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Los MOSFET G3R ™ de 750 V SiC ofrecen un rendimiento y una fiabilidad incomparables

750MOSFET V G3R SiC

DULLES, Virginia, junio 04, 2021 — Los MOSFET de SiC 750V G3R ™ de última generación de GeneSiC ofrecerán niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen bajas caídas de estado a temperaturas de funcionamiento, velocidades de conmutación más rápidas, mayor densidad de potencia, timbre mínimo (baja EMI) y tamaño de sistema compacto. G3R ™ de GeneSiC, ofrecido en paquetes discretos optimizados de baja inductancia (SMD y agujero pasante), están optimizados para funcionar con las pérdidas de energía más bajas en todas las condiciones de funcionamiento y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los MOSFET SiC contemporáneos..

750MOSFET V G3R SiC

“El uso de energía de alta eficiencia se ha convertido en un producto crítico en los convertidores de energía de próxima generación y los dispositivos de energía SiC continúan siendo los componentes clave que impulsan esta revolución. Después de años de trabajo de desarrollo para lograr la resistencia en estado más baja y un rendimiento robusto contra cortocircuitos y avalanchas, Estamos muy contentos de lanzar los MOSFET de SiC de 750 V de mejor rendimiento de la industria.. Nuestro G3R ™ permite a los diseñadores de electrónica de potencia cumplir con la exigente eficiencia, Densidad de potencia y objetivos de calidad en aplicaciones como inversores solares., Cargadores de vehículos eléctricos a bordo y fuentes de alimentación de servidor / telecomunicaciones. Una calidad asegurada, respaldado por una producción de alto volumen de respuesta rápida y calificada para la industria automotriz mejora aún más su propuesta de valor. ” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • El cargo por puerta más bajo de la industria (QGRAMO) y resistencia interna de la puerta (RG(EN T))
  • R más bajoDS(EN) cambiar con la temperatura
  • Capacitancia de salida baja (Cnosotros) y capacitancia de miler (CGD)
  • 100% avalancha (UIL) probado durante la producción
  • Capacidad de resistencia a cortocircuitos líder en la industria
  • Diodo de cuerpo rápido y confiable con baja VF y bajo QRR
  • Voltaje de umbral de puerta alto y estable (VTH) en todas las condiciones de temperatura y desviación de drenaje
  • Tecnología de envasado avanzada para menor resistencia térmica y menor timbre
  • Uniformidad de fabricación de RDS(EN), VTH y voltaje de ruptura (BV)
  • Cartera de productos completa y cadena de suministro más segura con fabricación de alto volumen calificada para la industria automotriz

Aplicaciones –

  • Solar (PV) Inversores
  • EV / Cargadores a bordo HEV
  • Servidor & Fuentes de alimentación para telecomunicaciones
  • Fuente de poder ininterrumpida (UPS)
  • Convertidores DC-DC
  • Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
  • Almacenamiento de energía y carga de baterías
  • Calentamiento por inducción

Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercio MOSFET de SiC

G3R60MT07K - 750 V 60 mΩ TO-247-4 G3R&comercio MOSFET de SiC

G3R60MT07D - 750 V 60 mΩ TO-247-3 G3R&comercio MOSFET de SiC

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contactar sales@genesicsemi.com

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

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Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

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GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 por interruptor rectificador-transistor monolítico basado en SiC

DULLES, Virginia, diciembre 5, 2019 — R&D Magazine ha seleccionado GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como receptor del prestigioso 2019 R&D 100 Premio por el desarrollo del conmutador rectificador de transistor monolítico basado en SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovador clave en los dispositivos de potencia basados ​​en carburo de silicio fue honrado con el anuncio de que ha sido galardonado con el prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Este premio reconoce a GeneSiC por presentar uno de los más significativos, avances de investigación y desarrollo recientemente introducidos entre múltiples disciplinas durante 2018. R&D Magazine reconoció la tecnología de dispositivo de potencia SiC de voltaje medio de GeneSiC por su capacidad para integrar monolíticamente MOSFET y rectificador Schottky en un solo chip. Estas capacidades logradas por el dispositivo de GeneSiC permiten a los investigadores de electrónica de potencia desarrollar sistemas electrónicos de potencia de próxima generación, como inversores y convertidores CC-CC.. Esto permitirá el desarrollo de productos dentro de los vehículos eléctricos., infraestructura de carga, industrias de energías renovables y almacenamiento de energía. GeneSiC ha reservado pedidos de varios clientes para la demostración de hardware de electrónica de potencia avanzada que utiliza estos dispositivos y continúa desarrollando su familia de productos MOSFET de carburo de silicio.. El r&D en la versión anterior para aplicaciones de conversión de energía se desarrolló a través del Departamento de EE. UU.. de Energía y colaboración con Sandia National Laboratories.

El concurso tecnológico anual dirigido por R&D Magazine evaluó las entradas de varias empresas y actores de la industria., organizaciones de investigación y universidades de todo el mundo. Los editores de la revista y un panel de expertos externos actuaron como jueces., evaluando cada entrada en términos de su importancia para el mundo de la ciencia y la investigación.

