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Los módulos híbridos SiC Schottky Rectifier / Si IGBT de GeneSiC permiten un funcionamiento a 175 ° C

DULLES, Virginia, marzo 5, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) power semiconductors anuncia hoy la disponibilidad inmediata de sus mini-módulos híbridos de segunda generación utilizando 1200 Rectificadores Schottky de SiC V / 100 amperios con IGBT de silicio resistentes: el GB100XCP12-227. El punto de rendimiento-precio en el que se lanza este producto permite que muchas aplicaciones de conversión de energía se beneficien de la reducción del costo / tamaño / peso / volumen que ni la solución Silicon IGBT / Silicon Rectifier, ni un módulo de SiC puro puede ofrecer. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluidos motores industriales., inversores solares, equipos especializados y aplicaciones de redes eléctricas.

Mini módulos SiC Schottky / Si IGBT (Co-paquetes) ofrecidos por GeneSiC están hechos con Si IGBT que exhiben un coeficiente de temperatura positivo de caída en estado, diseño robusto perforado, operación a alta temperatura y características de conmutación rápida que pueden ser impulsadas por comerciales, comúnmente disponible 15 Controladores de puerta V IGBT. Los rectificadores de SiC utilizados en estos módulos Co-pack permiten paquetes de inductancia extremadamente baja, baja caída de voltaje en estado encendido y sin recuperación inversa. El paquete SOT-227 ofrece una placa base aislada, 12Diseño de perfil bajo de mm que se puede utilizar de forma muy flexible como elemento de circuito independiente, configuración en paralelo de alta corriente, una etapa de fase (dos módulos), o como elemento de circuito chopper.

“Escuchamos a nuestros clientes clave desde la oferta inicial de este producto casi 2 años atrás. Esta segunda generación 1200 El producto Co-pack V / 100 A tiene un diseño de baja inductancia que es adecuado para alta frecuencia., aplicaciones de alta temperatura. Las malas características de alta temperatura y recuperación inversa de los diodos de silicio limitan críticamente el uso de IGBT a temperaturas más altas.. VF bajo de GeneSiC, Los diodos Schottky SiC de baja capacitancia permiten este producto innovador” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

1200 Aspectos destacados técnicos del rectificador V / 100 A Si IGBT / SiC

  • Gota en estado de 1.9 IVA 100 UN
  • Coeficiente de temperatura positivo en VF
  • Tjmáx = 175 ° C
  • Pérdidas de energía de encendido 23 microjulios (típico).

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, Paquetes SOT-227 estándar de la industria que cumplen con RoHS. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

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GeneSiC presenta transistores de unión de carburo de silicio

DULLES, Virginia, Febrero 25, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una familia de 1700V y 1200 Transistores de unión V SiC. Incorporando alto voltaje, Los transistores de unión SiC de alta frecuencia y alta temperatura aumentarán la eficiencia de conversión y reducirán el tamaño / peso / volumen de la electrónica de potencia. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluido el servidor, fuentes de alimentación para telecomunicaciones y redes, fuentes de alimentación ininterrumpidas, inversores solares, sistemas de control de motores industriales, y aplicaciones de fondo de pozo.

Los transistores de unión ofrecidos por GeneSiC exhiben una capacidad de conmutación ultrarrápida, un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), así como pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación independientes de la temperatura. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de ser impulsados ​​por comerciales, comúnmente disponible 15 Controladores de puerta V IGBT, a diferencia de otros interruptores de SiC. Al tiempo que ofrece compatibilidad con controladores SiC JFET, Los transistores de unión se pueden conectar en paralelo fácilmente debido a sus características transitorias coincidentes.

“A medida que los diseñadores de sistemas de energía continúan empujando los límites de la frecuencia de operación, sin dejar de exigir altas eficiencias de circuito, la necesidad de interruptores de SiC que puedan ofrecer un estándar de rendimiento y uniformidad de producción. Utilizando el dispositivo único y las innovaciones de fabricación, Los productos Transistor de GeneSiC ayudan a los diseñadores a lograr todo eso en una solución más robusta,” dijo el Dr.. Ranbir Singh , Presidente de GeneSiC Semiconductor.

