DULLES, Virginia, noviembre 1, 2010 –En una oferta única en su género, GeneSiC Semiconductor anuncia la disponibilidad de una familia de tiristores de carburo de silicio en modo SCR de 6,5 kV para uso en electrónica de potencia para aplicaciones de redes inteligentes. Se espera que las revolucionarias ventajas de rendimiento de estos dispositivos de energía estimulen innovaciones clave en el hardware de la electrónica de potencia a escala de servicios públicos para aumentar la accesibilidad y la explotación de los recursos energéticos distribuidos. (EL). "Hasta ahora, carburo de silicio de varios kV (Sic) los dispositivos de potencia no estaban disponibles abiertamente para que los investigadores de EE. UU. explotaran plenamente las conocidas ventajas, es decir, frecuencias de funcionamiento de 2 a 10 kHz a valores nominales de 5 a 15 kV, de los dispositivos de potencia basados en SiC ". comentó el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC. “GeneSiC ha completado recientemente la entrega de muchos 6.5kV / 40A, 6.5Tiristores kV / 60A y 6.5kV / 80A para múltiples clientes que realizan investigaciones en energías renovables, Aplicaciones del sistema de energía del ejército y la marina. Los dispositivos SiC con estas clasificaciones ahora se ofrecen de manera más amplia ".
Los tiristores basados en carburo de silicio ofrecen un voltaje 10 veces mayor, 100X frecuencias de conmutación más rápidas y funcionamiento a mayor temperatura en comparación con los tiristores convencionales basados en silicio. Las oportunidades de investigación de aplicaciones específicas para estos dispositivos incluyen conversión de energía de voltaje medio de propósito general (MVDC), Inversores solares conectados a la red, inversores de energía eólica, potencia pulsada, sistemas de armas, control de encendido, y control de gatillo. Ahora está bien establecido que voltaje ultra alto (>10kV) Carburo de silicio (Sic) La tecnología de dispositivos jugará un papel revolucionario en la red eléctrica de próxima generación.. Los dispositivos de SiC basados en tiristores ofrecen el mayor rendimiento en estado para >5 dispositivos kV, y son ampliamente aplicables a los circuitos de conversión de potencia de voltaje medio como los limitadores de corriente de falla, Convertidores AC-DC, Compensadores VAR estáticos y compensadores en serie. Los tiristores basados en SiC también ofrecen la mejor posibilidad de adopción temprana debido a sus similitudes con los elementos convencionales de la red eléctrica.. La implementación de estas tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia podría proporcionar tanto como 25-30 reducción porcentual del consumo de electricidad gracias al aumento de la eficiencia en el suministro de energía eléctrica.
Dr. Singh continúa: “Se anticipa que los mercados a gran escala en subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas se abrirán después de que los investigadores en el campo de la conversión de energía se den cuenta plenamente de los beneficios de los tiristores de SiC. Estos tiristores de SiC de primera generación utilizan la caída de voltaje en estado activo más baja demostrada y las resistencias de encendido diferenciales jamás logradas en los tiristores de SiC. Tenemos la intención de lanzar futuras generaciones de tiristores de SiC optimizados para la capacidad de apagado controlado por puerta y >10clasificaciones kV. A medida que continuamos desarrollando soluciones de envasado de voltaje ultra alto para alta temperatura, Los actuales tiristores de 6.5kV están empaquetados en módulos con contactos completamente soldados, limitado a temperaturas de unión de 150 ° C ". GeneSiC es un innovador de rápida aparición en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo.
Ubicado cerca de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, Transistores de superjunción (SJT) y una amplia variedad de dispositivos basados en tiristores. GeneSiC tiene o ha tenido contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visita www.genesicsemi.com.
