DULLES, Virginia, junio 04, 2021 — Los MOSFET de SiC 750V G3R ™ de última generación de GeneSiC ofrecerán niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen bajas caídas de estado a temperaturas de funcionamiento, velocidades de conmutación más rápidas, mayor densidad de potencia, timbre mínimo (baja EMI) y tamaño de sistema compacto. G3R ™ de GeneSiC, ofrecido en paquetes discretos optimizados de baja inductancia (SMD y agujero pasante), están optimizados para funcionar con las pérdidas de energía más bajas en todas las condiciones de funcionamiento y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los MOSFET SiC contemporáneos..
“El uso de energía de alta eficiencia se ha convertido en un producto crítico en los convertidores de energía de próxima generación y los dispositivos de energía SiC continúan siendo los componentes clave que impulsan esta revolución. Después de años de trabajo de desarrollo para lograr la resistencia en estado más baja y un rendimiento robusto contra cortocircuitos y avalanchas, Estamos muy contentos de lanzar los MOSFET de SiC de 750 V de mejor rendimiento de la industria.. Nuestro G3R ™ permite a los diseñadores de electrónica de potencia cumplir con la exigente eficiencia, Densidad de potencia y objetivos de calidad en aplicaciones como inversores solares., Cargadores de vehículos eléctricos a bordo y fuentes de alimentación de servidor / telecomunicaciones. Una calidad asegurada, respaldado por una producción de alto volumen de respuesta rápida y calificada para la industria automotriz mejora aún más su propuesta de valor. ” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
Caracteristicas –
- El cargo por puerta más bajo de la industria (QGRAMO) y resistencia interna de la puerta (RG(EN T))
- R más bajoDS(EN) cambiar con la temperatura
- Capacitancia de salida baja (Cnosotros) y capacitancia de miler (CGD)
- 100% avalancha (UIL) probado durante la producción
- Capacidad de resistencia a cortocircuitos líder en la industria
- Diodo de cuerpo rápido y confiable con baja VF y bajo QRR
- Voltaje de umbral de puerta alto y estable (VTH) en todas las condiciones de temperatura y desviación de drenaje
- Tecnología de envasado avanzada para menor resistencia térmica y menor timbre
- Uniformidad de fabricación de RDS(EN), VTH y voltaje de ruptura (BV)
- Cartera de productos completa y cadena de suministro más segura con fabricación de alto volumen calificada para la industria automotriz
Aplicaciones –
- Solar (PV) Inversores
- EV / Cargadores a bordo HEV
- Servidor & Fuentes de alimentación para telecomunicaciones
- Fuente de poder ininterrumpida (UPS)
- Convertidores DC-DC
- Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
- Almacenamiento de energía y carga de baterías
- Calentamiento por inducción
Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP.
G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercio MOSFET de SiC
G3R60MT07K - 750 V 60 mΩ TO-247-4 G3R&comercio MOSFET de SiC
G3R60MT07D - 750 V 60 mΩ TO-247-3 G3R&comercio MOSFET de SiC
Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contactar sales@genesicsemi.com
Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support
Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.
GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.
