Hohe Temperatur (>210ÖC) Sperrschichttransistoren und Gleichrichter aus Metall mit kleinem Formfaktor bieten revolutionäre Leistungsvorteile für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Verstärkung, Geräuscharme Schaltkreise und Steuerungen für Bohrlochaktuatoren
DULLES, werden, Marsch 9, 2015 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit einer Kompaktlinie an, Hochtemperatur-SiC-Sperrschichttransistoren sowie eine Reihe von Gleichrichtern in TO-46-Metalldosengehäusen. Diese diskreten Komponenten sind für den Betrieb bei Umgebungstemperaturen von mehr als ausgelegt und hergestellt 215ÖC. Die Verwendung von hohen Temperaturen, Hochspannungs- und widerstandsfähige SiC-Transistoren und Gleichrichter reduzieren die Größe / das Gewicht / das Volumen von Elektronikanwendungen, die eine höhere Belastbarkeit bei erhöhten Temperaturen erfordern. Diese Geräte sind für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen vorgesehen, einschließlich einer Vielzahl von Bohrlochschaltungen, geothermische Instrumentierung, Magnetbetätigung, Allzweckverstärkung, und Schaltnetzteile.
Hochtemperatur-SiC-Übergangstransistoren (SJT) Das von GeneSiC angebotene Angebot ermöglicht Anstiegs- / Abfallzeiten von unter 10 ns >10 MHz-Umschaltung sowie ein quadratischer, in Sperrrichtung vorgespannter sicherer Betriebsbereich (RBSOA). Die transienten Energieverluste und Schaltzeiten sind unabhängig von der Sperrschichttemperatur. Diese Schalter sind Gate-Oxid-frei, normal-aus, weisen einen positiven Temperaturkoeffizienten des Einschaltwiderstands auf, und sind in der Lage, von angetrieben zu werden 0/+5 V TTL-Gate-Treiber, im Gegensatz zu anderen SiC-Schaltern. Einzigartiger Vorteil des SJT im Gegensatz zu anderen SiC-Switches ist seine höhere Langzeitzuverlässigkeit, >20 usec Kurzschlussfähigkeit, und überlegene Lawinenfähigkeit. Diese Bauelemente können als effiziente Verstärker verwendet werden, da sie eine viel höhere Linearität versprechen als jeder andere SiC-Schalter.
Von GeneSiC angebotene Hochtemperatur-SiC-Schottky-Gleichrichter weisen geringe Spannungsabfälle im eingeschalteten Zustand auf, und die niedrigsten Leckströme der Industrie bei erhöhten Temperaturen. Mit temperaturunabhängiger, Schalteigenschaften der Rückwärtswiederherstellung nahe Null, SiC-Schottky-Gleichrichter sind ideale Kandidaten für den Einsatz bei hohem Wirkungsgrad, Hochtemperaturkreise. Die Metalldosenverpackungen TO-46 sowie die damit verbundenen Verpackungsprozesse, mit denen diese Produkte hergestellt werden, ermöglichen eine langfristige Verwendung, bei der eine hohe Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung ist.
“Die Transistor- und Gleichrichterprodukte von GeneSiC wurden von Grund auf für den Betrieb bei hohen Temperaturen entwickelt und hergestellt. Diese kompakten TO-46-SJTs bieten hohe Stromverstärkungen (>110), 0/+5 V TTL-Steuerung, und robuste Leistung. Diese Geräte bieten geringe Leitungsverluste und eine hohe Linearität. Wir entwickeln unsere Gleichrichterlinie „SHT“, niedrige Leckströme bei hohen Temperaturen anzubieten. Diese in Metalldosen verpackten Produkte ergänzen unsere im letzten Jahr veröffentlichten TO-257- und Metall-SMD-Produkte und bieten einen kleinen Formfaktor, vibrationsfeste Lösungen” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC Semiconductor.
Zu den heute veröffentlichten Produkten gehören:
240 mOhm SiC-Sperrschichttransistoren:
- 300 V Sperrspannung. Artikelnummer GA05JT03-46
- 100 V Sperrspannung. Artikelnummer GA05JT01-46
- Aktueller Gewinn (hFE) >110
- T.jmax = 210ÖC
- An / Ausschalten; Aufstiegs-/Fallzeiten <10 Nanosekunden typisch.
Bis zu 4 Ampere-Hochtemperatur-Schottky-Dioden:
- 600 V Sperrspannung. Artikelnummer GB02SHT06-46
- 300 V Sperrspannung. Artikelnummer GB02SHT03-46
- 100 V Sperrspannung. Artikelnummer GB02SHT01-46
- Gesamte kapazitive Ladung 9 nC
- T.jmax = 210ÖC.
Alle Geräte sind 100% getestet auf volle Spannungs- / Stromstärke und in Metalldosen-TO-46-Gehäusen untergebracht. Die Geräte sind ab sofort bei den autorisierten GeneSiC-Händlern erhältlich.
Über GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, und globaler Anbieter einer breiten Palette von Leistungshalbleitern. Das Geräteportfolio umfasst Gleichrichter auf SiC-Basis, Transistor, und Thyristorprodukte, sowie Siliziumdiodenmodule. GeneSiC hat umfassendes geistiges Eigentum und technisches Wissen entwickelt, das die neuesten Fortschritte bei SiC-Leistungsgeräten umfasst, mit Produkten für alternative Energie, Automobil, Bohrlochölbohrung, Motorsteuerung, Energieversorgung, Transport, und unterbrechungsfreie Stromversorgungsanwendungen. Im 2011, das Unternehmen gewann die prestigeträchtige R.&D100-Auszeichnung für die Vermarktung von Ultrahochspannungs-SiC-Thyristoren.
Für mehr Informationen, bitte besuche https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; und https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