1700 Aspectos destacados técnicos del transistor de unión en V

  • Tres ofrendas - 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); http 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmáx = 175 ° C
  • Activar / desactivar tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico.

1200 Aspectos destacados técnicos del transistor de unión en V

  • Dos ofrendas - 220 mOhms (GA06JT12-247); http 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmáx = 175 ° C
  • Activar / desactivar tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, Paquetes TO-247 que cumplen con RoHS. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.

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La nueva física permite que el tiristor alcance un nivel más alto

DULLES, Virginia, agosto 30, 2011 - La nueva física permite que los tiristores alcancen un nivel superior

Una red de energía eléctrica suministra energía confiable con la ayuda de dispositivos electrónicos que garantizan, flujo de energía confiable. Hasta ahora, Se ha confiado en ensamblajes a base de silicio, pero no han podido cumplir con los requisitos de la red inteligente. Materiales de banda ancha como carburo de silicio (Sic) ofrecen una mejor alternativa ya que son capaces de velocidades de conmutación más altas, un voltaje de ruptura más alto, menores pérdidas de conmutación, y una temperatura de unión más alta que los interruptores tradicionales basados ​​en silicio. El primer dispositivo de este tipo basado en SiC en llegar al mercado es el tiristor de carburo de silicio de ultra alto voltaje. (Tiristor de SiC), desarrollado por GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Virginia., con el apoyo de Sandia National Laboratories, Albuquerque, NUEVO MÉJICO., los Estados Unidos. Departamento de Energía / Suministro de Electricidad, y los estados unidos. Investigación del ejército / armamento, Centro de desarrollo e ingeniería, Picatinny Arsenal, NUEVA JERSEY.

Los desarrolladores adoptaron una física operativa diferente para este dispositivo., que opera en transporte de transportistas minoritarios y un tercer rectificador de terminal integrado, que es uno más que otros dispositivos comerciales de SiC. Los desarrolladores adoptaron una nueva técnica de fabricación que admite calificaciones superiores 6,500 V, así como un nuevo diseño de ánodo de puerta para dispositivos de alta corriente. Capaz de funcionar a temperaturas de hasta 300 C y corriente en 80 UN, el tiristor de SiC ofrece hasta 10 veces mayor voltaje, tensiones de bloqueo cuatro veces más altas, http 100 frecuencia de conmutación veces más rápida que los tiristores basados ​​en silicio.

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GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 para dispositivos de SiC en aplicaciones de energía solar y eólica conectadas a la red

DULLES, Virginia, mes de julio 14, 2011 — R&D Magazine ha seleccionado GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como receptor del prestigioso 2011 R&D 100 Premio a la comercialización de dispositivos de carburo de silicio con clasificaciones de alta tensión.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovador clave en los dispositivos de potencia basados ​​en carburo de silicio fue honrado la semana pasada con el anuncio de que ha sido galardonado con el prestigioso 2011 R&D 100 Premio. Este premio reconoce a GeneSiC por presentar uno de los más significativos, avances de investigación y desarrollo recientemente introducidos entre múltiples disciplinas durante 2010. R&D Magazine reconoció al Tiristor SiC de voltaje ultra alto de GeneSiC por su capacidad para lograr voltajes y frecuencias de bloqueo nunca antes utilizados para demostraciones de electrónica de potencia.. Las clasificaciones de voltaje de >6.5kV, corriente nominal en estado de 80 A y frecuencias de funcionamiento de >5 kHz son mucho más altos que los introducidos anteriormente en el mercado. Estas capacidades logradas por los tiristores de GeneSiC permiten fundamentalmente a los investigadores de electrónica de potencia desarrollar inversores conectados a la red., Flexible

