GeneSiC prospera para ofrecer los mejores diseños posibles impulsados por el cliente al proporcionar dispositivos de energía de SiC con un índice de rendimiento de costo superior, alta robustez y alta calidad.
Las aplicaciones incluyen:
- Diodo de refuerzo en la corrección del factor de potencia (PFC)
- Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
- Vehículos eléctricos – Tren de fuerza, Convertidor DC-DC y carga a bordo
- Infraestructura de carga extremadamente rápida
- Inversores solares y almacenamiento de energía
- Tracción
- Fuentes de alimentación para centros de datos
- Calentamiento y soldadura por inducción
- Convertidores CC-CC de alto voltaje
- Rueda libre / Diodo anti-paralelo
- Iluminación LED y HID
- Sistemas de imágenes médicas
- Convertidores de potencia para perforación petrolera de fondo de pozo
- Detección de alto voltaje
- Poder pulsado
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Para aplicaciones de detección de alto voltaje como protección DE-SAT y circuitos de arranque de accionamiento de compuerta de interruptor de lado alto, los paquetes DO-214 y TO-252-2 son soluciones ideales.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
El paquete TO-247-3 ofrece una gran flexibilidad para una mayor densidad de potencia y reducción de la lista de materiales en aplicaciones como la corrección del factor de potencia. (PFC) inter que comparten un cátodo común entre dos diodos.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
notas de aplicación:
AN-1 1200 Diodos V Schottky con alturas de barrera invariantes a la temperatura y factores de idealidad
Oct 2010 AN-1 1200 Diodos V Schottky con alturas de barrera invariantes a la temperatura y factores de idealidad
AN-2 1200 Diodos V SiC JBS con carga de recuperación inversa capacitiva ultrabaja para aplicaciones de conmutación rápida
Oct 2010 AN-2 1200 Diodos V SiC JBS con carga de recuperación inversa capacitiva ultrabaja para aplicaciones de conmutación rápida
Fiabilidad del diodo de potencia AN1001 SiC
Septiembre, 2018Fiabilidad del diodo de potencia AN1001 SiC
AN1002 Comprensión de la hoja de datos de un diodo Schottky de potencia SiC
Septiembre, 2018AN1002 Comprensión de la hoja de datos de un diodo Schottky de potencia SiC
Instrucciones de uso del modelo AN1003 SPICE
diciembre, 2018Instrucciones de uso del modelo AN1003 SPICE
Articulos tecnicos:
Rectificadores de SiC PiN de alta potencia
dic, 2005 Rectificadores de SiC PiN de alta potencia
Rectificadores SiC PiN de alta potencia
jun, 2007 Rectificadores SiC PiN de alta potencia
Detección rápida de neutrones con detectores semi-aislantes de carburo de silicio
jun, 2008 Detección rápida de neutrones con detectores semi-aislantes de carburo de silicio
Desarrollo de detectores de radiación basados en carburo de silicio semi-aislante
Oct, 2008 Desarrollo de detectores de radiación basados en carburo de silicio semi-aislante
Correlación entre el tiempo de vida de la recombinación de portadora y la caída de voltaje directo en diodos PiN 4H-SiC
septiembre, 2010 Correlación entre el tiempo de vida de la recombinación de portadora y la caída de voltaje directo en diodos PiN 4H-SiC
