Leistungselektronik-Technologie
Februar, 2012 – SiC: Eine robuste Leistungshalbleiterverbindung, mit der gerechnet werden muss
Leistungselektronik-Technologie (Pg 21)
November, 2011 – SiC-Super-Junction-Transistoren bieten bahnbrechende Hochtemperaturleistung
Bodos Energiesysteme (Pg 36)
Oktober, 2011 – Durchbruch bei der elektrischen Hochtemperaturleistung von SiC-Super-Junction-Transistoren
Leistungselektronik-Technologie (Pg 36)
Juli, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC-Dioden-Copack reduziert Schaltverluste
Bodos Energiesysteme (Pg 46)
Kann, 2011 – 1200 Si / ICT / SiC-Dioden-Copack mit V / 100 A für leistungselektronische Anwendungen