Etiqueta: G3R ™

DULLES, Virginia, Febrero 12, 2020 — MOSFET de SiC 1200V G3R ™ de última generación de GeneSiC Semiconductor con RDS(EN) niveles que van desde 20 mΩ a 350 mΩ ofrece niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen una mayor eficiencia, frecuencia de conmutación más rápida, mayor densidad de potencia, timbre reducido (EMI) y tamaño de sistema compacto.

GeneSiC anuncia la disponibilidad de sus MOSFET de carburo de silicio de tercera generación líderes en la industria que cuentan con un rendimiento líder en la industria, robustez y calidad para aprovechar niveles nunca antes vistos de eficiencia y confiabilidad del sistema en aplicaciones automotrices e industriales.

Estos MOSFET de SiC G3R ™, ofrecido en paquetes discretos optimizados de baja inductancia (SMD y agujero pasante), están altamente optimizados para diseños de sistemas de energía que requieren niveles elevados de eficiencia y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los productos de la competencia.. Una calidad asegurada, respaldado por una fabricación de alto volumen de respuesta rápida mejora aún más su propuesta de valor.

“Después de años de trabajo de desarrollo para lograr la resistencia en estado más baja y un mejor rendimiento en cortocircuitos, Estamos entusiasmados de lanzar los MOSFET de 1200 V SiC de mejor rendimiento de la industria con más de 15+ productos discretos y desnudos. Si los sistemas de electrónica de potencia de próxima generación van a cumplir con la desafiante eficiencia, Densidad de potencia y objetivos de calidad en aplicaciones como la automoción., industrial, energía renovable, transporte, TI y telecomunicaciones, luego requieren un rendimiento y una confiabilidad del dispositivo significativamente mejorados en comparación con los MOSFET de SiC actualmente disponibles” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

• Superior Q_GRAMO x R_DS(EN) figura de mérito – Los MOSFET de SiC G3R ™ cuentan con la resistencia en estado más baja de la industria con una carga de puerta muy baja, resultando en 20% mejor figura de mérito que cualquier otro dispositivo similar de la competencia
• Pérdidas de conducción bajas a todas las temperaturas – Los MOSFET de GeneSiC presentan la dependencia de temperatura más suave de la resistencia en estado para ofrecer pérdidas de conducción muy bajas a todas las temperaturas.; significativamente mejor que cualquier otro MOSFET de SiC plano y de trinchera del mercado
• 100 % avalancha probado – La sólida capacidad de UIL es un requisito fundamental para la mayoría de las aplicaciones de campo. Los MOSFET discretos de 1200 V SiC de GeneSiC son 100 % avalancha (UIL) probado durante la producción
• Carga de puerta baja y resistencia de puerta interna baja – Estos parámetros son fundamentales para lograr una conmutación ultrarrápida y lograr la máxima eficiencia. (bajo Eon -Eoff) en una amplia gama de frecuencias de conmutación de aplicaciones
• Funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C – Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC están diseñados y fabricados con procesos de vanguardia para ofrecer productos que son estables y confiables en todas las condiciones de operación sin ningún riesgo de mal funcionamiento.. La calidad superior de óxido de puerta de estos dispositivos evita cualquier umbral (V_TH) deriva
• Capacidades de dispositivo bajas – G3R ™ están diseñados para conducir más rápido y más eficientemente con sus bajas capacitancias de dispositivos - Ciss, Coss y Crss
• Diodo de cuerpo rápido y confiable con baja carga intrínseca – Los MOSFET de GeneSiC cuentan con una carga de recuperación inversa baja de referencia (Q_RR) a todas las temperaturas; 30% mejor que cualquier dispositivo de la competencia con calificación similar. Esto ofrece una mayor reducción de las pérdidas de energía y aumenta las frecuencias de funcionamiento.
• Facilidad de uso – Los MOSFET de SiC G3R ™ están diseñados para funcionar a + 15V / -5Unidad de puerta V. Esto ofrece la más amplia compatibilidad con los controladores de puerta IGBT y SiC MOSFET comerciales existentes.

Aplicaciones –

• Vehículo eléctrico – Tren de fuerza y ​​carga
• Inversor solar y almacenamiento de energía
• Accionamiento de motor industrial
• Fuente de poder ininterrumpible (UPS)
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Convertidores DC-DC bidireccionales
• Smart Grid y HVDC
• Calentamiento y soldadura por inducción
• Aplicación de energía pulsada

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

Electrónica Digi-Key

Newark Farnell element14

Electrónica de Mouser

Arrow Electronics

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contactar sales@genesicsemi.com

Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP. Todos los dispositivos se ofrecen en el estándar de la industria D2PAK, Paquetes TO-247 y SOT-227.

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.