Halbleiter heute
Okt. 28, 2014 – GeneSiC startet verbessert, 1700-V- und 1200-V-SiC-Sperrschichttransistoren mit niedrigerem Einschaltwiderstand
Power Electronics Europe Nachrichten
Sep 5, 2013 – Die SJTs von GeneSiC bieten geringere Gesamtverluste als andere SiC-Switches
Ansteuern von SiC-Schaltern – vom Compound Semiconductor Magazine (Pg 41)
Juli 29, 2013 – SJTs bieten IGBT-Treiber-kompatiblen Betrieb
Compound Semiconductor Magazine (Pg 33)
Marsch, 2012 – SiC Electronics: Hochtemperaturversprechen nutzen
Bodos Energiesysteme (Pg 44)
Februar, 2012 – Siliziumkarbid-Thyristoren läuten die Smart-Grid-Revolution ein