Sistemas de transmisión de CA (HECHOS) y sistemas de CC de alto voltaje (HVDC). Esto permitirá nuevos inventos y desarrollos de productos dentro de las energías renovables., inversores solares, inversores de energía eólica, e industrias de almacenamiento de energía. Dr. Ranbir Singh, El presidente de GeneSiC Semiconductor comentó: “Se prevé que los mercados a gran escala de subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas se abrirán después de que los investigadores en el campo de la conversión de energía se den cuenta de los beneficios de los tiristores de SiC. Estos tiristores de SiC de primera generación utilizan la caída de voltaje en estado activo más baja demostrada y las resistencias de encendido diferenciales jamás logradas en los tiristores de SiC. Tenemos la intención de lanzar futuras generaciones de tiristores de SiC optimizados para la capacidad de apagado controlado por puerta y la capacidad de potencia pulsada y >10clasificaciones kV. A medida que continuamos desarrollando soluciones de envasado de voltaje ultra alto para alta temperatura, Los actuales tiristores de 6.5kV están empaquetados en módulos con contactos completamente soldados, limitado a temperaturas de unión de 150 ° C ". Desde que se lanzó este producto en octubre 2010, GeneSiC ha reservado pedidos de varios clientes para la demostración de hardware de electrónica de potencia avanzada utilizando estos tiristores de carburo de silicio. GeneSiC continúa desarrollando su familia de productos de tiristores de carburo de silicio. El r&D en la versión anterior para aplicaciones de conversión de energía se desarrolló a través del apoyo financiero SBIR del Departamento de EE. UU.. de energía. Más avanzado, Los tiristores de SiC optimizados de potencia pulsada se están desarrollando bajo otro contrato SBIR con ARDEC, Ejercítio EE.UU. Usando estos desarrollos técnicos, Inversión interna de GeneSiC y pedidos comerciales de múltiples clientes., GeneSiC pudo ofrecer estos tiristores UHV como productos comerciales.

La 49a competencia anual de tecnología dirigida por R&D Magazine evaluó las entradas de varias empresas y actores de la industria., organizaciones de investigación y universidades de todo el mundo. Los editores de la revista y un panel de expertos externos actuaron como jueces., evaluando cada entrada en términos de su importancia para el mundo de la ciencia y la investigación.

Según R.&Revista D, ganar una R&D 100 El premio proporciona una marca de excelencia conocida en la industria, gobierno, y la academia como prueba de que el producto es una de las ideas más innovadoras del año. Este premio reconoce a GeneSiC como líder mundial en la creación de productos basados ​​en tecnología que marcan la diferencia en nuestra forma de trabajar y vivir..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

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Semiconductor GeneSiC seleccionado para exhibir tecnología en 2011 Cumbre de innovación energética ARPA-E

DULLES, Virginia, Febrero 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor se complace en anunciar su selección para el prestigioso Technology Showcase en ARPA-E Energy Innovation Summit, copatrocinado por la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada del Departamento de Energía - Energía (ARPA-E) y la Organización de Industrias Sostenibles y Tecnología Limpia (ctsi). Cientos de los mejores tecnólogos y organizaciones de tecnología limpia de vanguardia compitieron para participar en el Showcase, un pasillo de las perspectivas más prometedoras de Estados Unidos para ganar el futuro en energía.

Como una de las organizaciones seleccionadas de ARPA-E, GeneSiC Semiconductor exhibirá su carburo de silicio a casi 2,000 Reunión de líderes nacionales para impulsar la competitividad estadounidense a largo plazo en el sector energético., incluidos los mejores investigadores, inversionistas, emprendedores, ejecutivos corporativos y funcionarios gubernamentales. Mas que 200 tecnologías innovadoras de los galardonados con ARPA-E, corporaciones, Laboratorios Nacionales y Departamento de Energía R&Los programas D se presentarán en el evento..

“Esta Cumbre reúne a organizaciones que entienden la necesidad de colaborar y asociarse para llevar la próxima generación de tecnologías energéticas al mercado.,”Dijo GeneSiC Semiconductor, presidente, Dr. Ranbir Singh. "Es una oportunidad única y emocionante tener a tantos actores clave en la comunidad energética juntos bajo un mismo techo y esperamos compartir nuestros dispositivos de energía de carburo de silicio con otros innovadores e inversores en el Technology Showcase".

