GeneSiC gewinnt 2,53 Millionen Dollar von ARPA-E für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Thyristor-basierten Geräten
1200 V-Klasse 4H-SiC “Super” Sperrschichttransistoren mit Stromverstärkungen von 88 und ultraschnelle Schaltfähigkeit
Charakterisierung der Stabilität der Stromverstärkung und des Avalanche-Mode-Betriebs von 4H-SiC-BJTs