Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern
Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern
GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalter auf SiC-Basis