DULLES, werden, November 12, 2008 – Das US-Energieministerium hat GeneSiC Semiconductor zwei separate Zuschüsse in Höhe von insgesamt 1,5 Mio. USD für die Entwicklung von Hochspannungs-Siliziumkarbid gewährt (SiC) Geräte, die als Schlüssel für den Wind dienen- und Integration der Solarenergie in das Stromnetz des Landes.
„Diese Auszeichnungen zeigen das Vertrauen des DOE in die Fähigkeiten von GeneSiC, sowie sein Engagement für alternative Energielösungen,”Bemerkt Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. "Ein integriertes, Ein effizientes Stromnetz ist für die Energiezukunft des Landes von entscheidender Bedeutung - und die von uns entwickelten SiC-Geräte sind entscheidend für die Überwindung der Ineffizienzen herkömmlicher Siliziumtechnologien. “
Die erste Auszeichnung ist ein Phase-II-SBIR-Zuschuss in Höhe von 750.000 USD für die Entwicklung von Fast, Ultrahochspannungs-SiC-Bipolar-Bauelemente. Das zweite ist ein Phase-II-STTR-Zuschuss in Höhe von 750.000 USD für die Entwicklung von optisch gesteuerten Hochleistungs-SiC-Schaltern.
Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit der Fähigkeit, das 10-fache der Spannung und das 100-fache des Stroms von Silizium zu verarbeiten, Damit eignet es sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie erneuerbare Energien (Wind und Sonne) Installationen und Stromnetzsteuerungssysteme.
Speziell, Die beiden Auszeichnungen sind für:
- Entwicklung von Hochfrequenzen, Multi-Kilovolt-SiC-Gate-Abschaltung (GTO) Stromversorgungsgeräte. Regierungs- und kommerzielle Anwendungen umfassen Energieverwaltungs- und Konditionierungssysteme für Schiffe, die Versorgungsindustrie, und medizinische Bildgebung.
- Design und Herstellung von optisch gesteuerten Hochspannungen, Hochleistungs-SiC-Schaltgeräte. Die Verwendung von Glasfasern zum Schalten der Stromversorgung ist eine ideale Lösung für Umgebungen, die von elektromagnetischen Interferenzen betroffen sind (EMI), und Anwendungen, die ultrahohe Spannungen erfordern.
Die von GeneSiC entwickelten SiC-Geräte dienen einer Vielzahl von Energiespeichern, Stromnetz, und militärische Anwendungen, die zunehmend Beachtung finden, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.
Sitz außerhalb von Washington, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, Feldeffekttransistoren (FETs) und bipolare Geräte, sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuche www.genesicsemi.com.
