Semiconductor GeneSiC, C ª - Eficiencia energética a través de la innovación
Número de piezaVoltaje de bloqueo (V)Resistencia (RDSON) (metroΩ)Corriente de drenaje [25°C] (CARNÉ DE IDENTIDAD) (UN)DC ganancia de corriente (HFE)PaqueteImagen del productoConfiguraciónModelo SPICEConformidadDisponibilidad de la muestra
GA100JT12-227120010160100SOT-227
GA20JT12-2471200504580TO-247-3
GA10JT12-247120010025100TO-247-3
GA05JT12-247120018015100TO-247-3
GA06JT12-2471200200660TO-247-3
GA03JT12-2471200470360TO-247-3
GA100JT17-227170010160100SOT-227
GA50JT17-247170020100100TO-247-3
GA16JT17-24717005045100TO-247-3
GA04JT17-247170018015100TO-247-3

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