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G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit

750V G3R SiC-MOSFET

DULLES, werden, Juni 04, 2021 — Die 750-V-G3R™-SiC-MOSFETs der nächsten Generation von GeneSiC bieten ein beispielloses Leistungsniveau, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehören niedrige Einschaltzustandsabfälle bei Betriebstemperaturen, schnellere Schaltgeschwindigkeiten, erhöhte Leistungsdichte, minimales Klingeln (niedrige EMI) und kompakte Systemgröße. G3R™ von GeneSiC, angeboten in optimierten diskreten Paketen mit niedriger Induktivität (SMD und Durchgangsloch), sind optimiert für den Betrieb mit geringsten Leistungsverlusten unter allen Betriebsbedingungen und ultraschnellen Schaltgeschwindigkeiten. Diese Bauelemente haben im Vergleich zu modernen SiC-MOSFETs ein wesentlich besseres Leistungsniveau.

750V G3R SiC-MOSFET

„Die hocheffiziente Energienutzung ist bei Stromrichtern der nächsten Generation zu einem entscheidenden Faktor geworden, und SiC-Leistungsgeräte sind weiterhin die Schlüsselkomponenten, die diese Revolution vorantreiben. Nach jahrelanger Entwicklungsarbeit zum Erreichen des niedrigsten Durchlasswiderstandes und einer robusten Kurzschluss- und Lawinenleistung, Wir freuen uns, die leistungsstärksten 750-V-SiC-MOSFETs der Branche auf den Markt zu bringen. Unser G3R™ ermöglicht Entwicklern von Leistungselektronik, die anspruchsvolle Effizienz zu erfüllen, Leistungsdichte und Qualitätsziele in Anwendungen wie Solarwechselrichtern, On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Server-/Telekom-Netzteile. Eine gesicherte Qualität, unterstützt durch schnelle Durchlaufzeiten und automobilqualifizierte Großserienfertigung verbessert ihr Wertversprechen weiter. ” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Niedrigste Gate-Gebühr der Branche (Q.G) und interner Gate-Widerstand (RG(INT))
  • Niedrigstes RDS(AUF) mit der Temperatur ändern
  • Niedrige Ausgangskapazität (CUNS) und Miler-Kapazität (CGD)
  • 100% Lawine (UIL) während der Produktion getestet
  • Branchenführende Kurzschlussfestigkeit
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode mit niedrigem VF. und niedriges QRR
  • Hohe und stabile Gate-Schwellenspannung (V.TH) über alle Temperatur- und Drain-Bias-Bedingungen
  • Fortschrittliche Verpackungstechnologie für geringeren Wärmewiderstand und geringeres Klingeln
  • Fertigungsgleichmäßigkeit von RDS(AUF), V.TH und Durchbruchspannung (BV)
  • Umfassendes Produktportfolio und sicherere Lieferkette mit automobilqualifizierter Massenfertigung

Anwendungen –

  • Solar (PV) Wechselrichter
  • EV / HEV-Onboard-Ladegeräte
  • Server & Telekommunikationsnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
  • DC-DC-Wandler
  • Netzteile im Schaltmodus (SMPS)
  • Energiespeicherung und Batterieladung
  • Induktionsheizung

Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC Semiconductor sind für Automobilanwendungen vorgesehen (AEC-q101) und PPAP-fähig.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support

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Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiCs neue SiC-MOSFETs der 3. Generation mit den branchenweit besten Vorzügen

DULLES, werden, Februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors 1200V G3R ™ SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit RDS(AUF) Niveaus von 20 mΩ bis 350 mΩ liefern beispiellose Leistungsniveaus, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehört eine höhere Effizienz, schnellere Schaltfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduziertes Klingeln (EMI) und kompakte Systemgröße.

GeneSiC gibt die Verfügbarkeit seiner branchenführenden Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation bekannt, die branchenführende Leistung bieten, Robustheit und Qualität, um noch nie dagewesene Effizienz- und Systemzuverlässigkeitsniveaus in Automobil- und Industrieanwendungen zu nutzen.

