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G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit

750V G3R SiC-MOSFET

DULLES, werden, Juni 04, 2021 — Die 750-V-G3R™-SiC-MOSFETs der nächsten Generation von GeneSiC bieten ein beispielloses Leistungsniveau, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehören niedrige Einschaltzustandsabfälle bei Betriebstemperaturen, schnellere Schaltgeschwindigkeiten, erhöhte Leistungsdichte, minimales Klingeln (niedrige EMI) und kompakte Systemgröße. G3R™ von GeneSiC, angeboten in optimierten diskreten Paketen mit niedriger Induktivität (SMD und Durchgangsloch), sind optimiert für den Betrieb mit geringsten Leistungsverlusten unter allen Betriebsbedingungen und ultraschnellen Schaltgeschwindigkeiten. Diese Bauelemente haben im Vergleich zu modernen SiC-MOSFETs ein wesentlich besseres Leistungsniveau.

750V G3R SiC-MOSFET

„Die hocheffiziente Energienutzung ist bei Stromrichtern der nächsten Generation zu einem entscheidenden Faktor geworden, und SiC-Leistungsgeräte sind weiterhin die Schlüsselkomponenten, die diese Revolution vorantreiben. Nach jahrelanger Entwicklungsarbeit zum Erreichen des niedrigsten Durchlasswiderstandes und einer robusten Kurzschluss- und Lawinenleistung, Wir freuen uns, die leistungsstärksten 750-V-SiC-MOSFETs der Branche auf den Markt zu bringen. Unser G3R™ ermöglicht Entwicklern von Leistungselektronik, die anspruchsvolle Effizienz zu erfüllen, Leistungsdichte und Qualitätsziele in Anwendungen wie Solarwechselrichtern, On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Server-/Telekom-Netzteile. Eine gesicherte Qualität, unterstützt durch schnelle Durchlaufzeiten und automobilqualifizierte Großserienfertigung verbessert ihr Wertversprechen weiter. ” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Niedrigste Gate-Gebühr der Branche (Q.G) und interner Gate-Widerstand (RG(INT))
  • Niedrigstes RDS(AUF) mit der Temperatur ändern
  • Niedrige Ausgangskapazität (CUNS) und Miler-Kapazität (CGD)
  • 100% Lawine (UIL) während der Produktion getestet
  • Branchenführende Kurzschlussfestigkeit
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode mit niedrigem VF. und niedriges QRR
  • Hohe und stabile Gate-Schwellenspannung (V.TH) über alle Temperatur- und Drain-Bias-Bedingungen
  • Fortschrittliche Verpackungstechnologie für geringeren Wärmewiderstand und geringeres Klingeln
  • Fertigungsgleichmäßigkeit von RDS(AUF), V.TH und Durchbruchspannung (BV)
  • Umfassendes Produktportfolio und sicherere Lieferkette mit automobilqualifizierter Massenfertigung

Anwendungen –

  • Solar (PV) Wechselrichter
  • EV / HEV-Onboard-Ladegeräte
  • Server & Telekommunikationsnetzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
  • DC-DC-Wandler
  • Netzteile im Schaltmodus (SMPS)
  • Energiespeicherung und Batterieladung
  • Induktionsheizung

Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC Semiconductor sind für Automobilanwendungen vorgesehen (AEC-q101) und PPAP-fähig.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&Handel mit SiC-MOSFET

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Alle Geräte können über autorisierte Händler erworben werden – www.genesicsemi.com/sales-support

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Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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5650-V-SiC-Schottky-MPS ™ -Dioden der Generation für erstklassige Effizienz

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLES, werden, Kann 28, 2021 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiterbauelemente, gibt die Verfügbarkeit der 5. Generation bekannt (GE***-Serie) SiC Schottky MPS™ Gleichrichter, die mit ihrem überragenden Preis-Leistungs-Verhältnis neue Maßstäbe setzen, branchenführende Stoßstrom- und Lawinenrobustheit, und hochwertige Verarbeitung.