Equipos de investigación y desarrollo empresarial de 14 También estarán presentes Corporate Acceleration Partners comprometidos con la comercialización de tecnología, incluido Dow, Bosch, Materiales aplicados y Lockheed Martin.

La Cumbre también cuenta con oradores de alto perfil, incluidos EE. UU.. Secretario de Energía Steven Chu, Director de ARPA-E Arun Majumdar, NOSOTROS. Secretario de Marina Raymond Mabus, el ex gobernador de California, Arnold Schwarzenegger, y el presidente del Bank of America, Charles Holliday.

La segunda cumbre anual de innovación energética ARPA-E tendrá lugar en febrero 28 – marzo 2, 2011 en el Centro de Convenciones Gaylord en las afueras de Washington, CORRIENTE CONTINUA. Para obtener más información o registrarse, visite: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Acerca de GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla dispositivos semiconductores de banda ancha para altas temperaturas, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, interruptores de potencia y dispositivos bipolares. GeneSiC utiliza un conjunto único y extenso de diseño de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad para una amplia gama de mercados de alto volumen.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, Ejército, NASA, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa.

Sobre ARPA-E

Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada - Energía (ARPA-E) es una nueva agencia dentro de los EE. UU.. Departamento de Energía, y el primero en centrarse exclusivamente en tecnologías energéticas innovadoras que podrían cambiar radicalmente la forma en que usamos la energía.. En lugar de realizar la investigación directamente, ARPA-E invierte en empresas de alto riesgo, tecnologías energéticas de alta recompensa que están desarrollando las universidades, Inauguración, pequeñas empresas, y corporaciones. Nuestro personal combina científicos líderes en la industria, ingenieros, y ejecutivos de inversión para identificar soluciones prometedoras a los problemas energéticos más críticos de la nación y acelerar las tecnologías de punta hacia el mercado, lo cual es fundamental para asegurar el liderazgo tecnológico global de la nación y crear nuevas industrias y empleos en Estados Unidos.. Visitar www.arpa-e.energy.govpara más información.

Sobre CTSI

La tecnología limpia & Organización de Industrias Sostenibles (ctsi), una asociación industrial sin fines de lucro 501c6, representa a las organizaciones en desarrollo, comercializando, e implementando energía, agua, y tecnologías ambientales. Las tecnologías limpias ofrecen soluciones muy necesarias para las crecientes preocupaciones sobre la seguridad y la sostenibilidad de los recursos y son fundamentales para mantener la competitividad económica.. CTSI reúne a líderes mundiales para la promoción, desarrollo comunitario, redes, e intercambio de información para ayudar a llevar estas tecnologías necesarias al mercado más rápidamente. Visitar www.ct-si.org para más información.

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GeneSiC gana el proyecto de gestión de energía de la NASA en apoyo de futuras misiones de exploración de Venus

DULLES, Virginia, diciembre 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., un innovador clave del novedoso carburo de silicio (Sic) dispositivos para alta temperatura, Alto Voltaje, y aplicaciones de voltaje ultra alto, anuncia la selección de su proyecto titulado “Dispositivos de diodo-transistor de unión súper SiC integrados para módulos de control de motores de alta potencia que operan en 500 oC ”de la Administración Nacional de Aeronáutica y del Espacio de EE. UU. (NASA) para un premio SBIR de la Fase I. Este proyecto SBIR se centra en el desarrollo de un transistor de super unión monolítico integrado SiC JBS diodo (MIDSJT) dispositivos para operar en ambientes similares a Venus (500 ° C temperaturas superficiales). Los dispositivos SiC MIDSJT desarrollados en este programa se utilizarán para construir módulos de potencia de control de motores para la integración directa con los rovers de exploración Venus..

