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G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit

750V G3R SiC-MOSFET

DULLES, werden, Juni 04, 2021 — Die 750-V-G3R™-SiC-MOSFETs der nächsten Generation von GeneSiC bieten ein beispielloses Leistungsniveau, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehören niedrige Einschaltzustandsabfälle bei Betriebstemperaturen, schnellere Schaltgeschwindigkeiten, erhöhte Leistungsdichte, minimales Klingeln (niedrige EMI) und kompakte Systemgröße. G3R™ von GeneSiC, angeboten in optimierten diskreten Paketen mit niedriger Induktivität (SMD und Durchgangsloch), sind optimiert für den Betrieb mit geringsten Leistungsverlusten unter allen Betriebsbedingungen und ultraschnellen Schaltgeschwindigkeiten. Diese Bauelemente haben im Vergleich zu modernen SiC-MOSFETs ein wesentlich besseres Leistungsniveau.

750V G3R SiC-MOSFET

„Die hocheffiziente Energienutzung ist bei Stromrichtern der nächsten Generation zu einem entscheidenden Faktor geworden, und SiC-Leistungsgeräte sind weiterhin die Schlüsselkomponenten, die diese Revolution vorantreiben. Nach jahrelanger Entwicklungsarbeit zum Erreichen des niedrigsten Durchlasswiderstandes und einer robusten Kurzschluss- und Lawinenleistung, Wir freuen uns, die leistungsstärksten 750-V-SiC-MOSFETs der Branche auf den Markt zu bringen. Unser G3R™ ermöglicht Entwicklern von Leistungselektronik, die anspruchsvolle Effizienz zu erfüllen, Leistungsdichte und Qualitätsziele in Anwendungen wie Solarwechselrichtern, On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Server-/Telekom-Netzteile. Eine gesicherte Qualität, unterstützt durch schnelle Durchlaufzeiten und automobilqualifizierte Großserienfertigung verbessert ihr Wertversprechen weiter. ” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Niedrigste Gate-Gebühr der Branche (Q.G) und interner Gate-Widerstand (RG(INT))
  • Niedrigstes RDS(AUF) mit der Temperatur ändern
  • Niedrige Ausgangskapazität (CUNS) und Miler-Kapazität (CGD)
  • 100% Lawine (UIL) während der Produktion getestet
  • Branchenführende Kurzschlussfestigkeit
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode mit niedrigem VF. und niedriges QRR
  • Hohe und stabile Gate-Schwellenspannung (V.TH) über alle Temperatur- und Drain-Bias-Bedingungen
  • Fortschrittliche Verpackungstechnologie für geringeren Wärmewiderstand und geringeres Klingeln
  • Fertigungsgleichmäßigkeit von RDS(AUF), V.TH und Durchbruchspannung (BV)
  • Umfassendes Produktportfolio und sicherere Lieferkette mit automobilqualifizierter Massenfertigung

Anwendungen –

  • Solar (PV) Wechselrichter
  • EV / HEV-Onboard-Ladegeräte
  • Server & Telekommunikationsnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
  • DC-DC-Wandler
  • Netzteile im Schaltmodus (SMPS)
  • Energiespeicherung und Batterieladung
  • Induktionsheizung

Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC Semiconductor sind für Automobilanwendungen vorgesehen (AEC-q101) und PPAP-fähig.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support

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Pfeilelektronik

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalter auf SiC-Basis

DULLES, werden, Dezember 5, 2019 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2019 R&D 100 Auszeichnung für die Entwicklung eines monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalters auf SiC-Basis.

GeneSiC Semiconductor Inc., ein wichtiger Innovator bei den auf Siliziumkarbid basierenden Leistungsgeräten wurde mit der Ankündigung geehrt, dass ihm die prestigeträchtige 2019 R&D 100 Vergeben. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC für die Einführung eines der bedeutendsten, neu eingeführte Forschungs- und Entwicklungsfortschritte zwischen mehreren Disziplinen während 2018. R&Das D Magazine würdigte die Mittelspannungs-SiC-Leistungsbauelementtechnologie von GeneSiC für ihre Fähigkeit, MOSFET und Schottky-Gleichrichter monolithisch auf einem einzigen Chip zu integrieren. Diese Fähigkeiten, die das Gerät von GeneSiC erreicht, ermöglichen es Forschern der Leistungselektronik, leistungselektronische Systeme der nächsten Generation wie Wechselrichter und DC-DC-Wandler zu entwickeln. Dies wird Produktentwicklungen innerhalb von Elektrofahrzeugen ermöglichen, Ladeinfrastruktur, Erneuerbare Energien und Energiespeicherindustrie. GeneSiC hat von mehreren Kunden Aufträge zur Demonstration fortschrittlicher Leistungselektronik-Hardware mit diesen Geräten erhalten und entwickelt seine Familie von Siliziumkarbid-MOSFET-Produkten weiter. Das R&D eine frühe Version für Leistungsumwandlungsanwendungen wurde von der US-Abteilung entwickelt. of Energy und Zusammenarbeit mit Sandia National Laboratories.

Der jährliche Technologiewettbewerb von R&Das D Magazine bewertete die Beiträge verschiedener Unternehmen und Branchenakteure, Forschungsorganisationen und Universitäten auf der ganzen Welt. Als Juroren fungierten die Herausgeber des Magazins und eine Jury aus externen Experten, Bewertung jedes Eintrags hinsichtlich seiner Bedeutung für die Welt der Wissenschaft und Forschung.

