Los módulos híbridos SiC Schottky Rectifier / Si IGBT de GeneSiC permiten un funcionamiento a 175 ° C
1200 AN-10A Conducción de transistores de unión SiC 250 AN-10A Conducción de transistores de unión SiC
Carburo de silicio “AN-10A Conducción de transistores de unión SiC” AN-10A Conducción de transistores de unión SiC
Caracterización de la estabilidad de la ganancia de corriente y el funcionamiento en modo avalancha de los BJT 4H-SiC