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Combinación de transistor-diodo de SiC co-empaquetada en una robusta, aislado, 4-Con plomo, El empaquetado del mini-módulo reduce las pérdidas de energía de encendido y permite diseños de circuitos flexibles para convertidores de potencia de alta frecuencia

DULLES, Virginia, Mayo 13, 2015 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de 20 Diodos-transistor de unión mOhm-1200 V SiC en un, 4-Embalaje de mini módulo con plomo que permite pérdidas de energía de encendido extremadamente bajas al tiempo que ofrece flexibilidad, diseños modulares en convertidores de potencia de alta frecuencia. El uso de alta frecuencia, Los transistores y rectificadores de SiC de alto voltaje y baja resistencia reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones electrónicas que requieren un mayor manejo de potencia a altas frecuencias de operación. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluidos los calentadores de inducción., generadores de plasma, cargadores rapidos, Convertidores DC-DC, y fuentes de alimentación conmutadas.

Transistores de unión de SiC empaquetados (SJT)-Los rectificadores de SiC ofrecidos por GeneSiC son aplicables exclusivamente a aplicaciones de conmutación inductiva porque los SJT son los únicos conmutadores de banda ancha que ofrece. >10 capacidad de cortocircuito repetitivo microsec, Incluso a 80% de las tensiones nominales (p.ej. 960 V por un 1200 Dispositivo V). Además de los tiempos de subida / bajada de menos de 10 nseg y un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), el terminal Gate Return en la nueva configuración mejora significativamente la capacidad de reducir las energías de conmutación. Esta nueva clase de productos ofrece pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación que son independientes de la temperatura de la unión.. Los transistores de unión SiC de GeneSiC no contienen óxido de puerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de funcionar con voltajes de puerta bajos, a diferencia de otros interruptores de SiC.
Los rectificadores SiC Schottky utilizados en estos minimódulos muestran bajas caídas de voltaje en estado activo, buenas clasificaciones de sobrecorriente y las corrientes de fuga más bajas de la industria a temperaturas elevadas. Con temperatura independiente, características de conmutación de recuperación inversa casi cero, Los rectificadores SiC Schottky son candidatos ideales para su uso en circuitos de alta eficiencia.
“Los productos de transistores y rectificadores de SiC de GeneSiC están diseñados y fabricados para lograr bajas pérdidas de conmutación y de encendido.. Una combinación de estas tecnologías en un paquete innovador promete un rendimiento ejemplar en circuitos de potencia que exigen dispositivos basados ​​en banda ancha amplia.. El paquete del mini módulo ofrece una gran flexibilidad de diseño para su uso en una variedad de circuitos de alimentación como H-Bridge, Inversores flyback y multinivel” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
El producto lanzado hoy incluye
20 Paquete combinado de transistor / rectificador de unión SiC de mOhmios / 1200 V (GA50SICP12-227):
• Paquete aislado SOT-227 / mini-block / Isotop
• Ganancia de corriente del transistor (HFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado por el embalaje)
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <10 nanosegundos típico.

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal. Los dispositivos están disponibles de inmediato en GeneSiC Distribuidores autorizados.

Para más información, por favor visita: https://192.168.88.14/comercial-sic / sic-módulos-copack /

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como módulos de diodos de silicio. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, perforación petrolífera de fondo de pozo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

Alta temperatura (>210^OC) Los transistores y rectificadores de unión en paquetes de latas de metal de factor de forma pequeño ofrecen beneficios de rendimiento revolucionarios para una variedad de aplicaciones, incluida la amplificación, circuitos de bajo ruido y controles del actuador de fondo de pozo

DULLES, Virginia, marzo 9, 2015 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una línea de compactos, Transistores de unión de SiC de alta temperatura, así como una línea de rectificadores en paquetes de latas de metal TO-46. Estos componentes discretos están diseñados y fabricados para funcionar a temperaturas ambiente superiores a 215^OC. El uso de alta temperatura., Los transistores y rectificadores de SiC con capacidad de alto voltaje y baja resistencia reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones electrónicas que requieren un mayor manejo de potencia a temperaturas elevadas. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluida una amplia variedad de circuitos de fondo de pozo., instrumentación geotérmica, accionamiento por solenoide, amplificación de propósito general, y fuentes de alimentación conmutadas.

