GeneSiC Semiconductor Inc, un innovador clave en los dispositivos de potencia basados en carburo de silicio fue honrado con el anuncio de que ha sido galardonado con el prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Este premio reconoce a GeneSiC por presentar uno de los más significativos, avances de investigación y desarrollo recientemente introducidos entre múltiples disciplinas durante 2018. R&D Magazine reconoció la tecnología de dispositivo de potencia SiC de voltaje medio de GeneSiC por su capacidad para integrar monolíticamente MOSFET y rectificador Schottky en un solo chip. Estas capacidades logradas por el dispositivo de GeneSiC permiten a los investigadores de electrónica de potencia desarrollar sistemas electrónicos de potencia de próxima generación, como inversores y convertidores CC-CC.. Esto permitirá el desarrollo de productos dentro de los vehículos eléctricos., infraestructura de carga, industrias de energías renovables y almacenamiento de energía. GeneSiC ha reservado pedidos de varios clientes para la demostración de hardware de electrónica de potencia avanzada que utiliza estos dispositivos y continúa desarrollando su familia de productos MOSFET de carburo de silicio.. El r&D en la versión anterior para aplicaciones de conversión de energía se desarrolló a través del Departamento de EE. UU.. de Energía y colaboración con Sandia National Laboratories.
El concurso tecnológico anual dirigido por R&D Magazine evaluó las entradas de varias empresas y actores de la industria., organizaciones de investigación y universidades de todo el mundo. Los editores de la revista y un panel de expertos externos actuaron como jueces., evaluando cada entrada en términos de su importancia para el mundo de la ciencia y la investigación.
Según R.&Revista D, ganar una R&D 100 El premio proporciona una marca de excelencia conocida en la industria, gobierno, y la academia como prueba de que el producto es una de las ideas más innovadoras del año. Este premio reconoce a GeneSiC como líder mundial en la creación de productos basados en tecnología que marcan la diferencia en nuestra forma de trabajar y vivir..
Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.
GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.
