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Suchergebnisse für „MSRT200160:
Thyristors
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GeneSiC stellt Siliziumkarbid-Übergangstransistoren vor
SiC-Schottky-Dioden in SMB (DO-214) Pakete bieten kleinste Stellflächen
Hybrid-SiC-Schottky-Gleichrichter/Si-IGBT-Module von GeneSiC ermöglichen Betrieb bei 175°C
Siliziumkarbid-Schottky-Gleichrichter erweitert auf 3300 Nennspannung
Hohe Temperatur (210 C) SiC-Übergangstransistoren in hermetischen Gehäusen angeboten
All-Siliziumkarbid-Sperrschichttransistoren-Dioden, angeboten in a 4 Führtes Minimodul
Bodos Energiesysteme (Pg 44)
Allzweck-Hochtemperatur-SiC-Transistoren und -Gleichrichter zu geringen Kosten
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