Alta temperatura (>210OC) Los transistores y rectificadores de unión en paquetes de latas de metal de factor de forma pequeño ofrecen beneficios de rendimiento revolucionarios para una variedad de aplicaciones, incluida la amplificación, circuitos de bajo ruido y controles del actuador de fondo de pozo
DULLES, Virginia, marzo 9, 2015 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una línea de compactos, Transistores de unión de SiC de alta temperatura, así como una línea de rectificadores en paquetes de latas de metal TO-46. Estos componentes discretos están diseñados y fabricados para funcionar a temperaturas ambiente superiores a 215OC. El uso de alta temperatura., Los transistores y rectificadores de SiC con capacidad de alto voltaje y baja resistencia reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones electrónicas que requieren un mayor manejo de potencia a temperaturas elevadas. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluida una amplia variedad de circuitos de fondo de pozo., instrumentación geotérmica, accionamiento por solenoide, amplificación de propósito general, y fuentes de alimentación conmutadas.
Transistores de unión SiC de alta temperatura (SJT) ofrecidos por GeneSiC exhiben tiempos de subida / bajada sub-10 nsec que permiten >10 Conmutación de MHz, así como un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA). Las pérdidas de energía transitorias y los tiempos de conmutación son independientes de la temperatura de unión.. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de ser impulsados por 0/+5 Controladores de puerta V TTL, a diferencia de otros interruptores de SiC. Las ventajas únicas del SJT en contraste con otros interruptores SiC es su mayor confiabilidad a largo plazo., >20 capacidad de cortocircuito de usec, y capacidad de avalancha superior. Estos dispositivos se pueden utilizar como amplificadores eficientes, ya que prometen una linealidad mucho mayor que cualquier otro interruptor de SiC..
Los rectificadores Schottky de SiC de alta temperatura que ofrece GeneSiC muestran bajas caídas de voltaje en el estado, y las corrientes de fuga más bajas de la industria a temperaturas elevadas. Con temperatura independiente, características de conmutación de recuperación inversa casi cero, Los rectificadores SiC Schottky son candidatos ideales para su uso en alta eficiencia, circuitos de alta temperatura. Los envases de latas de metal TO-46, así como los procesos de envasado asociados que se utilizan para crear estos productos, permiten un uso a largo plazo donde la alta fiabilidad es fundamental..
“Los productos de transistores y rectificadores de GeneSiC están diseñados y fabricados desde la tierra para permitir un funcionamiento a alta temperatura.. Estos compactos SJT empaquetados TO-46 ofrecen altas ganancias de corriente (>110), 0/+5 Control V TTL, y desempeño robusto. Estos dispositivos ofrecen bajas pérdidas de conducción y alta linealidad.. Diseñamos nuestra línea de rectificadores “SHT”, para ofrecer bajas corrientes de fuga a altas temperaturas. Estos productos empaquetados en latas de metal aumentan nuestros productos TO-257 y SMD de metal lanzados el año pasado para ofrecer un factor de forma pequeño, soluciones resistentes a vibraciones” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
Los productos lanzados hoy incluyen:
240 Transistores de unión mOhm SiC:
- 300 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GA05JT03-46
- 100 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GA05JT01-46
- Ganancia de corriente (hFE) >110
- Tjmax = 210OC
- Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <10 nanosegundos típico.
Hasta 4 Diodos Schottky de alta temperatura amperios:
- 600 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT06-46
- 300 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT03-46
- 100 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT01-46
- Carga capacitiva total 9 Carolina del Norte
- Tjmax = 210OC.
Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en envases metálicos TO-46. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.
Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como módulos de diodos de silicio. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, perforación petrolífera de fondo de pozo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.
Para más información, por favor visita https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; http https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
