Laden Sie das Produktauswahlhandbuch herunter
Die G3R ™ SiC-MOSFETs von GeneSiC bieten branchenführende Leistung bei der Hochspannungsumschaltung auf Kabelbäume, die noch nie zuvor gesehen wurden, Hochtemperaturbetrieb und Systemzuverlässigkeit.
Eigenschaften:
- G3R ™ Technologie für +15 V Gate Drive
- Superior Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl
- Niedrige Gate-Ladung und Gerätekapazitäten
- Niedrige Leitungsverluste bei hohen Temperaturen
- Überlegene Lawinen- und Kurzschlussfestigkeit
- Normalerweise ausgeschaltet Stabiler Betrieb bis 175 ° C.
- Schnelle und zuverlässige Body Diode
- Optimierte Verpackung mit Kelvin Source Connection
Leistungen:
- Überlegener Kosten-Leistungs-Index
- Erhöhte Leistungsdichte für kompaktes System
- Niedriger interner R.G für den Betrieb mit hoher Schaltfrequenz
- Reduzierte Verluste für höhere Systemeffizienz
- Minimiertes Klingeln des Tors
- Verbesserte Wärmekapazitäten
- Einfach zu fahren
- Einfache Parallelisierung ohne thermisches Durchgehen
Anwendungen:
- Elektrofahrzeuge - Antriebsstrang und Laden
- Solarwechselrichter und Energiespeicher
- Smart Grid und HGÜ
- Motorantriebe
- Hochspannungs-DC / DC- und AC / DC-Wandler
- Induktionserwärmung und Schweißen
- Netzteile im Schaltmodus
- Gepulste Leistungsanwendungen
750V SiC-MOSFET
| Auf Widerstand, RDS(AUF) | Nackter Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 mΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 mΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC-MOSFET
| Auf Widerstand, RDS(AUF) | Nackter Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 mΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 mΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 mΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 mΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 mΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 mΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC-MOSFET
| Auf Widerstand, RDS(AUF) | Nackter Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 mΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 mΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 mΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 mΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC-MOSFET
| Auf Widerstand, RDS(AUF) | Nackter Chip | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 mΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 mΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 mΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC-MOSFET
| Auf Widerstand, RDS(AUF) | Nackter Chip |
|---|---|
|
|
| 300 mΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 mΩ | G2R325MS65-CAL |