Laut R&D-Magazin, ein R gewinnen&D 100 Die Auszeichnung ist ein in der Industrie bekanntes Gütesiegel, Regierung, und Wissenschaft als Beweis dafür, dass das Produkt eine der innovativsten Ideen des Jahres ist. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC als weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung technologiebasierter Produkte, die unsere Arbeits- und Lebensweise verändern.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.

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GeneSiC gewinnt 2,53 Millionen Dollar von ARPA-E für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Thyristor-basierten Geräten

DULLES, werden, September 28, 2010 - Agentur für fortgeschrittene Forschungsprojekte - Energie (ARPA-E) hat mit dem von GeneSiC Semiconductor geleiteten Team eine Kooperationsvereinbarung über die Entwicklung des neuartigen Ultrahochspannungs-Siliziumkarbids geschlossen (SiC) Geräte auf Thyristorbasis. Diese Geräte werden voraussichtlich die wichtigsten Voraussetzungen für die Integration großer Wind- und Solarkraftwerke in das Smart Grid der nächsten Generation sein.

„Mit dieser wettbewerbsintensiven Auszeichnung für GeneSiC können wir unsere technische Führungsposition in der Multi-kV-Siliziumkarbid-Technologie ausbauen, sowie unser Engagement für alternative Energielösungen im Netzmaßstab mit Festkörperlösungen,Kommentierte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. „Von uns entwickelte Multi-kV-SiC-Thyristoren sind die Schlüsseltechnologie für die Realisierung flexibler Wechselstromübertragungssysteme (FAKTEN) Elemente und Hochspannung DC (HGÜ) Architekturen für eine integrierte vorgesehen, effizient, Smart Grid der Zukunft. Die SiC-basierten Thyristoren von GeneSiC bieten eine 10-mal höhere Spannung, 100X schnellere Schaltfrequenzen und Betrieb bei höheren Temperaturen in FACTS- und HGÜ-Leistungsverarbeitungslösungen im Vergleich zu herkömmlichen Thyristoren auf Siliziumbasis. “

Im April 2010, GeneSiC reagierte auf die agile Lieferung elektrischer Energietechnologie (GESCHICKT) Aufforderung von ARPA-E, in Materialien für grundlegende Fortschritte bei Hochspannungsschaltern zu investieren, die das Potenzial haben, die Leistung bestehender Stromrichter zu übertreffen und gleichzeitig Kosten zu senken. Der Vorschlag des Unternehmens mit dem Titel "Siliziumkarbidanodengeschalteter Thyristor für die Umwandlung von Mittelspannungsleistung" wurde ausgewählt, um ein geringes Gewicht zu erzielen, fester Zustand, Mittelspannungs-Energieumwandlung für Hochleistungsanwendungen wie Festkörper-Umspannwerke und Windkraftanlagen. Der Einsatz dieser fortschrittlichen Leistungshalbleitertechnologien könnte bis zu a 25-30 prozentuale Reduzierung des Stromverbrauchs durch höhere Effizienz bei der Lieferung von Strom. Die ausgewählten Innovationen sollten die USA unterstützen und fördern. Unternehmen durch Technologieführerschaft, durch einen hart umkämpften Prozess.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit weit überlegenen Eigenschaften gegenüber herkömmlichem Silizium, B. die Fähigkeit, die zehnfache Spannung - und die hundertfache Stromstärke - bei Temperaturen von bis zu 300 ° C zu verarbeiten. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energie (Wind und Sonne) Installationen, und Stromnetzsteuerungssysteme.

Es ist mittlerweile gut etabliert, dass Ultrahochspannung (>10kV) Siliziumkarbid (SiC) Die Gerätetechnologie wird im Versorgungsnetz der nächsten Generation eine revolutionäre Rolle spielen. SiC-Bauelemente auf Thyristorbasis bieten die höchste Einschaltleistung für >5 kV-Geräte, und sind weit verbreitet für Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsschaltungen wie Fehlerstrombegrenzer, AC-DC-Wandler, Statische VAR-Kompensatoren und Serienkompensatoren. Thyristoren auf SiC-Basis bieten aufgrund ihrer Ähnlichkeit mit herkömmlichen Stromnetzelementen auch die besten Chancen für eine frühzeitige Einführung. Weitere vielversprechende Anwendungen und Vorteile für diese Geräte sind:

  • Energieverwaltungs- und Energiekonditionierungssysteme für die Mittelspannungs-Gleichstromumwandlung, die unter Future Naval Capability gesucht werden (FNC) der US Navy, Elektromagnetische Abschusssysteme, Hochenergie-Waffensysteme und medizinische Bildgebung. Die 10-100-fach höhere Betriebsfrequenz ermöglicht beispiellose Größenverbesserungen, Gewicht, Volumen und letztendlich, Kosten solcher Systeme.
  • Eine Vielzahl von Energiespeichern, Hochtemperatur- und Hochenergiephysikanwendungen. Energiespeicher- und Stromnetzanwendungen erhalten zunehmend Aufmerksamkeit, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration.

“Wir haben uns als führend in der Ultrahochspannungs-SiC-Technologie herausgestellt, indem wir unsere Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign mit einer umfangreichen Fertigungssuite genutzt haben, Charakterisierung, und Testeinrichtungen,Schließt Dr.. Singh. "Die Position von GeneSiC wurde jetzt vom US DOE mit dieser bedeutenden Folgeauszeichnung effektiv bestätigt."

Über GeneSiC Semiconductor

Strategisch in der Nähe von Washington gelegen, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, SuperJunction-Transistoren (SJT) und eine Vielzahl von Thyristor-basierten Geräten. GeneSiC hat oder hatte Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, Heer, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuchewww.genesicsemi.com.