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Los MOSFET G3R ™ de 750 V SiC ofrecen un rendimiento y una fiabilidad incomparables

750MOSFET V G3R SiC

DULLES, Virginia, junio 04, 2021 — Los MOSFET de SiC 750V G3R ™ de última generación de GeneSiC ofrecerán niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen bajas caídas de estado a temperaturas de funcionamiento, velocidades de conmutación más rápidas, mayor densidad de potencia, timbre mínimo (baja EMI) y tamaño de sistema compacto. G3R ™ de GeneSiC, ofrecido en paquetes discretos optimizados de baja inductancia (SMD y agujero pasante), están optimizados para funcionar con las pérdidas de energía más bajas en todas las condiciones de funcionamiento y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los MOSFET SiC contemporáneos..

750MOSFET V G3R SiC

“El uso de energía de alta eficiencia se ha convertido en un producto crítico en los convertidores de energía de próxima generación y los dispositivos de energía SiC continúan siendo los componentes clave que impulsan esta revolución. Después de años de trabajo de desarrollo para lograr la resistencia en estado más baja y un rendimiento robusto contra cortocircuitos y avalanchas, Estamos muy contentos de lanzar los MOSFET de SiC de 750 V de mejor rendimiento de la industria.. Nuestro G3R ™ permite a los diseñadores de electrónica de potencia cumplir con la exigente eficiencia, Densidad de potencia y objetivos de calidad en aplicaciones como inversores solares., Cargadores de vehículos eléctricos a bordo y fuentes de alimentación de servidor / telecomunicaciones. Una calidad asegurada, respaldado por una producción de alto volumen de respuesta rápida y calificada para la industria automotriz mejora aún más su propuesta de valor. ” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • El cargo por puerta más bajo de la industria (QGRAMO) y resistencia interna de la puerta (RG(EN T))
  • R más bajoDS(EN) cambiar con la temperatura
  • Capacitancia de salida baja (Cnosotros) y capacitancia de miler (CGD)
  • 100% avalancha (UIL) probado durante la producción
  • Capacidad de resistencia a cortocircuitos líder en la industria
  • Diodo de cuerpo rápido y confiable con baja VF y bajo QRR
  • Voltaje de umbral de puerta alto y estable (VTH) en todas las condiciones de temperatura y desviación de drenaje
  • Tecnología de envasado avanzada para menor resistencia térmica y menor timbre
  • Uniformidad de fabricación de RDS(EN), VTH y voltaje de ruptura (BV)
  • Cartera de productos completa y cadena de suministro más segura con fabricación de alto volumen calificada para la industria automotriz

Aplicaciones –

  • Solar (PV) Inversores
  • EV / Cargadores a bordo HEV
  • Servidor & Fuentes de alimentación para telecomunicaciones
  • Fuente de poder ininterrumpida (UPS)
  • Convertidores DC-DC
  • Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
  • Almacenamiento de energía y carga de baterías
  • Calentamiento por inducción

Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercio MOSFET de SiC

G3R60MT07K - 750 V 60 mΩ TO-247-4 G3R&comercio MOSFET de SiC

G3R60MT07D - 750 V 60 mΩ TO-247-3 G3R&comercio MOSFET de SiC

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contactar sales@genesicsemi.com

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

Electrónica Digi-Key

Newark Farnell element14

Electrónica de Mouser

Arrow Electronics

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

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MOSFET de SiC de 6,5 kV líderes en la industria de GeneSiC – la vanguardia para una nueva ola de aplicaciones

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginia, Octubre 20, 2020 — GeneSiC lanza MOSFET de carburo de silicio de 6,5 kV para liderar la vanguardia en la entrega de niveles de rendimiento sin precedentes, eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio, como tracción, energía pulsada e infraestructura de red inteligente.

Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia, hoy anuncia la disponibilidad inmediata de chips desnudos MOSFET SiC de 6.5kV - G2R300MT65-CAL y G2R325MS65-CAL. Próximamente se lanzarán módulos completos de SiC que utilizan esta tecnología. Se espera que las aplicaciones incluyan tracción, potencia pulsada, infraestructura de red inteligente y otros convertidores de potencia de media tensión.

G2R300MT65-CAL - Chip desnudo MOSFET G2R ™ SiC de 6,5 kV y 300 mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET G2R ™ SiC de 6,5 kV y 325 mΩ (con Schottky integrado) Chip desnudo

G2R100MT65-CAL - Chip desnudo MOSFET G2R ™ SiC de 6.5kV 100mΩ

La innovación de GeneSiC incluye un semiconductor de óxido metálico de doble implantación SiC (DMOSFET) estructura del dispositivo con una barrera de unión schottky (JBS) rectificador integrado en la celda unitaria SiC DMOSFET. Este dispositivo de energía de vanguardia se puede utilizar en una variedad de circuitos de conversión de energía en la próxima generación de sistemas de conversión de energía.. Otras ventajas importantes incluyen un rendimiento bidireccional más eficiente, conmutación independiente de la temperatura, bajas pérdidas de conmutación y conducción, requisitos de enfriamiento reducidos, fiabilidad superior a largo plazo, facilidad de conexión en paralelo de dispositivos y beneficios económicos. La tecnología de GeneSiC ofrece un rendimiento superior y también tiene el potencial de reducir la huella neta de material de SiC en los convertidores de potencia..

“Los MOSFET de SiC de 6.5kV de GeneSiC están diseñados y fabricados en obleas de 6 pulgadas para lograr una baja resistencia en estado, de la máxima calidad, e índice superior de precio-rendimiento. Esta tecnología MOSFET de próxima generación promete un rendimiento ejemplar, robustez superior y confiabilidad a largo plazo en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio.” dijo Dr. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente de tecnología en GeneSiC Semiconductor.

Características de la tecnología MOSFET SiC G2R ™ de 6.5kV de GeneSiC –

  • Alta avalancha (UIS) y robustez de cortocircuito
  • Superior QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito
  • Pérdidas de conmutación independientes de la temperatura
  • Capacidades bajas y carga de puerta baja
  • Bajas pérdidas a todas las temperaturas
  • Funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C
  • +20 V / -5 Unidad de puerta V

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contactar sales@genesicsemi.com

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.