulada "Tiristor conmutado de ánodo de carburo de silicio para conversión de potencia de media tensión" se seleccionó para proporcionar un peso ligero, de Estado sólido, Conversión de energía de media tensión para aplicaciones de alta potencia, como subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas.. La implementación de estas tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia podría proporcionar tanto como 25-30 reducción porcentual del consumo de electricidad gracias al aumento de la eficiencia en el suministro de energía eléctrica. Las innovaciones seleccionadas fueron para apoyar y promover los EE. UU.. empresas a través del liderazgo tecnológico, a través de un proceso altamente competitivo.

El carburo de silicio es un material semiconductor de próxima generación con propiedades muy superiores al silicio convencional., como la capacidad de manejar diez veces el voltaje y cien veces la corriente a temperaturas tan altas como 300ºC. Estas características lo hacen ideal para aplicaciones de alta potencia como vehículos híbridos y eléctricos., energía renovable (eólica y solar) instalaciones, y sistemas de control de la red eléctrica.

Ahora está bien establecido que voltaje ultra alto (>10kV) Carburo de silicio (Sic) La tecnología de dispositivos jugará un papel revolucionario en la red eléctrica de próxima generación.. Los dispositivos de SiC basados ​​en tiristores ofrecen el mayor rendimiento en estado para >5 dispositivos kV, y son ampliamente aplicables a los circuitos de conversión de potencia de voltaje medio como los limitadores de corriente de falla, Convertidores AC-DC, Compensadores VAR estáticos y compensadores en serie. Los tiristores basados ​​en SiC también ofrecen la mejor posibilidad de adopción temprana debido a sus similitudes con los elementos convencionales de la red eléctrica.. Otras aplicaciones y ventajas prometedoras para estos dispositivos incluyen:

  • Sistemas de gestión y acondicionamiento de energía para la conversión de CC de media tensión que se buscan en el marco de la Capacidad naval futura (FNC) de la Marina de los EE. UU., Sistemas de lanzamiento electromagnéticos, sistemas de armas de alta energía e imágenes médicas. La capacidad de frecuencia operativa 10-100X más alta permite mejoras de tamaño sin precedentes, peso, volumen y finalmente, costo de tales sistemas.
  • Una variedad de almacenamiento de energía., www.genesicsemi.com. Las aplicaciones de almacenamiento de energía y redes eléctricas están recibiendo cada vez más atención a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables..

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo.

“Hemos emergido como líderes en tecnología de SiC de voltaje ultra alto aprovechando nuestra competencia central en el diseño de dispositivos y procesos con una amplia gama de productos de fabricación., caracterización, e instalaciones de prueba,”Concluye el Dr.. www.genesicsemi.com. "La posición de GeneSiC ahora ha sido validada efectivamente por el DOE de EE. UU. Con este importante premio de seguimiento".

Acerca de GeneSiC Semiconductor

Ubicado estratégicamente cerca de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, Transistores de superjunción (SJT) y una amplia variedad de dispositivos basados ​​en tiristores. GeneSiC tiene o ha tenido contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visitawww.genesicsemi.com.

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El impulso de energía renovable genera un semiconductor GeneSiC de 1,5 millones de dólares del Departamento de Energía de EE. UU.

DULLES, Virginia, noviembre 12, 2008 – El Departamento de Energía de EE. UU. Ha otorgado a GeneSiC Semiconductor dos subvenciones separadas por un total de $ 1.5M para el desarrollo de carburo de silicio de alto voltaje. (Sic) dispositivos que servirán como habilitadores clave para el viento- e integración de la energía solar con la red eléctrica del país.

“Estos premios demuestran la confianza del DOE en las capacidades de GeneSiC, así como su apuesta por las soluciones energéticas alternativas,”Señala el Dr.. Ranbir Singh, presidente de GeneSiC. "Un integrado, La red eléctrica eficiente es fundamental para el futuro energético de la nación, y los dispositivos de SiC que estamos desarrollando son fundamentales para superar las ineficiencias de las tecnologías de silicio convencionales ".