„GeneSiC war einer der ersten SiC-Hersteller, der SiC-Schottky-Gleichrichter in 2011. Nach mehr als einem Jahrzehnt Lieferung von leistungsstarken und hochwertigen SiC-Gleichrichtern in der Industrie, Wir freuen uns, unsere 5. Generation von SiC Schottky MPS™ veröffentlichen zu können (Merged-PiN-Schottky) Dioden, die in allen Aspekten branchenführende Leistung bieten, um die Ziele einer hohen Effizienz und Leistungsdichte in Anwendungen wie Server-/Telekommunikationsnetzteilen und Batterieladegeräten zu erreichen. Das revolutionäre Feature, das unsere 5. Generation ausmacht (GE***-Serie) SiC Schottky MPS™ Dioden heben sich von ihren Mitbewerbern durch die niedrige eingebaute Spannung (auch als Kniespannung bekannt);es ermöglicht niedrigste Diodenleitungsverluste bei allen Lastbedingungen – entscheidend für Anwendungen, die einen hocheffizienten Energieverbrauch erfordern. Im Gegensatz zu anderen Wettbewerbern sind SiC-Dioden auch auf Low-Knee-Eigenschaften ausgelegt, Ein zusätzliches Merkmal unserer Gen5-Diodendesigns ist, dass sie immer noch dieses hohe Lawinenniveau beibehalten (UIL) Robustheit, die unsere Kunden von GeneSiCs Gen3 . erwarten (GC***-Serie) und Gen4 (GD***-Serie) SiC Schottky MPS ™” sagte Dr.. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Niedrige eingebaute Spannung – Niedrigste Leitungsverluste für alle Lastbedingungen
  • Überlegene Verdienstzahl – QC x VF
  • Optimale Preisleistung
  • Verbesserte Stoßstromfähigkeit
  • 100% Lawine (UIL) Geprüft
  • Niedriger Wärmewiderstand für kühleren Betrieb
  • Null Vorwärts- und Rückwärtswiederherstellung
  • Temperaturunabhängiges schnelles Schalten
  • Positiver Temperaturkoeffizient von VF

Anwendungen –

  • Boost-Diode bei der Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Server- und Telekommunikationsnetzteile
  • Solar Wechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
  • Batterieladegeräte
  • Freilauf / Antiparallele Diode in Wechselrichtern

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

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Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiCs neue SiC-MOSFETs der 3. Generation mit den branchenweit besten Vorzügen

DULLES, werden, Februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors 1200V G3R ™ SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit RDS(AUF) Niveaus von 20 mΩ bis 350 mΩ liefern beispiellose Leistungsniveaus, Robustheit und Qualität, die ihre Gegenstücke übertrifft. Zu den Systemvorteilen gehört eine höhere Effizienz, schnellere Schaltfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduziertes Klingeln (EMI) und kompakte Systemgröße.

GeneSiC gibt die Verfügbarkeit seiner branchenführenden Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation bekannt, die branchenführende Leistung bieten, Robustheit und Qualität, um noch nie dagewesene Effizienz- und Systemzuverlässigkeitsniveaus in Automobil- und Industrieanwendungen zu nutzen.

Diese G3R ™ SiC-MOSFETs, angeboten in optimierten diskreten Paketen mit niedriger Induktivität (SMD und Durchgangsloch), sind hochoptimiert für Stromversorgungssysteme, die einen erhöhten Wirkungsgrad und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Diese Geräte weisen im Vergleich zu Konkurrenzprodukten wesentlich bessere Leistungsniveaus auf. Eine gesicherte Qualität, Unterstützt durch die schnelle Abwicklung der Massenfertigung wird das Wertversprechen weiter verbessert.

