GeneSiC ist bestrebt, die bestmöglichen kundenorientierten Designs zu liefern, indem SiC-Leistungsgeräte mit einem überlegenen Kosten-Leistungs-Index ausgestattet werden, hohe Robustheit und hohe Qualität.
Anwendungen umfassen:
- Boost-Diode bei der Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
- Schaltnetzteil (SMPS)
- Elektrische Fahrzeuge – Antriebsstrang, DC-DC-Wandler und On-Board-Aufladung
- Extrem schnelle Ladeinfrastruktur
- Solarwechselrichter und Energiespeicher
- Traktion
- Rechenzentrumsnetzteile
- Induktionserwärmung und Schweißen
- Hochspannungs-DC / DC-Wandler
- Freilauf / Antiparallele Diode
- LED- und HID-Beleuchtung
- Medizinische Bildgebungssysteme
- Bohrloch-Ölbohr-Stromrichter
- Hochspannungsmessung
- Gepulste Kraft
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Für Hochspannungserfassungsanwendungen wie DE-SAT-Schutz und Bootstrap-Schaltungen mit High-Side-Switch-Gate-Ansteuerung, Die Pakete DO-214 und TO-252-2 sind ideale Lösungen.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
Das TO-247-3-Paket bietet große Flexibilität für eine höhere Leistungsdichte und Stücklistenreduzierung in Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC) inter, die eine gemeinsame Kathode zwischen zwei Dioden teilen.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Anwendungshinweise:
AN-1 1200 V Schottky-Dioden mit temperaturinvarianten Barrierehöhen und Idealitätsfaktoren
Okt. 2010 AN-1 1200 V Schottky-Dioden mit temperaturinvarianten Barrierehöhen und Idealitätsfaktoren
AN-2 1200 V SiC JBS-Dioden mit extrem niedriger kapazitiver Sperrverzögerungsladung für schnelle Schaltanwendungen
Okt. 2010 AN-2 1200 V SiC JBS-Dioden mit extrem niedriger kapazitiver Sperrverzögerungsladung für schnelle Schaltanwendungen
AN1001 SiC-Leistungsdioden-Zuverlässigkeit
September, 2018AN1001 SiC-Leistungsdioden-Zuverlässigkeit
AN1002 Das Datenblatt einer SiC-Leistungs-Schottky-Diode verstehen
September, 2018AN1002 Das Datenblatt einer SiC-Leistungs-Schottky-Diode verstehen
AN1003 SPICE-Modell Gebrauchsanweisung
Dezember, 2018AN1003 SPICE-Modell Gebrauchsanweisung
Technische Artikel:
Hochleistungs-SiC-PiN-Gleichrichter
Dezember, 2005 Hochleistungs-SiC-PiN-Gleichrichter
Hochleistungs-SiC-PiN-Gleichrichter
Jun, 2007 Hochleistungs-SiC-PiN-Gleichrichter
Schnelle Neutronendetektion mit halbisolierenden Siliziumkarbiddetektoren
Jun, 2008 Schnelle Neutronendetektion mit halbisolierenden Siliziumkarbiddetektoren
Entwicklung von Strahlungsdetektoren auf Basis von halbisolierendem Siliziumkarbid
Okt., 2008 Entwicklung von Strahlungsdetektoren auf Basis von halbisolierendem Siliziumkarbid
Korrelation zwischen Ladungsträgerrekombinationslebensdauer und Durchlassspannungsabfall in 4H-SiC-PiN-Dioden
Sept, 2010 Korrelation zwischen Ladungsträgerrekombinationslebensdauer und Durchlassspannungsabfall in 4H-SiC-PiN-Dioden
