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GeneSiCs neue SiC-MOSFETs der 3. Generation mit den branchenweit besten Vorzügen

DULLES, werden, Februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors 1200V G3R ™ SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit RDS(AUF) Niveaus von 20 mΩ bis 350 mΩ liefern beispiellose Leistungsniveaus, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehört eine höhere Effizienz, schnellere Schaltfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduziertes Klingeln (EMI) und kompakte Systemgröße.

GeneSiC gibt die Verfügbarkeit seiner branchenführenden Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation bekannt, die branchenführende Leistung bieten, Robustheit und Qualität, um noch nie dagewesene Effizienz- und Systemzuverlässigkeitsniveaus in Automobil- und Industrieanwendungen zu nutzen.

Diese G3R ™ SiC-MOSFETs, angeboten in optimierten diskreten Paketen mit niedriger Induktivität (SMD und Durchgangsloch), sind hochoptimiert für Stromversorgungssysteme, die einen erhöhten Wirkungsgrad und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Diese Geräte weisen im Vergleich zu Konkurrenzprodukten wesentlich bessere Leistungsniveaus auf. Eine gesicherte Qualität, Unterstützt durch die schnelle Abwicklung der Massenfertigung wird das Wertversprechen weiter verbessert.

„Nach Jahren der Entwicklung wird darauf hingearbeitet, den niedrigsten Einschaltwiderstand und eine verbesserte Kurzschlussleistung zu erzielen, Wir freuen uns, die branchenweit leistungsstärksten 1200-V-SiC-MOSFETs mit über 15+ diskrete und Bare-Chip-Produkte. Wenn die Leistungselektroniksysteme der nächsten Generation die herausfordernde Effizienz erfüllen sollen, Leistungsdichte- und Qualitätsziele in Anwendungen wie der Automobilindustrie, industriell, erneuerbare Energie, Transport, IT und Telekommunikation, Dann erfordern sie eine deutlich verbesserte Geräteleistung und Zuverlässigkeit im Vergleich zu derzeit verfügbaren SiC-MOSFETs” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Superior Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl – G3R ™ SiC-MOSFETs weisen den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand bei sehr geringer Gate-Ladung auf, was zu 20% Bessere Leistungszahl als jedes andere ähnliche Konkurrenzgerät
  • Geringe Leitungsverluste bei allen Temperaturen – Die MOSFETs von GeneSiC weisen die geringste Temperaturabhängigkeit des Zustandswiderstands auf und bieten bei allen Temperaturen sehr geringe Leitungsverluste; deutlich besser als alle anderen Graben- und planaren SiC-MOSFETs auf dem Markt
  • 100 % Lawine getestet – Eine robuste UIL-Fähigkeit ist eine wichtige Voraussetzung für die meisten Feldanwendungen. GeneSiCs 1200V SiC MOSFET diskret sind 100 % Lawine (UIL) während der Produktion getestet
  • Niedrige Gate-Ladung und niedriger interner Gate-Widerstand – Diese Parameter sind entscheidend für die Realisierung eines ultraschnellen Schaltens und die Erzielung höchster Wirkungsgrade (niedrige Eon-Eoff) über einen weiten Bereich von Anwendungsschaltfrequenzen
  • Normalerweise ausgeschalteter stabiler Betrieb bis 175 ° C. – Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC wurden mit modernsten Verfahren entwickelt und hergestellt, um Produkte zu liefern, die unter allen Betriebsbedingungen stabil und zuverlässig sind, ohne dass das Risiko einer Fehlfunktion besteht. Die überlegene Gateoxidqualität dieser Vorrichtungen verhindert jegliche Schwelle (V.TH) Drift
  • Niedrige Gerätekapazitäten – G3R ™ sind so konzipiert, dass sie mit ihren geringen Gerätekapazitäten schneller und effizienter fahren - Ciss, Coss und Crss
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode mit geringer Eigenladung – Die MOSFETs von GeneSiC zeichnen sich durch eine niedrige Reverse-Recovery-Gebühr aus (Q.RR) bei allen Temperaturen; 30% besser als jedes ähnlich bewertete Konkurrenzgerät. Dies bietet eine weitere Reduzierung der Leistungsverluste und erhöht die Betriebsfrequenzen
  • Benutzerfreundlichkeit – G3R ™ SiC-MOSFETs sind für eine Ansteuerung mit +15 V ausgelegt / -5V-Gate-Antrieb. Dies bietet die größtmögliche Kompatibilität mit vorhandenen kommerziellen IGBT- und SiC-MOSFET-Gate-Treibern