„Nach Jahren der Entwicklung wird darauf hingearbeitet, den niedrigsten Einschaltwiderstand und eine verbesserte Kurzschlussleistung zu erzielen, Wir freuen uns, die branchenweit leistungsstärksten 1200-V-SiC-MOSFETs mit über 15+ diskrete und Bare-Chip-Produkte. Wenn die Leistungselektroniksysteme der nächsten Generation die herausfordernde Effizienz erfüllen sollen, Leistungsdichte- und Qualitätsziele in Anwendungen wie der Automobilindustrie, industriell, erneuerbare Energie, Transport, IT und Telekommunikation, Dann erfordern sie eine deutlich verbesserte Geräteleistung und Zuverlässigkeit im Vergleich zu derzeit verfügbaren SiC-MOSFETs” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Superior Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl – G3R ™ SiC-MOSFETs weisen den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand bei sehr geringer Gate-Ladung auf, was zu 20% Bessere Leistungszahl als jedes andere ähnliche Konkurrenzgerät
  • Geringe Leitungsverluste bei allen Temperaturen – Die MOSFETs von GeneSiC weisen die geringste Temperaturabhängigkeit des Zustandswiderstands auf und bieten bei allen Temperaturen sehr geringe Leitungsverluste; deutlich besser als alle anderen Graben- und planaren SiC-MOSFETs auf dem Markt
  • 100 % Lawine getestet – Eine robuste UIL-Fähigkeit ist eine wichtige Voraussetzung für die meisten Feldanwendungen. GeneSiCs 1200V SiC MOSFET diskret sind 100 % Lawine (UIL) während der Produktion getestet
  • Niedrige Gate-Ladung und niedriger interner Gate-Widerstand – Diese Parameter sind entscheidend für die Realisierung eines ultraschnellen Schaltens und die Erzielung höchster Wirkungsgrade (niedrige Eon-Eoff) über einen weiten Bereich von Anwendungsschaltfrequenzen
  • Normalerweise ausgeschalteter stabiler Betrieb bis 175 ° C. – Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC wurden mit modernsten Verfahren entwickelt und hergestellt, um Produkte zu liefern, die unter allen Betriebsbedingungen stabil und zuverlässig sind, ohne dass das Risiko einer Fehlfunktion besteht. Die überlegene Gateoxidqualität dieser Vorrichtungen verhindert jegliche Schwelle (V.TH) Drift
  • Niedrige Gerätekapazitäten – G3R ™ sind so konzipiert, dass sie mit ihren geringen Gerätekapazitäten schneller und effizienter fahren - Ciss, Coss und Crss
  • Schnelle und zuverlässige Body-Diode mit geringer Eigenladung – Die MOSFETs von GeneSiC zeichnen sich durch eine niedrige Reverse-Recovery-Gebühr aus (Q.RR) bei allen Temperaturen; 30% besser als jedes ähnlich bewertete Konkurrenzgerät. Dies bietet eine weitere Reduzierung der Leistungsverluste und erhöht die Betriebsfrequenzen
  • Benutzerfreundlichkeit – G3R ™ SiC-MOSFETs sind für eine Ansteuerung mit +15 V ausgelegt / -5V-Gate-Antrieb. Dies bietet die größtmögliche Kompatibilität mit vorhandenen kommerziellen IGBT- und SiC-MOSFET-Gate-Treibern

Anwendungen –

  • Elektrisches Fahrzeug – Antriebsstrang und Aufladen
  • Solar Wechselrichter und Energiespeicher
  • Industriemotorantrieb
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
  • Schaltnetzteil (SMPS)
  • Bidirektionale DC-DC-Wandler
  • Smart Grid und HGÜ
  • Induktionserwärmung und Schweißen
  • Gepulste Kraftanwendung

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Newark Farnell element14

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Pfeilelektronik

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Alle SiC-MOSFETs von GeneSiC Semiconductor sind für Automobilanwendungen vorgesehen (AEC-q101) und PPAP-fähig. Alle Geräte werden im Industriestandard D2PAK angeboten, TO-247- und SOT-227-Pakete.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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Die SiS-MOSFETs mit 3300 V und 1700 V und 1000 mΩ von GeneSiC revolutionieren die Miniaturisierung von Hilfsstromversorgungen

DULLES, werden, Dezember 4, 2020 — GeneSiC kündigt die Verfügbarkeit branchenführender diskreter 3300V- und 1700V-SiC-MOSFETs an, die für eine beispiellose Miniaturisierung optimiert sind, Zuverlässigkeit und Energieeinsparungen bei der industriellen Haushaltsleistung.

GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant eines umfassenden Portfolios von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter, kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit von SiC-MOSFETs der nächsten Generation mit 3300 V und 1700 V und 1000 mΩ an - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, und G2R1000MT33J. Diese SiC-MOSFETs ermöglichen überlegene Leistungsniveaus, basierend auf Flaggschiff Figures of Merit (FoM) die Stromversorgungssysteme im gesamten Energiespeicher verbessern und vereinfachen, erneuerbare Energie, Industriemotoren, Allzweckwechselrichter und Industriebeleuchtung. Produkte freigegeben sind:

G2R1000MT33J - 3300 V 1000 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET

G2R1000MT17D - 1700 V 1000 mΩ TO-247-3 SiC-MOSFET

G2R1000MT17J - 1700 V 1000 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET

G3R450MT17D - 1700 V 450 mΩ TO-247-3 SiC-MOSFET

G3R450MT17J - 1700 V 450 mΩ TO-263-7 SiC-MOSFET

Die neuen 3300V- und 1700V-SiC-MOSFETs von GeneSiC, Erhältlich in den Optionen 1000 mΩ und 450 mΩ als diskrete SMD- und Through-Hole-Pakete, sind hochoptimiert für Stromversorgungssysteme, die einen erhöhten Wirkungsgrad und ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Diese Geräte weisen im Vergleich zu Konkurrenzprodukten wesentlich bessere Leistungsniveaus auf. Eine gesicherte Qualität, Unterstützt durch eine schnelle Abwicklung der Massenfertigung wird das Wertversprechen weiter verbessert.

„In Anwendungen wie 1500-V-Solarwechselrichtern, Der MOSFET in der Hilfsstromversorgung muss möglicherweise Spannungen im Bereich von 2500 V standhalten, abhängig von der Eingangsspannung, Windungsverhältnis des Transformators und der Ausgangsspannung. MOSFETs mit hoher Durchbruchspannung machen in Flyback die Notwendigkeit von in Reihe geschalteten Schaltern überflüssig, Boost- und Forward-Wandler reduzieren dadurch die Anzahl der Teile und die Schaltungskomplexität. Mit den diskreten SiC-MOSFETs 3300V und 1700V von GeneSiC können die Entwickler eine einfachere Topologie auf Einzelschalterbasis verwenden und gleichzeitig den Kunden zuverlässige Lösungen bieten, kompaktes und kostengünstiges System” sagte Sumit Jadav, Senior Applications Manager bei GeneSiC Semiconductor.

Eigenschaften –

  • Überlegener Preis-Leistungs-Index
  • Flaggschiff Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl
  • Niedrige Eigenkapazität und niedrige Gate-Ladung
  • Geringe Verluste bei allen Temperaturen
  • Hohe Lawinen- und Kurzschlussfestigkeit
  • Benchmark-Schwellenspannung für einen normalerweise ausgeschalteten stabilen Betrieb bis 175 ° C.

Anwendungen –

  • Erneuerbare Energie (Solarwechselrichter) und Energiespeicher
  • Industriemotoren (und Bindung)
  • Allzweckwechselrichter
  • Industriebeleuchtung
  • Piezo-Treiber
  • Ionenstrahlgeneratoren

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Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiCs branchenführende 6,5-kV-SiC-MOSFETs – die Avantgarde für eine neue Welle von Anwendungen

6.5kV-SiC-MOSFETs

DULLES, werden, Oktober 20, 2020 — GeneSiC bringt 6,5-kV-Siliziumkarbid-MOSFETs auf den Markt, um eine Vorreiterrolle bei der Bereitstellung beispielloser Leistung zu spielen, Effizienz und Zuverlässigkeit bei Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen wie Traktion, gepulste Energie- und Smart-Grid-Infrastruktur.

GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter, gibt heute die sofortige Verfügbarkeit von 6,5-kV-SiC-MOSFET-Bare-Chips bekannt - G2R300MT65-CAL und G2R325MS65-CAL. Vollständige SiC-Module, die diese Technologie nutzen, werden in Kürze veröffentlicht. Anwendungen werden voraussichtlich Traktion beinhalten, gepulste Leistung, Smart-Grid-Infrastruktur und andere Mittelspannungs-Stromrichter.

G2R300MT65-CAL - 6,5 kV 300 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET-Bare-Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5 kV 325 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET (mit Integrated-Schottky) Nackter Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5 kV 100 mΩ G2R ™ SiC-MOSFET-Bare-Chip

Die Innovation von GeneSiC umfasst einen doppelt implantierten SiC-Metalloxidhalbleiter (DMOSFET) Gerätestruktur mit einer Sperrschicht schottky (JBS) Gleichrichter in die SiC-DMOSFET-Einheitszelle integriert. Dieses hochmoderne Leistungsgerät kann in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungsschaltungen in der nächsten Generation von Leistungsumwandlungssystemen verwendet werden. Weitere wichtige Vorteile sind eine effizientere bidirektionale Leistung, temperaturunabhängiges Schalten, geringe Schalt- und Leitungsverluste, reduzierter Kühlbedarf, Überlegene Langzeitzuverlässigkeit, Einfache Parallelisierung von Geräten und Kostenvorteile. Die Technologie von GeneSiC bietet überlegene Leistung und hat auch das Potenzial, den Netto-SiC-Material-Footprint in Stromrichtern zu reduzieren.