Transistores de unión SiC de alta temperatura (SJT) ofrecidos por GeneSiC exhiben tiempos de subida / bajada sub-10 nsec que permiten >10 Conmutación de MHz, así como un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA). Las pérdidas de energía transitorias y los tiempos de conmutación son independientes de la temperatura de unión.. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de ser impulsados ​​por 0/+5 Controladores de puerta V TTL, a diferencia de otros interruptores de SiC. Las ventajas únicas del SJT en contraste con otros interruptores SiC es su mayor confiabilidad a largo plazo., >20 capacidad de cortocircuito de usec, y capacidad de avalancha superior. Estos dispositivos se pueden utilizar como amplificadores eficientes, ya que prometen una linealidad mucho mayor que cualquier otro interruptor de SiC..

Los rectificadores Schottky de SiC de alta temperatura que ofrece GeneSiC muestran bajas caídas de voltaje en el estado, y las corrientes de fuga más bajas de la industria a temperaturas elevadas. Con temperatura independiente, características de conmutación de recuperación inversa casi cero, Los rectificadores SiC Schottky son candidatos ideales para su uso en alta eficiencia, circuitos de alta temperatura. Los envases de latas de metal TO-46, así como los procesos de envasado asociados que se utilizan para crear estos productos, permiten un uso a largo plazo donde la alta fiabilidad es fundamental..

“Los productos de transistores y rectificadores de GeneSiC están diseñados y fabricados desde la tierra para permitir un funcionamiento a alta temperatura.. Estos compactos SJT empaquetados TO-46 ofrecen altas ganancias de corriente (>110), 0/+5 Control V TTL, y desempeño robusto. Estos dispositivos ofrecen bajas pérdidas de conducción y alta linealidad.. Diseñamos nuestra línea de rectificadores “SHT”, para ofrecer bajas corrientes de fuga a altas temperaturas. Estos productos empaquetados en latas de metal aumentan nuestros productos TO-257 y SMD de metal lanzados el año pasado para ofrecer un factor de forma pequeño, soluciones resistentes a vibraciones” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Los productos lanzados hoy incluyen:

240 Transistores de unión mOhm SiC:

• 300 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GA05JT03-46
• 100 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GA05JT01-46
• Ganancia de corriente (h_FE) >110
• T_jmax = 210^OC
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <10 nanosegundos típico.

Hasta 4 Diodos Schottky de alta temperatura amperios:

• 600 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT06-46
• 300 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT03-46
• 100 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT01-46
• Carga capacitiva total 9 Carolina del Norte
• T_jmax = 210^OC.

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en envases metálicos TO-46. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como módulos de diodos de silicio. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, perforación petrolífera de fondo de pozo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

Para más información, por favor visita https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; http https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board optimizado para altas velocidades de conmutación y modelos basados ​​en comportamiento permiten a los ingenieros de diseño de electrónica de potencia verificar y cuantificar los beneficios de los SJT en la evaluación a nivel de placa y simulación de circuitos

DULLES, VIRGINIA., nov 19, 2014 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) Power semiconductors anuncia hoy la disponibilidad inmediata de la placa de evaluación Gate Driver y ha ampliado su soporte de diseño para los interruptores de menor pérdida de la industria: el transistor de unión SiC. (SJT) - con un modelo LTSPICE IV totalmente calificado. Uso de la nueva placa de controlador Gate, Los diseñadores de circuitos de conversión de energía pueden verificar los beneficios de menos de 15 nanosegundos., características de conmutación independientes de la temperatura de los transistores de unión de SiC, con bajas pérdidas de potencia del controlador. Incorporación de los nuevos modelos SPICE, Los diseñadores de circuitos pueden evaluar fácilmente los beneficios que brindan los SJT de GeneSiC para lograr un nivel de eficiencia más alto que el que es posible con los dispositivos de conmutación de potencia de silicio convencionales para dispositivos de clasificación comparable..

