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5650-V-SiC-Schottky-MPS ™ -Dioden der Generation für erstklassige Effizienz

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLES, werden, Kann 28, 2021 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiterbauelemente, gibt die Verfügbarkeit der 5. Generation bekannt (GE***-Serie) SiC Schottky MPS™ Gleichrichter, die mit ihrem überragenden Preis-Leistungs-Verhältnis neue Maßstäbe setzen, branchenführende Stoßstrom- und Lawinenrobustheit, und hochwertige Verarbeitung.

„GeneSiC war einer der ersten SiC-Hersteller, der SiC-Schottky-Gleichrichter in 2011. Nach mehr als einem Jahrzehnt Lieferung von leistungsstarken und hochwertigen SiC-Gleichrichtern in der Industrie, Wir freuen uns, unsere 5. Generation von SiC Schottky MPS™ veröffentlichen zu können (Merged-PiN-Schottky) Dioden, die in allen Aspekten branchenführende Leistung bieten, um die Ziele einer hohen Effizienz und Leistungsdichte in Anwendungen wie Server-/Telekommunikationsnetzteilen und Batterieladegeräten zu erreichen. Das revolutionäre Feature, das unsere 5. Generation ausmacht (GE***-Serie) SiC Schottky MPS™ Dioden heben sich von ihren Mitbewerbern durch die niedrige eingebaute Spannung (auch als Kniespannung bekannt);es ermöglicht niedrigste Diodenleitungsverluste bei allen Lastbedingungen – entscheidend für Anwendungen, die einen hocheffizienten Energieverbrauch erfordern. Im Gegensatz zu anderen Wettbewerbern sind SiC-Dioden auch auf Low-Knee-Eigenschaften ausgelegt, Ein zusätzliches Merkmal unserer Gen5-Diodendesigns ist, dass sie immer noch dieses hohe Lawinenniveau beibehalten (UIL) Robustheit, die unsere Kunden von GeneSiCs Gen3 . erwarten (GC***-Serie) und Gen4 (GD***-Serie) SiC Schottky MPS ™” sagte Dr.. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Niedrige eingebaute Spannung – Niedrigste Leitungsverluste für alle Lastbedingungen
  • Überlegene Verdienstzahl – QC x VF
  • Optimale Preisleistung
  • Verbesserte Stoßstromfähigkeit
  • 100% Lawine (UIL) Geprüft
  • Niedriger Wärmewiderstand für kühleren Betrieb
  • Null Vorwärts- und Rückwärtswiederherstellung
  • Temperaturunabhängiges schnelles Schalten
  • Positiver Temperaturkoeffizient von VF

Anwendungen –

  • Boost-Diode bei der Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Server- und Telekommunikationsnetzteile
  • Solar Wechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
  • Batterieladegeräte
  • Freilauf / Antiparallele Diode in Wechselrichtern

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalter auf SiC-Basis

DULLES, werden, Dezember 5, 2019 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2019 R&D 100 Auszeichnung für die Entwicklung eines monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalters auf SiC-Basis.

GeneSiC Semiconductor Inc., ein wichtiger Innovator bei den auf Siliziumkarbid basierenden Leistungsgeräten wurde mit der Ankündigung geehrt, dass ihm die prestigeträchtige 2019 R&D 100 Vergeben. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC für die Einführung eines der bedeutendsten, neu eingeführte Forschungs- und Entwicklungsfortschritte zwischen mehreren Disziplinen während 2018. R&Das D Magazine würdigte die Mittelspannungs-SiC-Leistungsbauelementtechnologie von GeneSiC für ihre Fähigkeit, MOSFET und Schottky-Gleichrichter monolithisch auf einem einzigen Chip zu integrieren. Diese Fähigkeiten, die das Gerät von GeneSiC erreicht, ermöglichen es Forschern der Leistungselektronik, leistungselektronische Systeme der nächsten Generation wie Wechselrichter und DC-DC-Wandler zu entwickeln. Dies wird Produktentwicklungen innerhalb von Elektrofahrzeugen ermöglichen, Ladeinfrastruktur, Erneuerbare Energien und Energiespeicherindustrie. GeneSiC hat von mehreren Kunden Aufträge zur Demonstration fortschrittlicher Leistungselektronik-Hardware mit diesen Geräten erhalten und entwickelt seine Familie von Siliziumkarbid-MOSFET-Produkten weiter. Das R&D eine frühe Version für Leistungsumwandlungsanwendungen wurde von der US-Abteilung entwickelt. of Energy und Zusammenarbeit mit Sandia National Laboratories.

Der jährliche Technologiewettbewerb von R&Das D Magazine bewertete die Beiträge verschiedener Unternehmen und Branchenakteure, Forschungsorganisationen und Universitäten auf der ganzen Welt. Als Juroren fungierten die Herausgeber des Magazins und eine Jury aus externen Experten, Bewertung jedes Eintrags hinsichtlich seiner Bedeutung für die Welt der Wissenschaft und Forschung.

