Interruptores de SiC que ofrecen las pérdidas de conducción más bajas y una capacidad de cortocircuito superior lanzada para circuitos de potencia de alta frecuencia
Dulles, Virginia., Oct 28, 2014 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una familia de 1700 V de baja resistencia y 1200 Transistores de unión V SiC en paquetes TO-247. El uso de alto voltaje., alta frecuencia, Los transistores de unión de SiC con capacidad para alta temperatura y baja resistencia aumentarán la eficiencia de conversión y reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones de electrónica de potencia que requieren voltajes de bus más altos. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluidas las microrredes de CC., Cargadores rápidos para vehículos, servidor, fuentes de alimentación para telecomunicaciones y redes, fuentes de alimentación ininterrumpidas, inversores solares, Sistemas de energía eólica, y sistemas de control de motores industriales.
Transistores de unión SiC (SJT) ofrecidos por GeneSiC exhiben capacidad de conmutación ultrarrápida (similar al de los MOSFET de SiC), un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), así como pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación independientes de la temperatura. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y pueden ser conducidos por controladores de puertas comerciales, a diferencia de otros interruptores de SiC. Las ventajas únicas del SJT en contraste con otros interruptores SiC es su mayor confiabilidad a largo plazo., >10 capacidad de cortocircuito de usec, y capacidad de avalancha superior
“Estos SJT mejorados ofrecen ganancias de corriente mucho más altas. (>100), Rendimiento muy estable y robusto en comparación con otros interruptores SiC. Los SJT de GeneSiC ofrecen pérdidas de conducción extremadamente bajas a corrientes nominales como pérdidas superiores de desconexión en circuitos de potencia. Utilizando el dispositivo único y las innovaciones de fabricación, Los productos Transistor de GeneSiC ayudan a los diseñadores a lograr una solución más sólida,” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
1700 Transistor de unión V SiC liberado
- 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
- Ganancia de corriente (hFE) >90
- Tjmax = 175OC
- Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <30 nanosegundos típico.
1200 Transistor de unión V SiC liberado
- 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
- Ganancia de corriente (hFE) >90
- Tjmax = 175OC
- Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <30 nanosegundos típico.
Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, Paquetes TO-247 que cumplen con RoHS. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.
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