Los transistores de unión de SiC tienen características significativamente diferentes a otras tecnologías de transistores de SiC, así como transistores de silicio. Se necesitaban placas de controlador de compuerta que pudieran proporcionar bajas pérdidas de energía y al mismo tiempo ofrecer altas velocidades de conmutación para proporcionar soluciones de controlador para utilizar los beneficios de los transistores de unión SiC. GeneSiC está completamente aislado GA03IDDJT30-FR4 La placa controladora de compuerta toma 0 / 12V y una señal TTL para acondicionar de manera óptima las formas de onda de voltaje / corriente necesarias para proporcionar pequeños tiempos de subida / bajada, al mismo tiempo que minimiza el requisito de corriente continua para mantener el SJT normalmente apagado conduciendo durante el estado encendido. La configuración de los pines y los factores de forma se mantienen similares a otros transistores de SiC. GeneSiC también ha lanzado archivos Gerber y BOM al usuario final para permitirles incorporar los beneficios de las innovaciones de diseño de controladores realizadas..

Los SJT ofrecen características de conmutación y en estado de buen comportamiento, facilitando la creación de modelos SPICE basados ​​en el comportamiento que también concuerdan notablemente bien con los modelos subyacentes basados ​​en la física. Usar modelos basados ​​en la física bien establecidos y entendidos, Los parámetros de SPICE se publicaron después de pruebas exhaustivas con el comportamiento del dispositivo.. Los modelos SPICE de GeneSiC se comparan con los datos medidos experimentalmente en todas las hojas de datos del dispositivo y son aplicables a todos 1200 V y 1700 Transistores de unión V SiC lanzados.
Los SJT de GeneSiC son capaces de entregar frecuencias de conmutación que son más de 15 veces más alto que las soluciones basadas en IGBT. Sus frecuencias de conmutación más altas pueden permitir elementos magnéticos y capacitivos más pequeños., reduciendo así el tamaño total, peso y costo de los sistemas electrónicos de potencia.

Este modelo SPICE de transistor de unión de SiC se suma al conjunto completo de herramientas de soporte de diseño de GeneSiC, documentación técnica, e información de confiabilidad para proporcionar a los ingenieros de electrónica de potencia los recursos de diseño necesarios para implementar la familia integral de transistores y rectificadores de unión SiC de GeneSiC en la próxima generación de sistemas de energía.

Las hojas de datos de la placa de controlador Gate de GeneSiC y los modelos SJT SPICE se pueden descargar desde https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

Interruptores de SiC que ofrecen las pérdidas de conducción más bajas y una capacidad de cortocircuito superior lanzada para circuitos de potencia de alta frecuencia

Dulles, Virginia., Oct 28, 2014 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una familia de 1700 V de baja resistencia y 1200 Transistores de unión V SiC en paquetes TO-247. El uso de alto voltaje., alta frecuencia, Los transistores de unión de SiC con capacidad para alta temperatura y baja resistencia aumentarán la eficiencia de conversión y reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones de electrónica de potencia que requieren voltajes de bus más altos. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluidas las microrredes de CC., Cargadores rápidos para vehículos, servidor, fuentes de alimentación para telecomunicaciones y redes, fuentes de alimentación ininterrumpidas, inversores solares, Sistemas de energía eólica, y sistemas de control de motores industriales.

Transistores de unión SiC (SJT) ofrecidos por GeneSiC exhiben capacidad de conmutación ultrarrápida (similar al de los MOSFET de SiC), un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), así como pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación independientes de la temperatura. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y pueden ser conducidos por controladores de puertas comerciales, a diferencia de otros interruptores de SiC. Las ventajas únicas del SJT en contraste con otros interruptores SiC es su mayor confiabilidad a largo plazo., >10 capacidad de cortocircuito de usec, y capacidad de avalancha superior

“Estos SJT mejorados ofrecen ganancias de corriente mucho más altas. (>100), Rendimiento muy estable y robusto en comparación con otros interruptores SiC. Los SJT de GeneSiC ofrecen pérdidas de conducción extremadamente bajas a corrientes nominales como pérdidas superiores de desconexión en circuitos de potencia. Utilizando el dispositivo único y las innovaciones de fabricación, Los productos Transistor de GeneSiC ayudan a los diseñadores a lograr una solución más sólida,” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

1700 Transistor de unión V SiC liberado

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Ganancia de corriente (h_FE) >90
• T_jmax = 175^OC
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <30 nanosegundos típico.

