Circuitos y conjuntos de alto voltaje para beneficiarse de los chips de SiC que ofrecen clasificaciones de voltaje sin precedentes y conmutación de velocidad ultra alta
Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) Los semiconductores de potencia anuncian la disponibilidad inmediata de 8000 Rectificadores V SiC PiN; 8000 Rectificadores Schottky V SiC, 3300 Rectificadores Schottky V SiC y 6500 Tiristores V SiC en formato de matriz desnuda. Estos productos únicos representan los dispositivos de SiC de voltaje más alto del mercado., y está específicamente dirigido a la instrumentación de petróleo y gas., circuitos multiplicadores de voltaje y conjuntos de alto voltaje.
Los circuitos contemporáneos de voltaje ultra alto sufren de bajas eficiencias de circuito y grandes tamaños porque las corrientes de recuperación inversa de los rectificadores de silicio descargan los condensadores conectados en paralelo.. A temperaturas de unión del rectificador más altas, esta situación empeora aún más ya que la corriente de recuperación inversa en los rectificadores de silicio aumenta con la temperatura. Con limitaciones térmicas en conjuntos de alta tensión, Las temperaturas de unión aumentan con bastante facilidad incluso cuando se pasan corrientes moderadas.. Los rectificadores de SiC de alto voltaje ofrecen características únicas que prometen revolucionar los ensambles de alto voltaje. GeneSiC’s 8000 V y 3300 Los rectificadores V Schottky cuentan con una corriente de recuperación inversa cero que no cambia con la temperatura. Este voltaje relativamente alto en un solo dispositivo permite una reducción en las etapas de multiplicación de voltaje requeridas en los circuitos generadores de alto voltaje típicos, mediante el uso de voltajes de entrada de CA más altos. Las características de conmutación casi ideales permiten la eliminación / reducción drástica de las redes de equilibrio de voltaje y los circuitos amortiguadores.. 8000 Los rectificadores V PiN ofrecen niveles de corriente más altos y temperaturas de funcionamiento más altas. 6500 Los chips de tiristor V SiC también están disponibles para acelerar R&D de nuevos sistemas.
“Estos productos muestran el sólido liderazgo de GeneSiC en el desarrollo de chips de SiC en las clasificaciones de varios kV. Creemos el 8000 La clasificación V va más allá de lo que pueden ofrecer los dispositivos de silicio a temperaturas nominales, y permitirá importantes beneficios a nuestros clientes. VF bajo de GeneSiC, Los rectificadores y tiristores de SiC de baja capacitancia permitirán beneficios a nivel del sistema que antes no eran posibles” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
8000 Características técnicas del rectificador PiN de matriz desnuda V / 2 A SiC
- Tjmax = 210OC
- Corrientes de fuga inversa < 50 uA en 175OC
- Cargo de recuperación inversa 558 Carolina del Norte (típico).
8000 Características técnicas del rectificador Schottky de matriz desnuda V / 50 mA SiC
- Capacitancia total 25 pF (típico, a -1 V, 25OC).
- Coeficiente de temperatura positivo en VF
- Tjmax = 175OC
6500 Características técnicas destacadas del tiristor V SiC Bare Die
- Tres ofrendas - 80 Amperios (GA080TH65-CAU); 60 Amperios (GA060TH65-CAU); http 40 Amperios (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200OC
3300 Características técnicas del rectificador de matriz desnuda V / 0.3 A SiC
- Gota en estado de 1.7 IVA 0.3 UN
- Coeficiente de temperatura positivo en VF
- Tjmax = 175OC
- Carga capacitiva 52 Carolina del Norte (típico).
Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.
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