Schnell reifende SiC-Übergangstransistoren mit Stromverstärkung (B) > 130, Sperrspannungen bis 2700 V und stabiler Langzeitbetrieb
Stabilität der elektrischen Eigenschaften von SiC-Super-Junction-Transistoren bei Langzeit-Gleichstrom- und Impulsbetrieb bei verschiedenen Temperaturen
Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern
200 V SiC-„Super“-Übergangstransistoren, die bei betrieben werden 250 °C mit extrem geringen Energieverlusten für Leistungsumwandlungsanwendungen