“Estamos satisfechos con la confianza expresada por la NASA en nuestras soluciones de dispositivos de SiC de alta temperatura.. Este proyecto permitirá a GeneSiC desarrollar tecnologías de administración de energía basadas en SiC líderes en la industria a través de sus innovadoras soluciones de empaque y dispositivos.” dijo el Dr.. Siddarth Sundaresan, Director de tecnología de GeneSiC. “Los dispositivos SiC MIDSJT a los que se apunta en este programa permitirán que la potencia a nivel de kilovatios se maneje con precisión digital a temperaturas tan altas como 500 ° C. Además de las aplicaciones del espacio ultraterrestre, Esta novedosa tecnología tiene el potencial de revolucionar el hardware crítico de perforación petrolera aeroespacial y geotérmica que requiere temperaturas ambientales superiores a 200 ° C. Estas áreas de aplicación están actualmente limitadas por el bajo rendimiento a altas temperaturas de las tecnologías de dispositivos contemporáneas de silicio e incluso de SiC, como JFET y MOSFET.” él agregó.

GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa.

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Multi-kHz, Tiristores de carburo de silicio de voltaje ultra alto muestreados para investigadores de EE. UU.

DULLES, Virginia, noviembre 1, 2010 –En una oferta única en su género, GeneSiC Semiconductor anuncia la disponibilidad de una familia de tiristores de carburo de silicio en modo SCR de 6,5 kV para uso en electrónica de potencia para aplicaciones de redes inteligentes. Se espera que las revolucionarias ventajas de rendimiento de estos dispositivos de energía estimulen innovaciones clave en el hardware de la electrónica de potencia a escala de servicios públicos para aumentar la accesibilidad y la explotación de los recursos energéticos distribuidos. (EL). "Hasta ahora, carburo de silicio de varios kV (Sic) los dispositivos de potencia no estaban disponibles abiertamente para que los investigadores de EE. UU. explotaran plenamente las conocidas ventajas, es decir, frecuencias de funcionamiento de 2 a 10 kHz a valores nominales de 5 a 15 kV, de los dispositivos de potencia basados ​​en SiC ". comentó el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC. “GeneSiC ha completado recientemente la entrega de muchos 6.5kV / 40A, 6.5Tiristores kV / 60A y 6.5kV / 80A para múltiples clientes que realizan investigaciones en energías renovables, Aplicaciones del sistema de energía del ejército y la marina. Los dispositivos SiC con estas clasificaciones ahora se ofrecen de manera más amplia ".

Los tiristores basados ​​en carburo de silicio ofrecen un voltaje 10 veces mayor, 100X frecuencias de conmutación más rápidas y funcionamiento a mayor temperatura en comparación con los tiristores convencionales basados ​​en silicio. Las oportunidades de investigación de aplicaciones específicas para estos dispositivos incluyen conversión de energía de voltaje medio de propósito general (MVDC), Inversores solares conectados a la red, inversores de energía eólica, potencia pulsada, sistemas de armas, control de encendido, y control de gatillo. Ahora está bien establecido que voltaje ultra alto (>10kV) Carburo de silicio (Sic) La tecnología de dispositivos jugará un papel revolucionario en la red eléctrica de próxima generación.. Los dispositivos de SiC basados ​​en tiristores ofrecen el mayor rendimiento en estado para >5 dispositivos kV, y son ampliamente aplicables a los circuitos de conversión de potencia de voltaje medio como los limitadores de corriente de falla, Convertidores AC-DC, Compensadores VAR estáticos y compensadores en serie. Los tiristores basados ​​en SiC también ofrecen la mejor posibilidad de adopción temprana debido a sus similitudes con los elementos convencionales de la red eléctrica.. La implementación de estas tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia podría proporcionar tanto como 25-30 reducción porcentual del consumo de electricidad gracias al aumento de la eficiencia en el suministro de energía eléctrica.

Dr. Singh continúa: “Se anticipa que los mercados a gran escala en subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas se abrirán después de que los investigadores en el campo de la conversión de energía se den cuenta plenamente de los beneficios de los tiristores de SiC. Estos tiristores de SiC de primera generación utilizan la caída de voltaje en estado activo más baja demostrada y las resistencias de encendido diferenciales jamás logradas en los tiristores de SiC. Tenemos la intención de lanzar futuras generaciones de tiristores de SiC optimizados para la capacidad de apagado controlado por puerta y >10clasificaciones kV. A medida que continuamos desarrollando soluciones de envasado de voltaje ultra alto para alta temperatura, Los actuales tiristores de 6.5kV están empaquetados en módulos con contactos completamente soldados, limitado a temperaturas de unión de 150 ° C ". GeneSiC es un innovador de rápida aparición en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo.

Ubicado cerca de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, Transistores de superjunción (SJT) y una amplia variedad de dispositivos basados ​​en tiristores. GeneSiC tiene o ha tenido contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visita www.genesicsemi.com.

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GeneSiC gana $ 2.53M de ARPA-E para el desarrollo de dispositivos basados ​​en tiristores de carburo de silicio

DULLES, Virginia, Septiembre 28, 2010 - Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada - Energía (ARPA-E) ha celebrado un acuerdo de cooperación con el equipo liderado por GeneSiC Semiconductor para el desarrollo del nuevo carburo de silicio de ultra alto voltaje (Sic) Dispositivos basados ​​en tiristores. Se espera que estos dispositivos sean habilitadores clave para la integración de plantas de energía eólica y solar a gran escala en la Smart Grid de próxima generación..

“Este premio altamente competitivo para GeneSiC nos permitirá ampliar nuestra posición de liderazgo técnico en la tecnología de carburo de silicio de varios kV, así como nuestro compromiso con las soluciones de energía alternativa a escala de red con soluciones de estado sólido.,”Comentó el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC. “Los tiristores de SiC de varios kV que estamos desarrollando son la tecnología clave para la realización de sistemas de transmisión de CA flexibles (HECHOS) elementos y CC de alto voltaje (HVDC) arquitecturas concebidas para una integración, eficiente, Smart Grid del futuro. Los tiristores basados ​​en SiC de GeneSiC ofrecen un voltaje 10 veces mayor, 100X frecuencias de conmutación más rápidas y operación a mayor temperatura en las soluciones de procesamiento de energía FACTS y HVDC en comparación con los tiristores convencionales basados ​​en silicio ”.

En abril 2010, GeneSiC respondió a la entrega ágil de tecnología de energía eléctrica (ADEPTO) Solicitud de ARPA-E que buscaba invertir en materiales para avances fundamentales en interruptores de alto voltaje que tiene el potencial de superar el rendimiento del convertidor de potencia existente al tiempo que ofrece reducciones en el costo.. La propuesta de la empresa titulada "Tiristor conmutado de ánodo de carburo de silicio para conversión de potencia de media tensión" se seleccionó para proporcionar un peso ligero, de Estado sólido, Conversión de energía de media tensión para aplicaciones de alta potencia, como subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas.. La implementación de estas tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia podría proporcionar tanto como 25-30 reducción porcentual del consumo de electricidad gracias al aumento de la eficiencia en el suministro de energía eléctrica. Las innovaciones seleccionadas fueron para apoyar y promover los EE. UU.. empresas a través del liderazgo tecnológico, a través de un proceso altamente competitivo.

El carburo de silicio es un material semiconductor de próxima generación con propiedades muy superiores al silicio convencional., como la capacidad de manejar diez veces el voltaje y cien veces la corriente a temperaturas tan altas como 300ºC. Estas características lo hacen ideal para aplicaciones de alta potencia como vehículos híbridos y eléctricos., energía renovable (eólica y solar) instalaciones, y sistemas de control de la red eléctrica.

