Rectificadores Schottky de carburo de silicio extendidos a 3300 Clasificaciones de voltios

Ensambles de alto voltaje para beneficiarse de estos rectificadores de baja capacitancia que ofrecen corrientes de recuperación inversa cero independientes de la temperatura en paquetes aislados

Cascadas del río Thief / Dulles, Virginia., Mayo 28, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) Los semiconductores de potencia anuncian la disponibilidad inmediata de 3300 Rectificadores Schottky de SiC de V / 0,3 amperios – el GAP3SLT33-220FP. Este producto único representa el rectificador de SiC de voltaje más alto del mercado., y está específicamente dirigido a circuitos multiplicadores de voltaje y ensamblajes de alto voltaje utilizados en una amplia gama de rayos X, Fuentes de alimentación para generadores de partículas y láser.3300 V SiC diodo Schottky GeneSiC

Los circuitos multiplicadores de voltaje contemporáneos sufren de bajas eficiencias de circuito y grandes tamaños porque las corrientes de recuperación inversa de los rectificadores de silicio descargan los capacitores conectados en paralelo.. A temperaturas de unión del rectificador más altas, esta situación empeora porque la corriente de recuperación inversa en los rectificadores de silicio aumenta con la temperatura. Con limitaciones térmicas en conjuntos de alta tensión, Las temperaturas de unión aumentan con bastante facilidad incluso cuando se pasan corrientes moderadas.. Los rectificadores de SiC de alto voltaje ofrecen características únicas que prometen revolucionar los ensambles de alto voltaje. GeneSiC’s 3300 Los rectificadores Schottky V / 0.3 A cuentan con corriente de recuperación inversa cero que no cambia con la temperatura. Este voltaje relativamente alto en un solo dispositivo permite una reducción en las etapas de multiplicación de voltaje requeridas en los circuitos generadores de alto voltaje típicos, mediante el uso de voltajes de entrada de CA más altos. Las características de conmutación casi ideales permiten la eliminación / reducción drástica de las redes de equilibrio de voltaje y los circuitos amortiguadores.. El paquete aislado sobremoldeado TO-220 Full Pack presenta un factor de forma estándar de la industria con mayor espaciado de clavijas en ensamblajes de orificios pasantes.3300 V SiC diodo Schottky SMB GeneSiC

“Esta oferta de productos proviene de años de esfuerzos sostenidos en GeneSiC. Creemos el 3300 La clasificación V es un diferenciador clave para el mercado de generadores de alto voltaje, y permitirá importantes beneficios a nuestros clientes. VF bajo de GeneSiC, Los rectificadores Schottky de SiC de baja capacitancia permiten este producto innovador” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

3300 Características técnicas del rectificador V / 0.3 A SiC

  • Gota en estado de 1.7 IVA 0.3 UN
  • Coeficiente de temperatura positivo en VF
  • Tjmax = 175OC
  • Carga capacitiva 52 Carolina del Norte (típico).

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, TO-220FP estándar de la industria compatible con RoHS (Paquete completo) paquetes. Los dispositivos están disponibles de inmediato en el distribuidor autorizado de GeneSiC, Digikey.

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

Para más información, visite www.genesicsemi.com