Laut R&D-Magazin, ein R gewinnen&D 100 Die Auszeichnung ist ein in der Industrie bekanntes Gütesiegel, Regierung, und Wissenschaft als Beweis dafür, dass das Produkt eine der innovativsten Ideen des Jahres ist. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC als weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung technologiebasierter Produkte, die unsere Arbeits- und Lebensweise verändern.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.

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Hochstromfähige 650V, 1200SiC Schottky MPS ™ -Dioden mit V und 1700 V im Mini-Modul SOT-227

DULLES, werden, Kann 11, 2019 — GeneSiC wird Marktführer bei Hochstrom-fähigen Geräten (100 A und 200 EIN) SiC-Schottky-Dioden im SOT-227-Minimodul

GeneSiC hat GB2X50MPS17-227 eingeführt, GC2X50MPS06-227 und GC2X100MPS06-227; die branchenweit höchsten Strom-Nenn-650C- und 1700V-SiC-Schottky-Dioden, Erweiterung des bestehenden Portfolios an 1200-V-SiC-Schottky-Dioden-Minimodulen - GB2X50MPS12-227 und GB2X100MPS12-227. Diese SiC-Dioden ersetzen ultraschnelle Wiederherstellungsdioden auf Siliziumbasis, So können Ingenieure Schaltkreise mit höherer Effizienz und höherer Leistungsdichte bauen. Zu den Anwendungen gehören Schnellladegeräte für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe, Transportstromversorgungen, Hochleistungsgleichrichtung und industrielle Stromversorgungen.

Neben der isolierten Grundplatte des SOT-227 Mini-Modul-Pakets, Diese neu freigegebenen Dioden weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf, Null Vorwärtswiederherstellung, Null-Rückwärtswiederherstellung, niedrige Sperrschichtkapazität und für eine maximale Betriebstemperatur von 175 ° C ausgelegt. Die SiC-Schottky-Diodentechnologie der dritten Generation von GeneSiC bietet branchenführende Lawinen-Robustheit und Stoßstrom (Ifsm) Robustheit, kombiniert mit hochwertiger, für die Automobilindustrie qualifizierter 6-Zoll-Fertigung und fortschrittlicher diskreter Montagetechnologie mit hoher Zuverlässigkeit.

Diese SiC-Dioden sind pin-kompatibler direkter Ersatz für andere im SOT-227 verfügbare Dioden (Mini-Modul) Paket. Profitieren Sie von ihren geringeren Leistungsverlusten (Kühlerbetrieb) und Hochfrequenzschaltfähigkeit, Designer können jetzt eine höhere Umwandlungseffizienz und eine höhere Leistungsdichte bei Entwürfen erzielen.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.

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GeneSiC veröffentlicht das branchenweit leistungsstärkste 1700-V-SiC-Schottky-MPS™ Dioden

DULLES, werden, Januar 7, 2019 — GeneSiC veröffentlicht ein umfassendes Portfolio seiner 1700 V SiC Schottky MPS ™ -Dioden der dritten Generation im TO-247-2-Gehäuse

GeneSiC hat GB05MPS17-247 eingeführt, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 und GB50MPS17-247; Die branchenweit leistungsstärksten 1700-V-SiC-Dioden, die im beliebten TO-247-2-Durchgangsbohrungspaket erhältlich sind. Diese 1700-V-SiC-Dioden ersetzen ultraschnelle Wiederherstellungsdioden auf Siliziumbasis und andere 1700-V-SiC-JBS der alten Generation, So können Ingenieure Schaltkreise mit höherer Effizienz und höherer Leistungsdichte bauen. Zu den Anwendungen gehören Schnellladegeräte für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe, Transportstromversorgungen und erneuerbare Energien.

GB50MPS17-247 ist eine 1700 V 50 A SiC-Merged-PiN-Schottky-Diode, die branchenweit höchste diskrete SiC-Leistungsdiode mit Nennstrom. Diese neu freigegebenen Dioden weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf, Null Vorwärtswiederherstellung, Null-Rückwärtswiederherstellung, niedrige Sperrschichtkapazität und für eine maximale Betriebstemperatur von 175 ° C ausgelegt. Die SiC-Schottky-Diodentechnologie der dritten Generation von GeneSiC bietet branchenführende Lawinen-Robustheit und Stoßstrom (Ifsm) Robustheit, kombiniert mit hochwertiger, für die Automobilindustrie qualifizierter 6-Zoll-Gießerei und fortschrittlicher diskreter Montagetechnologie mit hoher Zuverlässigkeit.

Diese SiC-Dioden sind pin-kompatibler direkter Ersatz für andere Dioden, die im TO-247-2-Gehäuse enthalten sind. Profitieren Sie von ihren geringeren Leistungsverlusten (Kühlerbetrieb) und Hochfrequenzschaltfähigkeit, Designer können jetzt eine höhere Umwandlungseffizienz und eine höhere Leistungsdichte bei Entwürfen erzielen.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.