1200 Transistor de unión V SiC liberado

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Ganancia de corriente (h_FE) >90
• T_jmax = 175^OC
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <30 nanosegundos típico.

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, Paquetes TO-247 que cumplen con RoHS. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.

Para más información, por favor visite https://192.168.88.14/transistores-comerciales-sic / sic-junction /

Los rectificadores y transistores de SiC de GeneSiC ofrecen ventajas significativas para lograr los objetivos del Desafío de la caja pequeña

Lo último. Transistores de potencia de carburo de silicio & Rectificadores. Disponible. Ahora!

GeneSiC tiene una amplia cartera de productos disponibles en este momento en todo el mundo de los mejores distribuidores

Chip de troquel desnudo forma de dispositivos de SiC disponibles directamente de fábrica (por favor complete el formulario a continuación)

Discreto SJT http Rectificadores en clasificaciones de temperatura comercial (175° C)

Discreto HiT SJTarena Rectificadores HiT en alta temperatura (hasta 250 ° C)

GeneSiC ofrece la más amplia variedad de productos de SiC, tanto en productos empaquetados como en formato de matriz desnuda para permitir una mayor flexibilidad e innovación en el diseño.. GeneSiC se esfuerza continuamente por mantenerse a la vanguardia mediante la introducción de nuevos, productos innovadores. Si no ve el producto exacto que busca hoy, puede verlo en un futuro cercano.

La promesa de alta temperatura en transistores de SiC realizada a través de paquetes estándar de la industria compatibles mejorará de manera crítica los actuadores y fuentes de alimentación de fondo de pozo y aeroespaciales

Dulles, Virginia., dic 10, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) Power Semiconductors anuncia hoy la disponibilidad inmediata a través de sus distribuidores y directamente una familia empaquetada de alta temperatura 600 Transistores de unión V SiC (SJT) http 3-50 Corriente nominal de amperios en paquetes de montaje en superficie y orificio pasante estándar de la industria JEDEC. Incorporando estas altas temperaturas, baja resistencia, Transistores SiC de alta frecuencia en paquetes herméticos, Las soldaduras y encapsulamiento a alta temperatura aumentarán la eficiencia de conversión y reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones de conversión de energía a alta temperatura..

Fuente de alimentación de alta temperatura contemporánea, Los circuitos de control de motores y actuadores utilizados en aplicaciones de petróleo / gas / fondo de pozo y aeroespaciales adolecen de la falta de disponibilidad de una solución viable de carburo de silicio de alta temperatura.. Los transistores de silicio sufren de bajas eficiencias de circuito y grandes tamaños porque sufren de altas corrientes de fuga y bajas características de conmutación deficientes. Ambos parámetros empeoran a temperaturas de unión más altas.. Con entornos con restricciones térmicas, Las temperaturas de unión aumentan con bastante facilidad incluso cuando se pasan corrientes moderadas.. Los transistores de SiC herméticamente empaquetados ofrecen características únicas que prometen revolucionar la capacidad de las aplicaciones aeroespaciales y de fondo de pozo.. GeneSiC’s 650 Los transistores de unión V / 3-50 A SiC cuentan con tiempos de conmutación cercanos a cero que no cambian con la temperatura. La 210^OLos dispositivos con clasificación de temperatura de unión C ofrecen márgenes de temperatura relativamente grandes para aplicaciones que operan en entornos extremos.

