1200 V SiC-„Super“-Übergangstransistoren, die bei betrieben werden 250 °C mit extrem geringen Energieverlusten für Leistungsumwandlungsanwendungen
Stabilität der elektrischen Eigenschaften von SiC-Super-Junction-Transistoren bei Langzeit-Gleichstrom- und Impulsbetrieb bei verschiedenen Temperaturen
Charakterisierung der Stabilität der Stromverstärkung und des Avalanche-Mode-Betriebs von 4H-SiC-BJTs