Descargar la guía de selección de productos
Los MOSFET de SiC G3R ™ de GeneSiC presentan un rendimiento líder en la industria en conmutación de alto voltaje para aprovechar niveles de eficiencia nunca antes vistos, funcionamiento a alta temperatura y fiabilidad del sistema.
Caracteristicas:
- Tecnología G3R ™ para +15 V Gate Drive
- Superior QGRAMO x RDS(EN) Figura de mérito
- Capacidades de dispositivo y carga de puerta baja
- Pérdidas bajas por conducción a alta temperatura
- Resistencia superior a avalanchas y cortocircuitos
- Funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C
- Diodo de cuerpo rápido y confiable
- Empaque optimizado con conexión de fuente Kelvin
Beneficios:
- Índice superior de costo-rendimiento
- Mayor densidad de potencia para sistemas compactos
- R interna bajaGRAMO para operación de alta frecuencia de conmutación
- Pérdidas reducidas para una mayor eficiencia del sistema
- Timbre de puerta minimizado
- Capacidades térmicas mejoradas
- Fácil de conducir
- Facilidad de paralelo sin fuga térmica
Aplicaciones:
- Vehículos eléctricos: tren de fuerza y carga
- Inversores solares y almacenamiento de energía
- Smart Grid y HVDC
- Accionamientos de motor
- Convertidores CC-CC y CA-CC de alto voltaje
- Calentamiento y soldadura por inducción
- Fuentes de alimentación de modo conmutado
- Aplicaciones de energía pulsada
750MOSFET V SiC
| Sobre la resistencia, RDS(EN) | Chip desnudo | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 metroΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 metroΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 metroΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200MOSFET V SiC
| Sobre la resistencia, RDS(EN) | Chip desnudo | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 metroΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 metroΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 metroΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 metroΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 metroΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 metroΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 metroΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 metroΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700MOSFET V SiC
| Sobre la resistencia, RDS(EN) | Chip desnudo | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 metroΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 metroΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 metroΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 metroΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 metroΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300MOSFET V SiC
| Sobre la resistencia, RDS(EN) | Chip desnudo | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 metroΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 metroΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 metroΩ | G2R1000MT33J |
6500MOSFET V SiC
| Sobre la resistencia, RDS(EN) | Chip desnudo |
|---|---|
|
|
| 300 metroΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 metroΩ | G2R325MS65-CAL |