Los transistores de unión ofrecidos por GeneSiC exhiben una capacidad de conmutación ultrarrápida, un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), así como pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación independientes de la temperatura. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de ser impulsados ​​por comerciales, comúnmente disponible 15 Controladores de puerta V IGBT, a diferencia de otros interruptores de SiC. Al tiempo que ofrece compatibilidad con controladores SiC JFET, Los transistores de unión SiC se pueden conectar en paralelo fácilmente debido a sus características transitorias coincidentes.

“A medida que los diseñadores de aplicaciones aeroespaciales y de fondo de pozo continúan ampliando los límites de la frecuencia operativa, sin dejar de exigir altas eficiencias de circuito, necesitan interruptores de SiC que puedan ofrecer un estándar de rendimiento, fiabilidad y uniformidad de producción. Utilizando el dispositivo único y las innovaciones de fabricación, Los productos SJT de GeneSiC ayudan a los diseñadores a lograr todo eso en una solución más robusta. Estos productos complementan el rectificador de SiC empaquetado hermético lanzado el año pasado por GeneSiC, y los productos de troquel desnudo lanzados a principios de este año, mientras nos allana el camino para ofrecer alta temperatura, baja inductancia, módulos de potencia en un futuro próximo ” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Aislado TO-257 con 600 En SJT:

• 65 mOhms / 20 amperios (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 amperios (2N7637-GA); http 425 mOhms / 4 amperios (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico.
• Matriz desnuda correspondiente GA20JT06-CAL (en 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (en 2N7637-GA); y GA05JT06-CAL (en 2N7635-GA)

Paquete prototipo TO-258 no aislado con 600 SJT

• 25 mOhms / 50 amperios (Paquete prototipo GA50JT06-258)
• T_jmax = 210^OC
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico.
• Matriz desnuda correspondiente GA50JT06-CAL (en GA50JT06-258)

Montaje en superficie TO-276 (SMD0.5) con 600 SJT

• 65 mOhms / 20 amperios (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 amperios (2N7638-GA); http 425 mOhms / 4 amperios (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico.

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en paquetes herméticos. Se ofrecen modelos de circuito SPICE y soporte técnico. Los dispositivos están disponibles de inmediato en GeneSiC directamente y / o a través de sus distribuidores autorizados..

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

Para más información, por favor visita https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Alto voltaje, Diodos Schottky SiC sin recuperación inversa para habilitar críticamente inversores solares y ensamblajes de alto voltaje al ofrecer capacidades de montaje en superficie de factor de forma más pequeño

Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una familia de SMB estándar de la industria (JEDEC DO-214AA) rectificadores de SiC empaquetados en el 650 - 3300 Rango V. Incorporando estos de alto voltaje, libre de recuperación inversa, Los diodos de SiC con capacidad de alta frecuencia y alta temperatura aumentarán la eficiencia de conversión y reducirán el tamaño / peso / volumen de conjuntos de varios kV. Estos productos están dirigidos a inversores micro-solares, así como a circuitos multiplicadores de voltaje utilizados en una amplia gama de rayos X, Fuentes de alimentación para generadores de partículas y láser.

Los inversores micro-solares contemporáneos y los circuitos multiplicadores de voltaje pueden sufrir bajas eficiencias de circuito y grandes tamaños debido a las corrientes de recuperación inversa de los rectificadores de silicio.. A temperaturas de unión del rectificador más altas, esta situación empeora porque la corriente de recuperación inversa en los rectificadores de silicio aumenta con la temperatura. Con limitaciones térmicas en conjuntos de alta tensión, Las temperaturas de unión aumentan con bastante facilidad incluso cuando se pasan corrientes moderadas.. Los rectificadores de SiC de alto voltaje ofrecen características únicas que prometen revolucionar los inversores micro-solares y los conjuntos de alto voltaje.. GeneSiC’s 650 V / 1 A; 1200 V / 2 A y 3300 Los rectificadores Schottky V / 0.3 A cuentan con corriente de recuperación inversa cero que no cambia con la temperatura. La 3300 Los dispositivos con clasificación V ofrecen un voltaje relativamente alto en un solo dispositivo, lo que permite una reducción en las etapas de multiplicación de voltaje requeridas en los circuitos típicos del generador de alto voltaje., mediante el uso de voltajes de entrada de CA más altos. Las características de conmutación casi ideales permiten la eliminación / reducción drástica de las redes de equilibrio de voltaje y los circuitos amortiguadores.. La pyme (DO-214AA) El paquete sobremoldeado presenta un factor de forma estándar de la industria para ensamblajes de montaje en superficie.