Diese G3R ™ SiC-MOSFETs, angeboten in optimierten diskreten Paketen mit niedriger Induktivität (SMD und Durchgangsloch), sind hochoptimiert für Stromversorgungssysteme, die einen erhöhten Wirkungsgrad und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Diese Geräte weisen im Vergleich zu Konkurrenzprodukten wesentlich bessere Leistungsniveaus auf. Eine gesicherte Qualität, Unterstützt durch die schnelle Abwicklung der Massenfertigung wird das Wertversprechen weiter verbessert.

„Nach Jahren der Entwicklung wird darauf hingearbeitet, den niedrigsten Einschaltwiderstand und eine verbesserte Kurzschlussleistung zu erzielen, Wir freuen uns, die branchenweit leistungsstärksten 1200-V-SiC-MOSFETs mit über 15+ diskrete und Bare-Chip-Produkte. Wenn die Leistungselektroniksysteme der nächsten Generation die herausfordernde Effizienz erfüllen sollen, Leistungsdichte- und Qualitätsziele in Anwendungen wie der Automobilindustrie, industriell, erneuerbare Energie, Transport, IT und Telekommunikation, Dann erfordern sie eine deutlich verbesserte Geräteleistung und Zuverlässigkeit im Vergleich zu derzeit verfügbaren SiC-MOSFETs” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Superior Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl – G3R ™ SiC-MOSFETs weisen den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand bei sehr geringer Gate-Ladung auf, was zu 20% Bessere Leistungszahl als jedes andere ähnliche Konkurrenzgerät
  • Geringe Leitungsverluste bei allen Temperaturen – Die MOSFETs von GeneSiC weisen die geringste Temperaturabhängigkeit des Zustandswiderstands auf und bieten bei allen Temperaturen sehr geringe Leitungsverluste; deutlich besser als alle anderen Graben- und planaren SiC-MOSFETs auf dem Markt
  • 100 % Lawine getestet – Eine robuste UIL-Fähigkeit ist eine wichtige Voraussetzung für die meisten Feldanwendungen. GeneSiCs 1200V SiC MOSFET diskret sind 100 % Lawine (UIL) während der Produktion getestet
  • Niedrige Gate-Ladung und niedriger interner Gate-Widerstand – Diese Parameter sind entscheidend für die Realisierung eines ultraschnellen Schaltens und die Erzielung höchster Wirkungsgrade (niedrige Eon-Eoff) über einen weiten Bereich von Anwendungsschaltfrequenzen
  • Normalerweise ausgeschalteter stabiler Betrieb bis 175 ° C. – Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC wurden mit modernsten Verfahren entwickelt und hergestellt, um Produkte zu liefern, die unter allen Betriebsbedingungen stabil und zuverlässig sind, ohne dass das Risiko einer Fehlfunktion besteht. Die überlegene Gateoxidqualität dieser Vorrichtungen verhindert jegliche Schwelle (V.TH) Drift
  • Niedrige Gerätekapazitäten – G3R ™ sind so konzipiert, dass sie mit ihren geringen Gerätekapazitäten schneller und effizienter fahren - Ciss, Coss und Crss
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode mit geringer Eigenladung – Die MOSFETs von GeneSiC zeichnen sich durch eine niedrige Reverse-Recovery-Gebühr aus (Q.RR) bei allen Temperaturen; 30% besser als jedes ähnlich bewertete Konkurrenzgerät. Dies bietet eine weitere Reduzierung der Leistungsverluste und erhöht die Betriebsfrequenzen
  • Benutzerfreundlichkeit – G3R ™ SiC-MOSFETs sind für eine Ansteuerung mit +15 V ausgelegt / -5V-Gate-Antrieb. Dies bietet die größtmögliche Kompatibilität mit vorhandenen kommerziellen IGBT- und SiC-MOSFET-Gate-Treibern