Ahora está bien establecido que voltaje ultra alto (>10kV) Carburo de silicio (Sic) La tecnología de dispositivos jugará un papel revolucionario en la red eléctrica de próxima generación.. Los dispositivos de SiC basados ​​en tiristores ofrecen el mayor rendimiento en estado para >5 dispositivos kV, y son ampliamente aplicables a los circuitos de conversión de potencia de voltaje medio como los limitadores de corriente de falla, Convertidores AC-DC, Compensadores VAR estáticos y compensadores en serie. Los tiristores basados ​​en SiC también ofrecen la mejor posibilidad de adopción temprana debido a sus similitudes con los elementos convencionales de la red eléctrica.. Otras aplicaciones y ventajas prometedoras para estos dispositivos incluyen:

  • Sistemas de gestión y acondicionamiento de energía para la conversión de CC de media tensión que se buscan en el marco de la Capacidad naval futura (FNC) de la Marina de los EE. UU., Sistemas de lanzamiento electromagnéticos, sistemas de armas de alta energía e imágenes médicas. La capacidad de frecuencia operativa 10-100X más alta permite mejoras de tamaño sin precedentes, peso, volumen y finalmente, costo de tales sistemas.
  • Una variedad de almacenamiento de energía., www.genesicsemi.com. Las aplicaciones de almacenamiento de energía y redes eléctricas están recibiendo cada vez más atención a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables..

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo.

“Hemos emergido como líderes en tecnología de SiC de voltaje ultra alto aprovechando nuestra competencia central en el diseño de dispositivos y procesos con una amplia gama de productos de fabricación., caracterización, e instalaciones de prueba,”Concluye el Dr.. www.genesicsemi.com. "La posición de GeneSiC ahora ha sido validada efectivamente por el DOE de EE. UU. Con este importante premio de seguimiento".

Acerca de GeneSiC Semiconductor

Ubicado estratégicamente cerca de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, Transistores de superjunción (SJT) y una amplia variedad de dispositivos basados ​​en tiristores. GeneSiC tiene o ha tenido contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visitawww.genesicsemi.com.

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El impulso de energía renovable genera un semiconductor GeneSiC de 1,5 millones de dólares del Departamento de Energía de EE. UU.

DULLES, Virginia, noviembre 12, 2008 – El Departamento de Energía de EE. UU. Ha otorgado a GeneSiC Semiconductor dos subvenciones separadas por un total de $ 1.5M para el desarrollo de carburo de silicio de alto voltaje. (Sic) dispositivos que servirán como habilitadores clave para el viento- e integración de la energía solar con la red eléctrica del país.

“Estos premios demuestran la confianza del DOE en las capacidades de GeneSiC, así como su apuesta por las soluciones energéticas alternativas,”Señala el Dr.. Ranbir Singh, presidente de GeneSiC. "Un integrado, La red eléctrica eficiente es fundamental para el futuro energético de la nación, y los dispositivos de SiC que estamos desarrollando son fundamentales para superar las ineficiencias de las tecnologías de silicio convencionales ".

El primer premio es una subvención SBIR de la Fase II de $ 750k para el desarrollo de, dispositivos bipolares SiC de ultra alto voltaje. El segundo es una subvención STTR de fase II de $ 750k para el desarrollo de interruptores SiC de alta potencia con compuerta óptica.

El carburo de silicio es un material semiconductor de próxima generación con la capacidad de manejar 10 veces el voltaje y 100 veces la corriente del silicio., lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia como la energía renovable (eólica y solar) instalaciones y sistemas de control de la red eléctrica.

Específicamente, los dos premios son para:

  • Desarrollo de alta frecuencia, apagado de puerta de SiC de varios kilovoltios (GTO) dispositivos de potencia. Las aplicaciones gubernamentales y comerciales incluyen sistemas de acondicionamiento y gestión de energía para barcos., la industria de servicios públicos, e imágenes médicas.
  • Diseño y fabricación de alto voltaje con compuerta óptica, dispositivos de conmutación de SiC de alta potencia. El uso de fibra óptica para cambiar la alimentación es una solución ideal para entornos plagados de interferencias electromagnéticas. (EMI), y aplicaciones que requieren voltajes ultra altos.

Los dispositivos de SiC que GeneSiC está desarrollando sirven para una variedad de almacenamiento de energía, red eléctrica, y aplicaciones militares, que están recibiendo una atención cada vez mayor a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables.

Con sede fuera de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, transistores de efecto de campo (HECHO) y dispositivos bipolares, así como partícula & detectores fotónicos. GeneSiC tiene contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visita www.genesicsemi.com.