Hochspannungsschaltungen und -baugruppen profitieren von SiC-Chips, die beispiellose Nennspannungen und Ultrahochgeschwindigkeitsschaltung bieten
Dulles, Virginia., Nov. 7, 2013 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter geben die sofortige Verfügbarkeit von bekannt 8000 V SiC PiN Gleichrichter; 8000 V SiC Schottky Gleichrichter, 3300 V SiC Schottky Gleichrichter und 6500 V SiC-Thyristoren im Bare-Die-Format. Diese einzigartigen Produkte repräsentieren die SiC-Bauelemente mit der höchsten Spannung auf dem Markt, und richtet sich speziell an Öl- und Gasinstrumente, Spannungsvervielfacherschaltungen und Hochspannungsbaugruppen.
Moderne Ultrahochspannungsschaltungen leiden unter geringen Schaltungswirkungsgraden und großen Abmessungen, da die Rückgewinnungsströme von Siliziumgleichrichtern die parallel geschalteten Kondensatoren entladen. Bei höheren Gleichrichtertemperaturen, Diese Situation verschlechtert sich weiter, da der Rückgewinnungsstrom in Siliziumgleichrichtern mit der Temperatur zunimmt. Mit thermischen Einschränkungen Hochspannungsbaugruppen, Sperrschichttemperaturen steigen ziemlich leicht an, selbst wenn bescheidene Ströme durchgelassen werden. Hochspannungs-SiC-Gleichrichter bieten einzigartige Eigenschaften, die eine Revolutionierung der Hochspannungsbaugruppen versprechen. GeneSiCs 8000 V und 3300 V Schottky-Gleichrichter verfügen über einen Rückstrom von Null, der sich nicht mit der Temperatur ändert. Diese relativ hohe Spannung in einer einzelnen Vorrichtung ermöglicht eine Verringerung der Spannungsvervielfachungsstufen, die in typischen Hochspannungsgeneratorschaltungen erforderlich sind, durch Verwendung höherer AC-Eingangsspannungen. Die nahezu idealen Schalteigenschaften ermöglichen die Beseitigung / drastische Reduzierung von Spannungsausgleichsnetzen und Dämpfungsschaltungen. 8000 V PiN Gleichrichter bieten höhere Stromstärken und höhere Betriebstemperaturen. 6500 V SiC-Thyristor-Chips sind ebenfalls verfügbar, um R zu beschleunigen&D neuer Systeme.
„Diese Produkte zeigen den starken Vorsprung von GeneSiC bei der Entwicklung von SiC-Chips im Multi-kV-Bereich. Wir glauben das 8000 Die V-Bewertung geht über das hinaus, was Siliziumgeräte bei Nenntemperaturen bieten können, und wird unseren Kunden erhebliche Vorteile ermöglichen. GeneSiCs niedriger VF, SiC-Gleichrichter und Thyristoren mit niedriger Kapazität ermöglichen Vorteile auf Systemebene, die zuvor nicht möglich waren” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC Semiconductor.
8000 Technische Highlights des V / 2 A SiC Bare Die PiN Gleichrichters
- T.jmax = 210ÖC
- Leckströme umkehren < 50 uA bei 175ÖC
- Reverse Recovery Charge 558 nC (typisch).
8000 V / 50 mA SiC Bare Die Schottky Gleichrichter Technische Highlights
- Gesamtkapazität 25 pF (typisch, beim -1 V., 25ÖC).
- Positiver Temperaturkoeffizient auf VF
- T.jmax = 175ÖC
6500 V SiC Thyristor Bare Die Technische Highlights
- Drei Angebote - 80 Ampere (GA080TH65-CAU); 60 Ampere (GA060TH65-CAU); und 40 Ampere (GA040TH65-CAU)
- T.jmax = 200ÖC
3300 V / 0,3 A SiC Bare Die Gleichrichter Technische Highlights
- On-State Drop von 1.7 V at 0.3 EIN
- Positiver Temperaturkoeffizient auf VF
- T.jmax = 175ÖC
- Kapazitive Ladung 52 nC (typisch).
Über GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, und globaler Anbieter einer breiten Palette von Leistungshalbleitern. Das Geräteportfolio umfasst Gleichrichter auf SiC-Basis, Transistor, und Thyristorprodukte, sowie Siliziumgleichrichterprodukte. GeneSiC hat umfassendes geistiges Eigentum und technisches Wissen entwickelt, das die neuesten Fortschritte bei SiC-Leistungsgeräten umfasst, mit Produkten für alternative Energie, Automobil, Ölbohrungen, Motorsteuerung, Energieversorgung, Transport, und unterbrechungsfreie Stromversorgungsanwendungen. GeneSiC hat zahlreiche Forschungs- und Entwicklungsaufträge von US-Regierungsbehörden erhalten, einschließlich der ARPA-E, Energiebehörde, Marine, Heer, DARPA, DTRA, und das Department of Homeland Security, sowie große staatliche Hauptauftragnehmer. Im 2011, das Unternehmen gewann die prestigeträchtige R.&D100-Auszeichnung für die Vermarktung von Ultrahochspannungs-SiC-Thyristoren.
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