“Die 6,5-kV-SiC-MOSFETs von GeneSiC wurden auf 6-Zoll-Wafern entwickelt und hergestellt, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen, höchste Qualität, und überlegener Preis-Leistungs-Index. Diese MOSFET-Technologie der nächsten Generation verspricht vorbildliche Leistung, Überlegene Robustheit und Langzeitzuverlässigkeit bei Mittelspannungs-Stromumwandlungsanwendungen.” sagte DR. Siddarth Sundaresan, VP of Technology bei GeneSiC Semiconductor.

Die 6,5-kV-G2R ™ SiC-MOSFET-Technologie von GeneSiC bietet Funktionen –

  • Hohe Lawine (UIS) und Kurzschluss-Robustheit
  • Superior Q.G x R.DS(AUF) Leistungszahl
  • Temperaturunabhängige Schaltverluste
  • Niedrige Kapazitäten und niedrige Gate-Ladung
  • Geringe Verluste bei allen Temperaturen
  • Normalerweise ausgeschalteter stabiler Betrieb bis 175 ° C.
  • +20 V. / -5 V-Gate-Antrieb

Für Datenblatt und andere Ressourcen, Besuch – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip oder kontaktieren sales@genesicsemi.com

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher, und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Power-Device-Technologien; ein Markt, der voraussichtlich mehr als erreichen wird $1 Milliarden von 2022. Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.

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GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalter auf SiC-Basis

DULLES, werden, Dezember 5, 2019 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2019 R&D 100 Auszeichnung für die Entwicklung eines monolithischen Transistor-Gleichrichter-Schalters auf SiC-Basis.

GeneSiC Semiconductor Inc., ein wichtiger Innovator bei den auf Siliziumkarbid basierenden Leistungsgeräten wurde mit der Ankündigung geehrt, dass ihm die prestigeträchtige 2019 R&D 100 Vergeben. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC für die Einführung eines der bedeutendsten, neu eingeführte Forschungs- und Entwicklungsfortschritte zwischen mehreren Disziplinen während 2018. R&Das D Magazine würdigte die Mittelspannungs-SiC-Leistungsbauelementtechnologie von GeneSiC für ihre Fähigkeit, MOSFET und Schottky-Gleichrichter monolithisch auf einem einzigen Chip zu integrieren. Diese Fähigkeiten, die das Gerät von GeneSiC erreicht, ermöglichen es Forschern der Leistungselektronik, leistungselektronische Systeme der nächsten Generation wie Wechselrichter und DC-DC-Wandler zu entwickeln. Dies wird Produktentwicklungen innerhalb von Elektrofahrzeugen ermöglichen, Ladeinfrastruktur, Erneuerbare Energien und Energiespeicherindustrie. GeneSiC hat von mehreren Kunden Aufträge zur Demonstration fortschrittlicher Leistungselektronik-Hardware mit diesen Geräten erhalten und entwickelt seine Familie von Siliziumkarbid-MOSFET-Produkten weiter. Das R&D eine frühe Version für Leistungsumwandlungsanwendungen wurde von der US-Abteilung entwickelt. of Energy und Zusammenarbeit mit Sandia National Laboratories.

Der jährliche Technologiewettbewerb von R&Das D Magazine bewertete die Beiträge verschiedener Unternehmen und Branchenakteure, Forschungsorganisationen und Universitäten auf der ganzen Welt. Als Juroren fungierten die Herausgeber des Magazins und eine Jury aus externen Experten, Bewertung jedes Eintrags hinsichtlich seiner Bedeutung für die Welt der Wissenschaft und Forschung.

Laut R&D-Magazin, ein R gewinnen&D 100 Die Auszeichnung ist ein in der Industrie bekanntes Gütesiegel, Regierung, und Wissenschaft als Beweis dafür, dass das Produkt eine der innovativsten Ideen des Jahres ist. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC als weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung technologiebasierter Produkte, die unsere Arbeits- und Lebensweise verändern.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.