“Estas ofertas de productos provienen de años de esfuerzos de desarrollo sostenidos en GeneSiC para ofrecer dispositivos y paquetes atractivos. Creemos que el factor de forma SMB es un diferenciador clave para el mercado de inversores micro solares y multiplicadores de voltaje., y permitirá importantes beneficios a nuestros clientes. VF bajo de GeneSiC, Los rectificadores Schottky de SiC de baja capacitancia y los paquetes SMB mejorados permiten este producto innovador” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

1200 Diodo Schottky V / 2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Aspectos técnicos destacados

• VF típico = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Carga de recuperación inversa = 14 Carolina del Norte.

3300 Diodo Schottky V / 0.3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Aspectos técnicos destacados

• VF típico = 1.7 V
• T_jmax = 175^OC
• Carga de recuperación inversa = 52 Carolina del Norte.

650 Diodo Schottky V / 1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Aspectos técnicos destacados

• VF típico = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Carga de recuperación inversa = 7 Carolina del Norte.

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, SMB compatible con RoHS (DO-214AA) paquetes. Se ofrecen modelos de circuito SPICE y soporte técnico. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

Para más información, por favor visite https://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

Ensambles de alto voltaje para beneficiarse de estos rectificadores de baja capacitancia que ofrecen corrientes de recuperación inversa cero independientes de la temperatura en paquetes aislados

Cascadas del río Thief / Dulles, Virginia., Mayo 28, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) Los semiconductores de potencia anuncian la disponibilidad inmediata de 3300 Rectificadores Schottky de SiC de V / 0,3 amperios – el GAP3SLT33-220FP. Este producto único representa el rectificador de SiC de voltaje más alto del mercado., y está específicamente dirigido a circuitos multiplicadores de voltaje y ensamblajes de alto voltaje utilizados en una amplia gama de rayos X, Fuentes de alimentación para generadores de partículas y láser.

Los circuitos multiplicadores de voltaje contemporáneos sufren de bajas eficiencias de circuito y grandes tamaños porque las corrientes de recuperación inversa de los rectificadores de silicio descargan los capacitores conectados en paralelo.. A temperaturas de unión del rectificador más altas, esta situación empeora porque la corriente de recuperación inversa en los rectificadores de silicio aumenta con la temperatura. Con limitaciones térmicas en conjuntos de alta tensión, Las temperaturas de unión aumentan con bastante facilidad incluso cuando se pasan corrientes moderadas.. Los rectificadores de SiC de alto voltaje ofrecen características únicas que prometen revolucionar los ensambles de alto voltaje. GeneSiC’s 3300 Los rectificadores Schottky V / 0.3 A cuentan con corriente de recuperación inversa cero que no cambia con la temperatura. Este voltaje relativamente alto en un solo dispositivo permite una reducción en las etapas de multiplicación de voltaje requeridas en los circuitos generadores de alto voltaje típicos, mediante el uso de voltajes de entrada de CA más altos. Las características de conmutación casi ideales permiten la eliminación / reducción drástica de las redes de equilibrio de voltaje y los circuitos amortiguadores.. El paquete aislado sobremoldeado TO-220 Full Pack presenta un factor de forma estándar de la industria con mayor espaciado de clavijas en ensamblajes de orificios pasantes.

“Esta oferta de productos proviene de años de esfuerzos sostenidos en GeneSiC. Creemos el 3300 La clasificación V es un diferenciador clave para el mercado de generadores de alto voltaje, y permitirá importantes beneficios a nuestros clientes. VF bajo de GeneSiC, Los rectificadores Schottky de SiC de baja capacitancia permiten este producto innovador” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

3300 Características técnicas del rectificador V / 0.3 A SiC

• Gota en estado de 1.7 IVA 0.3 UN
• Coeficiente de temperatura positivo en VF
• T_jmax = 175^OC
• Carga capacitiva 52 Carolina del Norte (típico).

