MOSFET de SiC de 6,5 kV líderes en la industria de GeneSiC – la vanguardia para una nueva ola de aplicaciones
DULLES, Virginia, Octubre 20, 2020 — GeneSiC lanza MOSFET de carburo de silicio de 6,5 kV para liderar la vanguardia en la entrega de niveles de rendimiento sin precedentes, eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio…
GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 por interruptor rectificador-transistor monolítico basado en SiC
DULLES, Virginia, diciembre 5, 2019 — R&D Magazine ha seleccionado GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como receptor del prestigioso 2019 R&D 100 Premio al desarrollo de productos basados en SiC…
Sistemas de energía de Bodo (Pg 46)
Mayo, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack for Power Electronic Applications
Tecnología de electrónica de potencia (Pg 36)
mes de julio, 2011 – 1200 Copack de diodo V / 100 A Si IGBT / SiC reduce las pérdidas de conmutación
Sistemas de energía de Bodo (Pg 36)
Octubre, 2011 – Rendimiento eléctrico revolucionario para altas temperaturas de los transistores de unión “Super” de SiC