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GeneSiCs branchenführende 6,5-kV-SiC-MOSFETs – die Avantgarde für eine neue Welle von Anwendungen

6.5kV-SiC-MOSFETs

DULLES, werden, Oktober 20, 2020 — GeneSiC bringt 6,5-kV-Siliziumkarbid-MOSFETs auf den Markt, um eine Vorreiterrolle bei der Bereitstellung beispielloser Leistung zu spielen, Effizienz und Zuverlässigkeit bei Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen wie Traktion, gepulste Energie- und Smart-Grid-Infrastruktur.

GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter, gibt heute die sofortige Verfügbarkeit von 6,5-kV-SiC-MOSFET-Bare-Chips bekannt - G2R300MT65-CAL und G2R325MS65-CAL. Vollständige SiC-Module, die diese Technologie nutzen, werden in Kürze veröffentlicht. Anwendungen werden voraussichtlich Traktion beinhalten, gepulste Leistung, Smart-Grid-Infrastruktur und andere Mittelspannungs-Stromrichter.

G2R300MT65-CAL - 6,5 kV 300 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET-Bare-Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5 kV 325 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET (mit Integrated-Schottky) Nackter Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5 kV 100 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET-Bare-Chip

Die Innovation von GeneSiC umfasst einen doppelt implantierten SiC-Metalloxidhalbleiter (DMOSFET) Gerätestruktur mit einer Sperrschicht schottky (JBS) Gleichrichter in die SiC-DMOSFET-Einheitszelle integriert. Dieses hochmoderne Leistungsgerät kann in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungsschaltungen in der nächsten Generation von Leistungsumwandlungssystemen verwendet werden. Weitere wichtige Vorteile sind eine effizientere bidirektionale Leistung, temperaturunabhängiges Schalten, geringe Schalt- und Leitungsverluste, reduzierter Kühlbedarf, Überlegene Langzeitzuverlässigkeit, Einfache Parallelisierung von Geräten und Kostenvorteile. Die Technologie von GeneSiC bietet überlegene Leistung und hat auch das Potenzial, den Netto-SiC-Material-Footprint in Stromrichtern zu reduzieren.

“Die 6,5-kV-SiC-MOSFETs von GeneSiC wurden auf 6-Zoll-Wafern entwickelt und hergestellt, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen, höchste Qualität, und überlegener Preis-Leistungs-Index. Diese MOSFET-Technologie der nächsten Generation verspricht vorbildliche Leistung, Überlegene Robustheit und Langzeitzuverlässigkeit bei Mittelspannungs-Stromumwandlungsanwendungen.” sagte DR. Siddarth Sundaresan, VP of Technology bei GeneSiC Semiconductor.

Die 6,5-kV-G2R ™ SiC-MOSFET-Technologie von GeneSiC bietet Funktionen –

  • Hohe Lawine (UIS) und Kurzschluss-Robustheit
  • Superior Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl
  • Temperaturunabhängige Schaltverluste
  • Niedrige Kapazitäten und niedrige Gate-Ladung
  • Geringe Verluste bei allen Temperaturen
  • Normalerweise ausgeschalteter stabiler Betrieb bis 175 ° C.
  • +20 V. / -5 V-Gate-Antrieb

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiC gewinnt 2,53 Millionen Dollar von ARPA-E für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Thyristor-basierten Geräten

DULLES, werden, September 28, 2010 - Agentur für fortgeschrittene Forschungsprojekte - Energie (ARPA-E) hat mit dem von GeneSiC Semiconductor geleiteten Team eine Kooperationsvereinbarung über die Entwicklung des neuartigen Ultrahochspannungs-Siliziumkarbids geschlossen (SiC) Geräte auf Thyristorbasis. Diese Geräte werden voraussichtlich die wichtigsten Voraussetzungen für die Integration großer Wind- und Solarkraftwerke in das Smart Grid der nächsten Generation sein.