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, TO-220FP estándar de la industria compatible con RoHS (Paquete completo) paquetes. Los dispositivos están disponibles de inmediato en el distribuidor autorizado de GeneSiC, Digikey.

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

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Circuitos y conjuntos de alto voltaje para beneficiarse de los chips de SiC que ofrecen clasificaciones de voltaje sin precedentes y conmutación de velocidad ultra alta

Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) Los semiconductores de potencia anuncian la disponibilidad inmediata de 8000 Rectificadores V SiC PiN; 8000 Rectificadores Schottky V SiC, 3300 Rectificadores Schottky V SiC y 6500 Tiristores V SiC en formato de matriz desnuda. Estos productos únicos representan los dispositivos de SiC de voltaje más alto del mercado., y está específicamente dirigido a la instrumentación de petróleo y gas., circuitos multiplicadores de voltaje y conjuntos de alto voltaje.

Los circuitos contemporáneos de voltaje ultra alto sufren de bajas eficiencias de circuito y grandes tamaños porque las corrientes de recuperación inversa de los rectificadores de silicio descargan los condensadores conectados en paralelo.. A temperaturas de unión del rectificador más altas, esta situación empeora aún más ya que la corriente de recuperación inversa en los rectificadores de silicio aumenta con la temperatura. Con limitaciones térmicas en conjuntos de alta tensión, Las temperaturas de unión aumentan con bastante facilidad incluso cuando se pasan corrientes moderadas.. Los rectificadores de SiC de alto voltaje ofrecen características únicas que prometen revolucionar los ensambles de alto voltaje. GeneSiC’s 8000 V y 3300 Los rectificadores V Schottky cuentan con una corriente de recuperación inversa cero que no cambia con la temperatura. Este voltaje relativamente alto en un solo dispositivo permite una reducción en las etapas de multiplicación de voltaje requeridas en los circuitos generadores de alto voltaje típicos, mediante el uso de voltajes de entrada de CA más altos. Las características de conmutación casi ideales permiten la eliminación / reducción drástica de las redes de equilibrio de voltaje y los circuitos amortiguadores.. 8000 Los rectificadores V PiN ofrecen niveles de corriente más altos y temperaturas de funcionamiento más altas. 6500 Los chips de tiristor V SiC también están disponibles para acelerar R&D de nuevos sistemas.

“Estos productos muestran el sólido liderazgo de GeneSiC en el desarrollo de chips de SiC en las clasificaciones de varios kV. Creemos el 8000 La clasificación V va más allá de lo que pueden ofrecer los dispositivos de silicio a temperaturas nominales, y permitirá importantes beneficios a nuestros clientes. VF bajo de GeneSiC, Los rectificadores y tiristores de SiC de baja capacitancia permitirán beneficios a nivel del sistema que antes no eran posibles” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

8000 Características técnicas del rectificador PiN de matriz desnuda V / 2 A SiC

• T_jmax = 210^OC
• Corrientes de fuga inversa < 50 uA en 175^OC
• Cargo de recuperación inversa 558 Carolina del Norte (típico).

8000 Características técnicas del rectificador Schottky de matriz desnuda V / 50 mA SiC

• Capacitancia total 25 pF (típico, a -1 V, 25^OC).
• Coeficiente de temperatura positivo en VF
• T_jmax = 175^OC

6500 Características técnicas destacadas del tiristor V SiC Bare Die

• Tres ofrendas - 80 Amperios (GA080TH65-CAU); 60 Amperios (GA060TH65-CAU); http 40 Amperios (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^OC

3300 Características técnicas del rectificador de matriz desnuda V / 0.3 A SiC

• Gota en estado de 1.7 IVA 0.3 UN
• Coeficiente de temperatura positivo en VF
• T_jmax = 175^OC
• Carga capacitiva 52 Carolina del Norte (típico).

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

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