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Hybrid-SiC-Schottky-Gleichrichter/Si-IGBT-Module von GeneSiC ermöglichen Betrieb bei 175°C

DULLES, werden, Marsch 5, 2013 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit seiner Hybrid-Minimodule der zweiten Generation an 1200 SiC-Schottky-Gleichrichter mit V / 100 Ampere und robusten Silizium-IGBTs - der GB100XCP12-227. Der Leistungspreis, zu dem dieses Produkt auf den Markt kommt, ermöglicht es vielen Stromumwandlungsanwendungen, von der Reduzierung der Kosten / Größe / Gewicht / Volumen zu profitieren, die weder eine Silicon IGBT / Silicon Rectifier-Lösung bietet, noch kann ein reines SiC-Modul bieten. Diese Geräte sind für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen vorgesehen, einschließlich Industriemotoren, Solarwechselrichter, Spezialausrüstung und Stromnetzanwendungen.

SiC Schottky / Si IGBT-Minimodule (Co-Packs) Die von GeneSiC angebotenen Produkte werden mit Si-IGBTs hergestellt, die einen positiven Temperaturkoeffizienten für den Abfall im eingeschalteten Zustand aufweisen, robustes Punchthrough-Design, Hochtemperaturbetrieb und schnelle Schalteigenschaften, die von kommerziellen betrieben werden können, allgemein verfügbar 15 V IGBT Gate-Treiber. Die in diesen Co-Pack-Modulen verwendeten SiC-Gleichrichter ermöglichen Pakete mit extrem niedriger Induktivität, Geringer Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und keine Rückwärtswiederherstellung. Das SOT-227-Paket bietet eine isolierte Grundplatte, 12mm Low-Profile-Design, das sehr flexibel als eigenständiges Schaltungselement verwendet werden kann, Hochstrom-Parallelkonfiguration, ein Phasenbein (zwei Module), oder als Zerhackerschaltungselement.

“Wir haben unseren Hauptkunden seit dem ersten Angebot dieses Produkts fast zugehört 2 vor Jahren. Diese zweite Generation 1200 V / 100 Ein Co-Pack-Produkt hat eine niedrige Induktivität, die für hohe Frequenzen geeignet ist, Hochtemperaturanwendungen. Die schlechten Hochtemperatur- und Rückgewinnungseigenschaften von Siliziumdioden schränken die Verwendung von IGBTs bei höheren Temperaturen kritisch ein. GeneSiCs niedriger VF, SiC-Schottky-Dioden mit niedriger Kapazität ermöglichen dieses bahnbrechende Produkt” sagte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC Semiconductor.

1200 Technische Highlights des V / 100 A Si IGBT / SiC Gleichrichters

  • On-State Drop von 1.9 V at 100 EIN
  • Positiver Temperaturkoeffizient auf VF
  • Tjmax = 175°C
  • Energieverluste beim Einschalten 23 MikroJoule (typisch).

Alle Geräte sind 100% Auf volle Spannungs- / Stromstärke getestet und in Halogen-frei untergebracht, RoHS-konforme SOT-227-Pakete nach Industriestandard. Die Geräte sind ab sofort bei den autorisierten GeneSiC-Händlern erhältlich.

Über GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, und globaler Anbieter einer breiten Palette von Leistungshalbleitern. Das Geräteportfolio umfasst Gleichrichter auf SiC-Basis, Transistor, und Thyristorprodukte, sowie Siliziumgleichrichterprodukte. GeneSiC hat umfassendes geistiges Eigentum und technisches Wissen entwickelt, das die neuesten Fortschritte bei SiC-Leistungsgeräten umfasst, mit Produkten für alternative Energie, Automobil, Ölbohrungen, Motorsteuerung, Energieversorgung, Transport, und unterbrechungsfreie Stromversorgungsanwendungen. GeneSiC hat zahlreiche Forschungs- und Entwicklungsaufträge von US-Regierungsbehörden erhalten, einschließlich der ARPA-E, Energiebehörde, Marine, Heer, DARPA, DTRA, und das Department of Homeland Security, sowie große staatliche Hauptauftragnehmer. Im 2011, das Unternehmen gewann die prestigeträchtige R.&D100-Auszeichnung für die Vermarktung von Ultrahochspannungs-SiC-Thyristoren.

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GeneSiC stellt Siliziumkarbid-Übergangstransistoren vor

DULLES, werden, Februar 25, 2013 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter gibt heute die sofortige Verfügbarkeit einer Familie von 1700V und 1200 V SiC-Übergangstransistoren. Integrieren von Hochspannung, Hochfrequenz- und hochtemperaturfähige SiC-Übergangstransistoren erhöhen die Umwandlungseffizienz und reduzieren Größe/Gewicht/Volumen der Leistungselektronik. Diese Geräte sind für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen vorgesehen, einschließlich Server, Telekommunikations- und Netzwerknetzteile, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Solarwechselrichter, industrielle Motorsteuerungssysteme, und Bohrlochanwendungen.

Die von GeneSiC angebotenen Sperrschichttransistoren weisen eine ultraschnelle Schaltfähigkeit auf, ein quadratischer, in Sperrrichtung vorgespannter sicherer Betriebsbereich (RBSOA), sowie temperaturunabhängige transiente Energieverluste und Schaltzeiten. Diese Schalter sind Gate-Oxid-frei, normal-aus, weisen einen positiven Temperaturkoeffizienten des Einschaltwiderstands auf, und sind in der Lage, von kommerziellen, allgemein verfügbar 15 V IGBT Gate-Treiber, im Gegensatz zu anderen SiC-Schaltern. Bei gleichzeitiger Kompatibilität mit SiC-JFET-Treibern, Sperrschichttransistoren können aufgrund ihrer passenden Transienteneigenschaften leicht parallel geschaltet werden.

“Während die Entwickler von Stromversorgungssystemen die Grenzen der Betriebsfrequenz weiter verschieben, und fordern dennoch hohe Schaltungswirkungsgrade, die Notwendigkeit von SiC-Schaltern, die einen Standard an Leistung und Produktionseinheitlichkeit bieten können. Nutzung der einzigartigen Geräte- und Fertigungsinnovationen, Die Transistorprodukte von GeneSiC helfen Designern, all dies in einer robusteren Lösung zu erreichen,” sagte Dr.. Ranbir Singh , