Semiconductor GeneSiC, C ª - Eficiencia energética a través de la innovación
Número de piezaVoltaje de bloqueo (V)Resistencia (RDSON) (metroΩ)Corriente de drenaje [25°C] (CARNÉ DE IDENTIDAD) (UN)DC ganancia de corriente (HFE)PaqueteImagen del productoConfiguraciónConformidadDisponibilidad de la muestra
GA05JT01-461002409110A-46
GA05JT03-463002409110A-46
2N7638-GA60017020110TO-276

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