„Mit dieser wettbewerbsintensiven Auszeichnung für GeneSiC können wir unsere technische Führungsposition in der Multi-kV-Siliziumkarbid-Technologie ausbauen, sowie unser Engagement für alternative Energielösungen im Netzmaßstab mit Festkörperlösungen,Kommentierte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. „Von uns entwickelte Multi-kV-SiC-Thyristoren sind die Schlüsseltechnologie für die Realisierung flexibler Wechselstromübertragungssysteme (FAKTEN) Elemente und Hochspannung DC (HGÜ) Architekturen für eine integrierte vorgesehen, effizient, Smart Grid der Zukunft. Die SiC-basierten Thyristoren von GeneSiC bieten eine 10-mal höhere Spannung, 100X schnellere Schaltfrequenzen und Betrieb bei höheren Temperaturen in FACTS- und HGÜ-Leistungsverarbeitungslösungen im Vergleich zu herkömmlichen Thyristoren auf Siliziumbasis. “

Im April 2010, GeneSiC reagierte auf die agile Lieferung elektrischer Energietechnologie (GESCHICKT) Aufforderung von ARPA-E, in Materialien für grundlegende Fortschritte bei Hochspannungsschaltern zu investieren, die das Potenzial haben, die Leistung bestehender Stromrichter zu übertreffen und gleichzeitig Kosten zu senken. Der Vorschlag des Unternehmens mit dem Titel "Siliziumkarbidanodengeschalteter Thyristor für die Umwandlung von Mittelspannungsleistung" wurde ausgewählt, um ein geringes Gewicht zu erzielen, fester Zustand, Mittelspannungs-Energieumwandlung für Hochleistungsanwendungen wie Festkörper-Umspannwerke und Windkraftanlagen. Der Einsatz dieser fortschrittlichen Leistungshalbleitertechnologien könnte bis zu a 25-30 prozentuale Reduzierung des Stromverbrauchs durch höhere Effizienz bei der Lieferung von Strom. Die ausgewählten Innovationen sollten die USA unterstützen und fördern. Unternehmen durch Technologieführerschaft, durch einen hart umkämpften Prozess.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit weit überlegenen Eigenschaften gegenüber herkömmlichem Silizium, B. die Fähigkeit, die zehnfache Spannung - und die hundertfache Stromstärke - bei Temperaturen von bis zu 300 ° C zu verarbeiten. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energie (Wind und Sonne) Installationen, und Stromnetzsteuerungssysteme.

Es ist mittlerweile gut etabliert, dass Ultrahochspannung (>10kV) Siliziumkarbid (SiC) Die Gerätetechnologie wird im Versorgungsnetz der nächsten Generation eine revolutionäre Rolle spielen. SiC-Bauelemente auf Thyristorbasis bieten die höchste Einschaltleistung für >5 kV-Geräte, und sind weit verbreitet für Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsschaltungen wie Fehlerstrombegrenzer, AC-DC-Wandler, Statische VAR-Kompensatoren und Serienkompensatoren. Thyristoren auf SiC-Basis bieten aufgrund ihrer Ähnlichkeit mit herkömmlichen Stromnetzelementen auch die besten Chancen für eine frühzeitige Einführung. Weitere vielversprechende Anwendungen und Vorteile für diese Geräte sind:

  • Energieverwaltungs- und Energiekonditionierungssysteme für die Mittelspannungs-Gleichstromumwandlung, die unter Future Naval Capability gesucht werden (FNC) der US Navy, Elektromagnetische Abschusssysteme, Hochenergie-Waffensysteme und medizinische Bildgebung. Die 10-100-fach höhere Betriebsfrequenz ermöglicht beispiellose Größenverbesserungen, Gewicht, Volumen und letztendlich, Kosten solcher Systeme.
  • Eine Vielzahl von Energiespeichern, Hochtemperatur- und Hochenergiephysikanwendungen. Energiespeicher- und Stromnetzanwendungen erhalten zunehmend Aufmerksamkeit, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration.

“Wir haben uns als führend in der Ultrahochspannungs-SiC-Technologie herausgestellt, indem wir unsere Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign mit einer umfangreichen Fertigungssuite genutzt haben, Charakterisierung, und Testeinrichtungen,Schließt Dr.. Singh. "Die Position von GeneSiC wurde jetzt vom US DOE mit dieser bedeutenden Folgeauszeichnung effektiv bestätigt."

Über GeneSiC Semiconductor

Strategisch in der Nähe von Washington gelegen, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, SuperJunction-Transistoren (SJT) und eine Vielzahl von Thyristor-basierten Geräten. GeneSiC hat oder hatte Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, Heer, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuchewww.genesicsemi.com.