Según R.&Revista D, ganar una R&D 100 El premio proporciona una marca de excelencia conocida en la industria, gobierno, y la academia como prueba de que el producto es una de las ideas más innovadoras del año. Este premio reconoce a GeneSiC como líder mundial en la creación de productos basados ​​en tecnología que marcan la diferencia en nuestra forma de trabajar y vivir..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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GeneSiC gana $ 2.53M de ARPA-E para el desarrollo de dispositivos basados ​​en tiristores de carburo de silicio

DULLES, Virginia, Septiembre 28, 2010 - Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada - Energía (ARPA-E) ha celebrado un acuerdo de cooperación con el equipo liderado por GeneSiC Semiconductor para el desarrollo del nuevo carburo de silicio de ultra alto voltaje (Sic) Dispositivos basados ​​en tiristores. Se espera que estos dispositivos sean habilitadores clave para la integración de plantas de energía eólica y solar a gran escala en la Smart Grid de próxima generación..

“Este premio altamente competitivo para GeneSiC nos permitirá ampliar nuestra posición de liderazgo técnico en la tecnología de carburo de silicio de varios kV, así como nuestro compromiso con las soluciones de energía alternativa a escala de red con soluciones de estado sólido.,”Comentó el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC. “Los tiristores de SiC de varios kV que estamos desarrollando son la tecnología clave para la realización de sistemas de transmisión de CA flexibles (HECHOS) elementos y CC de alto voltaje (HVDC) arquitecturas concebidas para una integración, eficiente, Smart Grid del futuro. Los tiristores basados ​​en SiC de GeneSiC ofrecen un voltaje 10 veces mayor, 100X frecuencias de conmutación más rápidas y operación a mayor temperatura en las soluciones de procesamiento de energía FACTS y HVDC en comparación con los tiristores convencionales basados ​​en silicio ”.

En abril 2010, GeneSiC respondió a la entrega ágil de tecnología de energía eléctrica (ADEPTO) Solicitud de ARPA-E que buscaba invertir en materiales para avances fundamentales en interruptores de alto voltaje que tiene el potencial de superar el rendimiento del convertidor de potencia existente al tiempo que ofrece reducciones en el costo.. La propuesta de la empresa titulada "Tiristor conmutado de ánodo de carburo de silicio para conversión de potencia de media tensión" se seleccionó para proporcionar un peso ligero, de Estado sólido, Conversión de energía de media tensión para aplicaciones de alta potencia, como subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas.. La implementación de estas tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia podría proporcionar tanto como 25-30 reducción porcentual del consumo de electricidad gracias al aumento de la eficiencia en el suministro de energía eléctrica. Las innovaciones seleccionadas fueron para apoyar y promover los EE. UU.. empresas a través del liderazgo tecnológico, a través de un proceso altamente competitivo.

El carburo de silicio es un material semiconductor de próxima generación con propiedades muy superiores al silicio convencional., como la capacidad de manejar diez veces el voltaje y cien veces la corriente a temperaturas tan altas como 300ºC. Estas características lo hacen ideal para aplicaciones de alta potencia como vehículos híbridos y eléctricos., energía renovable (eólica y solar) instalaciones, y sistemas de control de la red eléctrica.

Ahora está bien establecido que voltaje ultra alto (>10kV) Carburo de silicio (Sic) La tecnología de dispositivos jugará un papel revolucionario en la red eléctrica de próxima generación.. Los dispositivos de SiC basados ​​en tiristores ofrecen el mayor rendimiento en estado para >5 dispositivos kV, y son ampliamente aplicables a los circuitos de conversión de potencia de voltaje medio como los limitadores de corriente de falla, Convertidores AC-DC, Compensadores VAR estáticos y compensadores en serie. Los tiristores basados ​​en SiC también ofrecen la mejor posibilidad de adopción temprana debido a sus similitudes con los elementos convencionales de la red eléctrica.. Otras aplicaciones y ventajas prometedoras para estos dispositivos incluyen:

  • Sistemas de gestión y acondicionamiento de energía para la conversión de CC de media tensión que se buscan en el marco de la Capacidad naval futura (FNC) de la Marina de los EE. UU., Sistemas de lanzamiento electromagnéticos, sistemas de armas de alta energía e imágenes médicas. La capacidad de frecuencia operativa 10-100X más alta permite mejoras de tamaño sin precedentes, peso, volumen y finalmente, costo de tales sistemas.
  • Una variedad de almacenamiento de energía., www.genesicsemi.com. Las aplicaciones de almacenamiento de energía y redes eléctricas están recibiendo cada vez más atención a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables..

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo.

“Hemos emergido como líderes en tecnología de SiC de voltaje ultra alto aprovechando nuestra competencia central en el diseño de dispositivos y procesos con una amplia gama de productos de fabricación., caracterización, e instalaciones de prueba,”Concluye el Dr.. www.genesicsemi.com. "La posición de GeneSiC ahora ha sido validada efectivamente por el DOE de EE. UU. Con este importante premio de seguimiento".

Acerca de GeneSiC Semiconductor

Ubicado estratégicamente cerca de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, Transistores de superjunción (SJT) y una amplia variedad de dispositivos basados ​​en tiristores. GeneSiC tiene o ha tenido contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visitawww.genesicsemi.com.