Anwendungshinweise:
AN-10A zum Ansteuern von SiC-Übergangstransistoren (SJT) mit handelsüblichen Silizium-IGBT-Gate-Treibern: Einstufiges Antriebskonzept
Kann 2013 AN-10A zum Ansteuern von SiC-Übergangstransistoren (SJT) mit handelsüblichen Silizium-IGBT-Gate-Treibern: Einstufiges Antriebskonzept
Ansteuernde SiC-Sperrschichttransistoren AN-10B (SJT): Zwei-Ebenen-Gate-Drive-Konzept
Juni 2013 Ansteuernde SiC-Sperrschichttransistoren AN-10B (SJT): Zwei-Ebenen-Gate-Drive-Konzept
Doppelpulsschalttafel
Sep 2014 Doppelpulsschalttafel
High Power Gate Treiberplatine
Sep 2014 High Power Gate Treiberplatine
Low-Power-Gate-Treiberplatine
Sep 2014 Low-Power-Gate-Treiberplatine
Technische Artikel:
1200 V-Klasse 4H-SiC “Super” Sperrschichttransistoren mit Stromverstärkungen von 88 und ultraschnelle Schaltfähigkeit
Sept, 20111200 V-Klasse 4H-SiC “Super” Sperrschichttransistoren mit Stromverstärkungen von 88 und ultraschnelle Schaltfähigkeit
1200 V SiC-„Super“-Übergangstransistoren, die bei betrieben werden 250 °C mit extrem geringen Energieverlusten für Leistungsumwandlungsanwendungen
Nov., 2011 1200 V SiC-„Super“-Übergangstransistoren, die bei betrieben werden 250 °C mit extrem geringen Energieverlusten für Leistungsumwandlungsanwendungen
Das Hochtemperatur-Versprechen von SiC . nutzen
Februar, 2012 Das Hochtemperatur-Versprechen von SiC . nutzen
Siliziumkarbid “Super” Sperrschichttransistoren, die bei 500°C arbeiten
Apr, 2012 Siliziumkarbid “Super” Sperrschichttransistoren, die bei 500°C arbeiten
Stabilität der elektrischen Eigenschaften von SiC-Super-Junction-Transistoren bei Langzeit-Gleichstrom- und Impulsbetrieb bei verschiedenen Temperaturen
Kann, 2012 Stabilität der elektrischen Eigenschaften von SiC-Super-Junction-Transistoren bei Langzeit-Gleichstrom- und Impulsbetrieb bei verschiedenen Temperaturen
