Schild: G3R ™

DULLES, werden, Februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors 1200V G3R ™ SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit RDS(AUF) Niveaus von 20 mΩ bis 350 mΩ liefern beispiellose Leistungsniveaus, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehört eine höhere Effizienz, schnellere Schaltfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduziertes Klingeln (EMI) und kompakte Systemgröße.

GeneSiC gibt die Verfügbarkeit seiner branchenführenden Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation bekannt, die branchenführende Leistung bieten, Robustheit und Qualität, um noch nie dagewesene Effizienz- und Systemzuverlässigkeitsniveaus in Automobil- und Industrieanwendungen zu nutzen.

Diese G3R ™ SiC-MOSFETs, angeboten in optimierten diskreten Paketen mit niedriger Induktivität (SMD und Durchgangsloch), sind hochoptimiert für Stromversorgungssysteme, die einen erhöhten Wirkungsgrad und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Diese Geräte weisen im Vergleich zu Konkurrenzprodukten wesentlich bessere Leistungsniveaus auf. Eine gesicherte Qualität, Unterstützt durch die schnelle Abwicklung der Massenfertigung wird das Wertversprechen weiter verbessert.

„Nach Jahren der Entwicklung wird darauf hingearbeitet, den niedrigsten Einschaltwiderstand und eine verbesserte Kurzschlussleistung zu erzielen, Wir freuen uns, die branchenweit leistungsstärksten 1200-V-SiC-MOSFETs mit über 15+ diskrete und Bare-Chip-Produkte. Wenn die Leistungselektroniksysteme der nächsten Generation die herausfordernde Effizienz erfüllen sollen, Leistungsdichte- und Qualitätsziele in Anwendungen wie der Automobilindustrie, industriell, erneuerbare Energie, Transport, IT und Telekommunikation, Dann erfordern sie eine deutlich verbesserte Geräteleistung und Zuverlässigkeit im Vergleich zu derzeit verfügbaren SiC-MOSFETs” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

• Superior Q._G x R._DS(AUF) Leistungszahl – G3R ™ SiC-MOSFETs weisen den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand bei sehr geringer Gate-Ladung auf, was zu 20% Bessere Leistungszahl als jedes andere ähnliche Konkurrenzgerät
• Geringe Leitungsverluste bei allen Temperaturen – Die MOSFETs von GeneSiC weisen die geringste Temperaturabhängigkeit des Zustandswiderstands auf und bieten bei allen Temperaturen sehr geringe Leitungsverluste; deutlich besser als alle anderen Graben- und planaren SiC-MOSFETs auf dem Markt
• 100 % Lawine getestet – Eine robuste UIL-Fähigkeit ist eine wichtige Voraussetzung für die meisten Feldanwendungen. GeneSiCs 1200V SiC MOSFET diskret sind 100 % Lawine (UIL) während der Produktion getestet
• Niedrige Gate-Ladung und niedriger interner Gate-Widerstand – Diese Parameter sind entscheidend für die Realisierung eines ultraschnellen Schaltens und die Erzielung höchster Wirkungsgrade (niedrige Eon-Eoff) über einen weiten Bereich von Anwendungsschaltfrequenzen
• Normalerweise ausgeschalteter stabiler Betrieb bis 175 ° C. – Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC wurden mit modernsten Verfahren entwickelt und hergestellt, um Produkte zu liefern, die unter allen Betriebsbedingungen stabil und zuverlässig sind, ohne dass das Risiko einer Fehlfunktion besteht. Die überlegene Gateoxidqualität dieser Vorrichtungen verhindert jegliche Schwelle (V._TH) Drift
• Niedrige Gerätekapazitäten – G3R ™ sind so konzipiert, dass sie mit ihren geringen Gerätekapazitäten schneller und effizienter fahren - Ciss, Coss und Crss
• Schnelle und zuverlässige Body-Diode mit geringer Eigenladung – Die MOSFETs von GeneSiC zeichnen sich durch eine niedrige Reverse-Recovery-Gebühr aus (Q._RR) bei allen Temperaturen; 30% besser als jedes ähnlich bewertete Konkurrenzgerät. Dies bietet eine weitere Reduzierung der Leistungsverluste und erhöht die Betriebsfrequenzen
• Benutzerfreundlichkeit – G3R ™ SiC-MOSFETs sind für eine Ansteuerung mit +15 V ausgelegt / -5V-Gate-Antrieb. Dies bietet die größtmögliche Kompatibilität mit vorhandenen kommerziellen IGBT- und SiC-MOSFET-Gate-Treibern

Anwendungen –

• Elektrisches Fahrzeug – Antriebsstrang und Aufladen
• Solar Wechselrichter und Energiespeicher
• Industriemotorantrieb
• Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Bidirektionale DC-DC-Wandler
• Smart Grid und HGÜ
• Induktionserwärmung und Schweißen
• Gepulste Kraftanwendung

Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key-Elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Pfeilelektronik

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC Semiconductor sind für Automobilanwendungen vorgesehen (AEC-q101) und PPAP-fähig. Alle Geräte werden im Industriestandard D2PAK angeboten, TO-247- und SOT-227-Pakete.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.