DULLES, werden, Juni 04, 2021 — Die 750-V-G3R™-SiC-MOSFETs der nächsten Generation von GeneSiC bieten ein beispielloses Leistungsniveau, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehören niedrige Einschaltzustandsabfälle bei Betriebstemperaturen, schnellere Schaltgeschwindigkeiten, erhöhte Leistungsdichte, minimales Klingeln (niedrige EMI) und kompakte Systemgröße. G3R™ von GeneSiC, angeboten in optimierten diskreten Paketen mit niedriger Induktivität (SMD und Durchgangsloch), sind optimiert für den Betrieb mit geringsten Leistungsverlusten unter allen Betriebsbedingungen und ultraschnellen Schaltgeschwindigkeiten. Diese Bauelemente haben im Vergleich zu modernen SiC-MOSFETs ein wesentlich besseres Leistungsniveau.
„Die hocheffiziente Energienutzung ist bei Stromrichtern der nächsten Generation zu einem entscheidenden Faktor geworden, und SiC-Leistungsgeräte sind weiterhin die Schlüsselkomponenten, die diese Revolution vorantreiben. Nach jahrelanger Entwicklungsarbeit zum Erreichen des niedrigsten Durchlasswiderstandes und einer robusten Kurzschluss- und Lawinenleistung, Wir freuen uns, die leistungsstärksten 750-V-SiC-MOSFETs der Branche auf den Markt zu bringen. Unser G3R™ ermöglicht Entwicklern von Leistungselektronik, die anspruchsvolle Effizienz zu erfüllen, Leistungsdichte und Qualitätsziele in Anwendungen wie Solarwechselrichtern, On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Server-/Telekom-Netzteile. Eine gesicherte Qualität, unterstützt durch schnelle Durchlaufzeiten und automobilqualifizierte Großserienfertigung verbessert ihr Wertversprechen weiter. ” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident bei GeneSiC Semiconductor.
Eigenschaften –
- Niedrigste Gate-Gebühr der Branche (Q.G) und interner Gate-Widerstand (RG(INT))
- Niedrigstes RDS(AUF) mit der Temperatur ändern
- Niedrige Ausgangskapazität (CUNS) und Miler-Kapazität (CGD)
- 100% Lawine (UIL) während der Produktion getestet
- Branchenführende Kurzschlussfestigkeit
- Schnelle und zuverlässige Body-Diode mit niedrigem VF. und niedriges QRR
- Hohe und stabile Gate-Schwellenspannung (V.TH) über alle Temperatur- und Drain-Bias-Bedingungen
- Fortschrittliche Verpackungstechnologie für geringeren Wärmewiderstand und geringeres Klingeln
- Fertigungsgleichmäßigkeit von RDS(AUF), V.TH und Durchbruchspannung (BV)
- Umfassendes Produktportfolio und sicherere Lieferkette mit automobilqualifizierter Massenfertigung
Anwendungen –
- Solar (PV) Wechselrichter
- EV / HEV-Onboard-Ladegeräte
- Server & Telekommunikationsnetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- DC-DC-Wandler
- Netzteile im Schaltmodus (SMPS)
- Energiespeicherung und Batterieladung
- Induktionsheizung
Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC Semiconductor sind für Automobilanwendungen vorgesehen (AEC-q101) und PPAP-fähig.
G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&Handel mit SiC-MOSFET
G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&Handel mit SiC-MOSFET
G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&Handel mit SiC-MOSFET
Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ oder kontaktieren sales@genesicsemi.com
Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support
Über GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.