El primer premio es una subvención SBIR de la Fase II de $ 750k para el desarrollo de, dispositivos bipolares SiC de ultra alto voltaje. El segundo es una subvención STTR de fase II de $ 750k para el desarrollo de interruptores SiC de alta potencia con compuerta óptica.

El carburo de silicio es un material semiconductor de próxima generación con la capacidad de manejar 10 veces el voltaje y 100 veces la corriente del silicio., lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia como la energía renovable (eólica y solar) instalaciones y sistemas de control de la red eléctrica.

Específicamente, los dos premios son para:

  • Desarrollo de alta frecuencia, apagado de puerta de SiC de varios kilovoltios (GTO) dispositivos de potencia. Las aplicaciones gubernamentales y comerciales incluyen sistemas de acondicionamiento y gestión de energía para barcos., la industria de servicios públicos, e imágenes médicas.
  • Diseño y fabricación de alto voltaje con compuerta óptica, dispositivos de conmutación de SiC de alta potencia. El uso de fibra óptica para cambiar la alimentación es una solución ideal para entornos plagados de interferencias electromagnéticas. (EMI), y aplicaciones que requieren voltajes ultra altos.

Los dispositivos de SiC que GeneSiC está desarrollando sirven para una variedad de almacenamiento de energía, red eléctrica, y aplicaciones militares, que están recibiendo una atención cada vez mayor a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables.

Con sede fuera de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, transistores de efecto de campo (HECHO) y dispositivos bipolares, así como partícula & detectores fotónicos. GeneSiC tiene contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visita www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor recibió múltiples subvenciones SBIR y STTR del Departamento de Energía de EE. UU.

DULLES, Virginia, Octubre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovador en rápido crecimiento de alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos, anunció que se le han otorgado tres subvenciones separadas para pequeñas empresas del Departamento de Energía de EE. UU. durante el año fiscal 2007. GeneSiC utilizará las subvenciones SBIR y STTR para demostrar nuevos dispositivos SiC de alto voltaje para una variedad de almacenamiento de energía., red eléctrica, www.genesicsemi.com. Las aplicaciones de almacenamiento de energía y redes eléctricas están recibiendo cada vez más atención a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables..

“Estamos satisfechos con el nivel de confianza expresado por varias oficinas dentro del Departamento de Energía de EE. UU. Con respecto a nuestras soluciones de dispositivos de alta potencia.. La inyección de esta financiación en nuestros programas de tecnología avanzada de SiC dará como resultado una línea de dispositivos de SiC líder en la industria.,” comentó el presidente de GeneSiC, Dr. Ranbir Singh. “Los dispositivos que se están desarrollando en estos proyectos prometen proporcionar tecnología habilitadora crítica para respaldar una red eléctrica más eficiente., y abrirá la puerta a la nueva tecnología de hardware comercial y militar que no se ha realizado debido a las limitaciones de las tecnologías contemporáneas basadas en silicio.”

Los tres proyectos incluyen:

  • Un nuevo premio SBIR de Fase I centrado en alta corriente, Dispositivos basados ​​en tiristores de varios kV orientados a aplicaciones de almacenamiento de energía.
  • Un premio de seguimiento SBIR de la Fase II por el desarrollo de dispositivos de alimentación de SiC de varios kV para fuentes de alimentación de alto voltaje para aplicaciones de sistemas de RF de alta potencia otorgado por la Oficina de Ciencias del DOE.
  • Un premio STTR de fase I centrado en alto voltaje con compuerta óptica, dispositivos de potencia de SiC de alta frecuencia para entornos ricos en interferencias electromagnéticas, incluidos los sistemas de energía de RF de alta potencia, y sistemas de armas de energía dirigida.

Junto con los premios, GeneSiC ha trasladado recientemente sus operaciones a un edificio de oficinas y laboratorio ampliado en Dulles, www.genesicsemi.com, mejorando significativamente su equipo, infraestructura y está en proceso de agregar personal clave adicional.

“GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes., respaldando eso con acceso a una amplia gama de productos de fabricación, instalaciones de caracterización y ensayo,” concluyó el Dr.. www.genesicsemi.com. “Creemos que esas capacidades han sido validadas eficazmente por el DOE de EE. UU. Con estos premios nuevos y posteriores.”

Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.