SiC-Schalter mit niedrigsten Leitungsverlusten und überlegener Kurzschlussfestigkeit, freigegeben für Hochfrequenzstromkreise
Dulles, Virginia., Okt. 28, 2014 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter gibt heute die sofortige Verfügbarkeit einer Familie von 1700V und 1200 V-SiC-Übergangstransistoren in TO-247-Gehäusen. Die Verwendung von Hochspannung, Hochfrequenz, Hochtemperatur- und niedrige Einschaltwiderstandsfähige SiC-Übergangstransistoren erhöhen die Umwandlungseffizienz und reduzieren Größe/Gewicht/Volumen von Leistungselektronikanwendungen, die höhere Busspannungen erfordern. Diese Geräte sind für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen vorgesehen, einschließlich DC-Mikronetzen, Fahrzeug-Schnellladegeräte, Server, Telekommunikations- und Netzwerknetzteile, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Solarwechselrichter, Windkraftanlagen, und industrielle Motorsteuerungssysteme.
SiC-Übergangstransistoren (SJT) die von GeneSiC angeboten werden, weisen eine ultraschnelle Schaltfähigkeit auf (ähnlich wie bei SiC-MOSFETs), ein quadratischer, in Sperrrichtung vorgespannter sicherer Betriebsbereich (RBSOA), sowie temperaturunabhängige transiente Energieverluste und Schaltzeiten. Diese Schalter sind Gate-Oxid-frei, normal-aus, weisen einen positiven Temperaturkoeffizienten des Einschaltwiderstands auf, und können von handelsüblichen Gate-Treibern angesteuert werden, im Gegensatz zu anderen SiC-Schaltern. Einzigartiger Vorteil des SJT im Gegensatz zu anderen SiC-Switches ist seine höhere Langzeitzuverlässigkeit, >10 usec Kurzschlussfähigkeit, und überlegene Lawinenfähigkeit
“Diese verbesserten SJTs bieten viel höhere Stromverstärkungen (>100), sehr stabile und robuste Leistung im Vergleich zu anderen SiC-Switches. Die SJTs von GeneSiC bieten extrem niedrige Leitungsverluste bei Nennströmen als überlegene Abschaltverluste in Stromkreisen. Nutzung der einzigartigen Geräte- und Fertigungsinnovationen, Die Transistorprodukte von GeneSiC helfen Designern, eine robustere Lösung zu erzielen,” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC Semiconductor.
1700 V SiC-Übergangstransistor veröffentlicht
- 25 mOhm (GA50JT17-247), 65 mOhm (GA16JT17-247), 220 mOhm (GA04JT17-247)
- Aktueller Gewinn (hFE) >90
- T.jmax = 175ÖC
- An / Ausschalten; Aufstiegs-/Fallzeiten <30 Nanosekunden typisch.
1200 V SiC-Übergangstransistor veröffentlicht
- 25 mOhm (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhm (GA05JT12-247)
- Aktueller Gewinn (hFE) >90
- T.jmax = 175ÖC
- An / Ausschalten; Aufstiegs-/Fallzeiten <30 Nanosekunden typisch.
Alle Geräte sind 100% Auf volle Spannungs- / Stromstärke getestet und in Halogen-frei untergebracht, RoHS-konforme TO-247-Pakete. Die Geräte sind ab sofort bei den autorisierten GeneSiC-Händlern erhältlich.
Für mehr Informationen, besuchen Sie bitte https://192.168.88.14/kommerzielle-sic/sic-junction-transistoren/
