DULLES, werden, Juli 14, 2011 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2011 R&D 100 Auszeichnung für die Vermarktung von Siliziumkarbidgeräten mit hohen Spannungswerten.
GeneSiC Semiconductor Inc., Ein wichtiger Innovator bei den auf Siliziumkarbid basierenden Stromversorgungsgeräten wurde letzte Woche mit der Ankündigung geehrt, dass er mit dem prestigeträchtigen Preis ausgezeichnet wurde 2011 R&D 100 Vergeben. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC für die Einführung eines der bedeutendsten, neu eingeführte Forschungs- und Entwicklungsfortschritte zwischen mehreren Disziplinen während 2010. R&Das D Magazine würdigte den Ultrahochspannungs-SiC-Thyristor von GeneSiC für seine Fähigkeit, Sperrspannungen und -frequenzen zu erreichen, die noch nie zuvor für Demonstrationen der Leistungselektronik verwendet wurden. Die Nennspannungen von >6.5kV, Einschaltstromstärke von 80 A und Betriebsfrequenzen von >5 kHz sind viel höher als die zuvor auf dem Markt eingeführten. Diese von den Thyristoren von GeneSiC erreichten Fähigkeiten ermöglichen es Forschern der Leistungselektronik, netzgebundene Wechselrichter zu entwickeln, Flexibel
AC-Übertragungssysteme (FAKTEN) und Hochspannungs-Gleichstromsysteme (HGÜ). Dies ermöglicht neue Erfindungen und Produktentwicklungen im Bereich der erneuerbaren Energien, Solarwechselrichter, Windkraftwechselrichter, und Energiespeicherindustrie. DR. Ranbir Singh, Der Präsident von GeneSiC Semiconductor kommentierte: „Es wird erwartet, dass sich große Märkte für Festkörper-Umspannwerke und Windturbinengeneratoren öffnen werden, nachdem Forscher auf dem Gebiet der Stromumwandlung die Vorteile von SiC-Thyristoren voll ausschöpfen werden. Diese SiC-Thyristoren der ersten Generation verwenden den niedrigsten nachgewiesenen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und die niedrigsten Einschaltwiderstände, die jemals bei SiC-Thyristoren erzielt wurden. Wir beabsichtigen, zukünftige Generationen von SiC-Thyristoren herauszubringen, die für die Gate-gesteuerte Ausschaltfähigkeit und die Impulsleistungsfähigkeit optimiert sind >10kV-Nennwerte. Während wir weiterhin Hochtemperatur-Ultrahochspannungs-Verpackungslösungen entwickeln, Die vorliegenden 6,5-kV-Thyristoren sind in Modulen mit vollständig gelöteten Kontakten verpackt, begrenzt auf Sperrschichttemperaturen von 150 ° C. “ Seit dieser Produkteinführung im Oktober 2010, GeneSiC hat Aufträge von mehreren Kunden zur Demonstration fortschrittlicher Leistungselektronik-Hardware mit diesen Siliziumkarbid-Thyristoren gebucht. GeneSiC entwickelt seine Familie von Siliziumkarbid-Thyristor-Produkten weiter. Das R&Die frühe Version für Stromumwandlungsanwendungen wurde durch SBIR-Finanzierungsunterstützung durch die US-Abteilung entwickelt. der Energie. Weiter fortgeschritten, Pulsleistungsoptimierte SiC-Thyristoren werden im Rahmen eines weiteren SBIR-Vertrags mit ARDEC entwickelt, US-Armee. Nutzung dieser technischen Entwicklungen, interne Investition von GeneSiC und kommerzielle Bestellungen von mehreren Kunden, GeneSiC konnte diese UHV-Thyristoren als kommerzielle Produkte anbieten.
Der 49. jährliche Technologiewettbewerb von R.&Das D Magazine bewertete die Beiträge verschiedener Unternehmen und Branchenakteure, Forschungsorganisationen und Universitäten auf der ganzen Welt. Als Juroren fungierten die Herausgeber des Magazins und eine Jury aus externen Experten, Bewertung jedes Eintrags hinsichtlich seiner Bedeutung für die Welt der Wissenschaft und Forschung.
Laut R&D-Magazin, ein R gewinnen&D 100 Die Auszeichnung ist ein in der Industrie bekanntes Gütesiegel, Regierung, und Wissenschaft als Beweis dafür, dass das Produkt eine der innovativsten Ideen des Jahres ist. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC als weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung technologiebasierter Produkte, die unsere Arbeits- und Lebensweise verändern.
Über GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.
