DULLES, Virginia, Octubre 20, 2020 — GeneSiC lanza MOSFET de carburo de silicio de 6,5 kV para liderar la vanguardia en la entrega de niveles de rendimiento sin precedentes, eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio, como tracción, energía pulsada e infraestructura de red inteligente.
Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia, hoy anuncia la disponibilidad inmediata de chips desnudos MOSFET SiC de 6.5kV - G2R300MT65-CAL y G2R325MS65-CAL. Próximamente se lanzarán módulos completos de SiC que utilizan esta tecnología. Se espera que las aplicaciones incluyan tracción, potencia pulsada, infraestructura de red inteligente y otros convertidores de potencia de media tensión.
G2R300MT65-CAL - Chip desnudo MOSFET G2R ™ SiC de 6,5 kV y 300 mΩ
G2R325MS65-CAL - MOSFET G2R ™ SiC de 6,5 kV y 325 mΩ (con Schottky integrado) Chip desnudo
G2R100MT65-CAL - Chip desnudo MOSFET G2R ™ SiC de 6.5kV 100mΩ
La innovación de GeneSiC incluye un semiconductor de óxido metálico de doble implantación SiC (DMOSFET) estructura del dispositivo con una barrera de unión schottky (JBS) rectificador integrado en la celda unitaria SiC DMOSFET. Este dispositivo de energía de vanguardia se puede utilizar en una variedad de circuitos de conversión de energía en la próxima generación de sistemas de conversión de energía.. Otras ventajas importantes incluyen un rendimiento bidireccional más eficiente, conmutación independiente de la temperatura, bajas pérdidas de conmutación y conducción, requisitos de enfriamiento reducidos, fiabilidad superior a largo plazo, facilidad de conexión en paralelo de dispositivos y beneficios económicos. La tecnología de GeneSiC ofrece un rendimiento superior y también tiene el potencial de reducir la huella neta de material de SiC en los convertidores de potencia..
“Los MOSFET de SiC de 6.5kV de GeneSiC están diseñados y fabricados en obleas de 6 pulgadas para lograr una baja resistencia en estado, de la máxima calidad, e índice superior de precio-rendimiento. Esta tecnología MOSFET de próxima generación promete un rendimiento ejemplar, robustez superior y confiabilidad a largo plazo en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio.” dijo Dr. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente de tecnología en GeneSiC Semiconductor.
Características de la tecnología MOSFET SiC G2R ™ de 6.5kV de GeneSiC –
- Alta avalancha (UIS) y robustez de cortocircuito
- Superior QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito
- Pérdidas de conmutación independientes de la temperatura
- Capacidades bajas y carga de puerta baja
- Bajas pérdidas a todas las temperaturas
- Funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C
- +20 V / -5 Unidad de puerta V
Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contactar sales@genesicsemi.com
Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.
GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.