Anwendungen –

  • Elektrisches Fahrzeug – Antriebsstrang und Aufladen
  • Solar Wechselrichter und Energiespeicher
  • Industriemotorantrieb
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
  • Schaltnetzteil (SMPS)
  • Bidirektionale DC-DC-Wandler
  • Smart Grid und HGÜ
  • Induktionserwärmung und Schweißen
  • Gepulste Kraftanwendung

Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support

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Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC Semiconductor sind für Automobilanwendungen vorgesehen (AEC-q101) und PPAP-fähig. Alle Geräte werden im Industriestandard D2PAK angeboten, TO-247- und SOT-227-Pakete.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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Die SiS-MOSFETs mit 3300 V und 1700 V und 1000 mΩ von GeneSiC revolutionieren die Miniaturisierung von Hilfsstromversorgungen

DULLES, werden, Dezember 4, 2020 — GeneSiC kündigt die Verfügbarkeit branchenführender diskreter 3300V- und 1700V-SiC-MOSFETs an, die für eine beispiellose Miniaturisierung optimiert sind, Zuverlässigkeit und Energieeinsparungen bei der industriellen Haushaltsleistung.

GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant eines umfassenden Portfolios von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter, kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit von SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit 3300 V und 1700 V und 1000 mΩ an - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, und G2R1000MT33J. Diese SiC-MOSFETs ermöglichen überlegene Leistungsniveaus, basierend auf Flaggschiff Figures of Merit (FoM) die Stromversorgungssysteme im gesamten Energiespeicher verbessern und vereinfachen, erneuerbare Energie, Industriemotoren, Allzweckwechselrichter und Industriebeleuchtung. Produkte freigegeben sind:

G2R1000MT33J - 3300 V 1000 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET

G2R1000MT17D - 1700 V 1000 mΩ TO-247-3 SiC-MOSFET

G2R1000MT17J - 1700 V 1000 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET

G3R450MT17D - 1700 V 450 mΩ TO-247-3 SiC-MOSFET

G3R450MT17J - 1700 V 450 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET

Die neuen 3300V- und 1700V-SiC-MOSFETs von GeneSiC, Erhältlich in den Optionen 1000 mΩ und 450 mΩ als diskrete SMD- und Through-Hole-Pakete, sind hochoptimiert für Stromversorgungssysteme, die einen erhöhten Wirkungsgrad und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Diese Geräte weisen im Vergleich zu Konkurrenzprodukten wesentlich bessere Leistungsniveaus auf. Eine gesicherte Qualität, Unterstützt durch eine schnelle Abwicklung der Massenfertigung wird das Wertversprechen weiter verbessert.

„In Anwendungen wie 1500-V-Solarwechselrichtern, Der MOSFET in der Hilfsstromversorgung muss möglicherweise Spannungen im Bereich von 2500 V standhalten, abhängig von der Eingangsspannung, Windungsverhältnis des Transformators und der Ausgangsspannung. MOSFETs mit hoher Durchbruchspannung machen in Flyback die Notwendigkeit von in Reihe geschalteten Schaltern überflüssig, Boost- und Forward-Wandler reduzieren dadurch die Anzahl der Teile und die Schaltungskomplexität. Mit den diskreten SiC-MOSFETs 3300V und 1700V von GeneSiC können die Entwickler eine einfachere Topologie auf Einzelschalterbasis verwenden und gleichzeitig den Kunden zuverlässige Lösungen bieten, kompaktes und kostengünstiges System” sagte Sumit Jadav, Senior Applications Manager bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Überlegener Preis-Leistungs-Index
  • Flaggschiff Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl
  • Niedrige Eigenkapazität und niedrige Gate-Ladung
  • Geringe Verluste bei allen Temperaturen
  • Hohe Lawinen- und Kurzschlussfestigkeit
  • Benchmark-Schwellenspannung für einen normalerweise ausgeschalteten stabilen Betrieb bis 175 ° C.

Anwendungen –

  • Erneuerbare Energie (Solarwechselrichter) und Energiespeicher
  • Industriemotoren (und Bindung)
  • Allzweckwechselrichter
  • Industriebeleuchtung
  • Piezo-Treiber
  • Ionenstrahlgeneratoren

Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.