Anwendungen –

  • Elektrisches Fahrzeug – Antriebsstrang und Aufladen
  • Solar Wechselrichter und Energiespeicher
  • Industriemotorantrieb
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
  • Schaltnetzteil (SMPS)
  • Bidirektionale DC-DC-Wandler
  • Smart Grid und HGÜ
  • Induktionserwärmung und Schweißen
  • Gepulste Kraftanwendung

Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key-Elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Pfeilelektronik

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC Semiconductor sind für Automobilanwendungen vorgesehen (AEC-q101) und PPAP-fähig. Alle Geräte werden im Industriestandard D2PAK angeboten, TO-247- und SOT-227-Pakete.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalter auf SiC-Basis

DULLES, werden, Dezember 5, 2019 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2019 R&D 100 Auszeichnung für die Entwicklung eines monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalters auf SiC-Basis.

GeneSiC Semiconductor Inc., ein wichtiger Innovator bei den auf Siliziumkarbid basierenden Leistungsgeräten wurde mit der Ankündigung geehrt, dass ihm die prestigeträchtige 2019 R&D 100 Vergeben. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC für die Einführung eines der bedeutendsten, neu eingeführte Forschungs- und Entwicklungsfortschritte zwischen mehreren Disziplinen während 2018. R&Das D Magazine würdigte die Mittelspannungs-SiC-Leistungsbauelementtechnologie von GeneSiC für ihre Fähigkeit, MOSFET und Schottky-Gleichrichter monolithisch auf einem einzigen Chip zu integrieren. Diese Fähigkeiten, die das Gerät von GeneSiC erreicht, ermöglichen es Forschern der Leistungselektronik, leistungselektronische Systeme der nächsten Generation wie Wechselrichter und DC-DC-Wandler zu entwickeln. Dies wird Produktentwicklungen innerhalb von Elektrofahrzeugen ermöglichen, Ladeinfrastruktur, Erneuerbare Energien und Energiespeicherindustrie. GeneSiC hat von mehreren Kunden Aufträge zur Demonstration fortschrittlicher Leistungselektronik-Hardware mit diesen Geräten erhalten und entwickelt seine Familie von Siliziumkarbid-MOSFET-Produkten weiter. Das R&D eine frühe Version für Leistungsumwandlungsanwendungen wurde von der US-Abteilung entwickelt. of Energy und Zusammenarbeit mit Sandia National Laboratories.

Der jährliche Technologiewettbewerb von R&Das D Magazine bewertete die Beiträge verschiedener Unternehmen und Branchenakteure, Forschungsorganisationen und Universitäten auf der ganzen Welt. Als Juroren fungierten die Herausgeber des Magazins und eine Jury aus externen Experten, Bewertung jedes Eintrags hinsichtlich seiner Bedeutung für die Welt der Wissenschaft und Forschung.

Laut R&D-Magazin, ein R gewinnen&D 100 Die Auszeichnung ist ein in der Industrie bekanntes Gütesiegel, Regierung, und Wissenschaft als Beweis dafür, dass das Produkt eine der innovativsten Ideen des Jahres ist. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC als weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung technologiebasierter Produkte, die unsere Arbeits- und Lebensweise verändern.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.