Características estáticas y de conmutación de 1200 Transistores de unión V SiC con rectificadores Schottky integrados en chip
Transistores de unión de carburo de silicio y rectificadores Schottky optimizados para un funcionamiento a 250 °C
Características estáticas y de conmutación de 1200 Transistores de unión V SiC con rectificadores Schottky integrados en chip
Transistores de unión de carburo de silicio y rectificadores Schottky optimizados para un funcionamiento a 250 °C
GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 por interruptor rectificador-transistor monolítico basado en SiC