La nueva física permite que el tiristor alcance un nivel más alto
DULLES, Virginia, agosto 30, 2011 – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable…
GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 para dispositivos de SiC en aplicaciones de energía solar y eólica conectadas a la red
DULLES, Virginia, mes de julio 14, 2011 — R&D Magazine ha seleccionado GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como receptor del prestigioso 2011 R&D 100 Award for the commercialization of…
Semiconductor GeneSiC seleccionado para exhibir tecnología en 2011 Cumbre de innovación energética ARPA-E
DULLES, Virginia, Febrero 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor se complace en anunciar su selección para el prestigioso Technology Showcase en ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of…
GeneSiC gana el proyecto de gestión de energía de la NASA en apoyo de futuras misiones de exploración de Venus
DULLES, Virginia, diciembre 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., un innovador clave del novedoso carburo de silicio (Sic) dispositivos para alta temperatura, Alto Voltaje, y aplicaciones de voltaje ultra alto, announces selection of…
Multi-kHz, Tiristores de carburo de silicio de voltaje ultra alto muestreados para investigadores de EE. UU.
DULLES, Virginia, noviembre 1, 2010 –En una oferta única en su género, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power…