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Hochstromfähige 650V, 1200SiC Schottky MPS ™ -Dioden mit V und 1700 V im Mini-Modul SOT-227

DULLES, werden, Kann 11, 2019 — GeneSiC wird Marktführer bei Hochstrom-fähigen Geräten (100 A und 200 EIN) SiC-Schottky-Dioden im SOT-227-Minimodul

GeneSiC hat GB2X50MPS17-227 eingeführt, GC2X50MPS06-227 und GC2X100MPS06-227; die branchenweit höchsten Strom-Nenn-650C- und 1700V-SiC-Schottky-Dioden, Erweiterung des bestehenden Portfolios an 1200-V-SiC-Schottky-Dioden-Minimodulen - GB2X50MPS12-227 und GB2X100MPS12-227. Diese SiC-Dioden ersetzen ultraschnelle Wiederherstellungsdioden auf Siliziumbasis, So können Ingenieure Schaltkreise mit höherer Effizienz und höherer Leistungsdichte bauen. Zu den Anwendungen gehören Schnellladegeräte für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe, Transportstromversorgungen, Hochleistungsgleichrichtung und industrielle Stromversorgungen.

Neben der isolierten Grundplatte des SOT-227 Mini-Modul-Pakets, Diese neu freigegebenen Dioden weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf, Null Vorwärtswiederherstellung, Null-Rückwärtswiederherstellung, niedrige Sperrschichtkapazität und für eine maximale Betriebstemperatur von 175 ° C ausgelegt. Die SiC-Schottky-Diodentechnologie der dritten Generation von GeneSiC bietet branchenführende Lawinen-Robustheit und Stoßstrom (Ifsm) Robustheit, kombiniert mit hochwertiger, für die Automobilindustrie qualifizierter 6-Zoll-Fertigung und fortschrittlicher diskreter Montagetechnologie mit hoher Zuverlässigkeit.

Diese SiC-Dioden sind pin-kompatibler direkter Ersatz für andere im SOT-227 verfügbare Dioden (Mini-Modul) Paket. Profitieren Sie von ihren geringeren Leistungsverlusten (Kühlerbetrieb) und Hochfrequenzschaltfähigkeit, Designer können jetzt eine höhere Umwandlungseffizienz und eine höhere Leistungsdichte bei Entwürfen erzielen.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.

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GeneSiC veröffentlicht das branchenweit leistungsstärkste 1700-V-SiC-Schottky-MPS™ Dioden

DULLES, werden, Januar 7, 2019 — GeneSiC veröffentlicht ein umfassendes Portfolio seiner 1700 V SiC Schottky MPS ™ -Dioden der dritten Generation im TO-247-2-Gehäuse

GeneSiC hat GB05MPS17-247 eingeführt, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 und GB50MPS17-247; Die branchenweit leistungsstärksten 1700-V-SiC-Dioden, die im beliebten TO-247-2-Durchgangsbohrungspaket erhältlich sind. Diese 1700-V-SiC-Dioden ersetzen ultraschnelle Wiederherstellungsdioden auf Siliziumbasis und andere 1700-V-SiC-JBS der alten Generation, So können Ingenieure Schaltkreise mit höherer Effizienz und höherer Leistungsdichte bauen. Zu den Anwendungen gehören Schnellladegeräte für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe, Transportstromversorgungen und erneuerbare Energien.

GB50MPS17-247 ist eine 1700 V 50 A SiC-Merged-PiN-Schottky-Diode, die branchenweit höchste diskrete SiC-Leistungsdiode mit Nennstrom. Diese neu freigegebenen Dioden weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf, Null Vorwärtswiederherstellung, Null-Rückwärtswiederherstellung, niedrige Sperrschichtkapazität und für eine maximale Betriebstemperatur von 175 ° C ausgelegt. Die SiC-Schottky-Diodentechnologie der dritten Generation von GeneSiC bietet branchenführende Lawinen-Robustheit und Stoßstrom (Ifsm) Robustheit, kombiniert mit hochwertiger, für die Automobilindustrie qualifizierter 6-Zoll-Gießerei und fortschrittlicher diskreter Montagetechnologie mit hoher Zuverlässigkeit.

Diese SiC-Dioden sind pin-kompatibler direkter Ersatz für andere Dioden, die im TO-247-2-Gehäuse enthalten sind. Profitieren Sie von ihren geringeren Leistungsverlusten (Kühlerbetrieb) und Hochfrequenzschaltfähigkeit, Designer können jetzt eine höhere Umwandlungseffizienz und eine höhere Leistungsdichte bei Entwürfen erzielen.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.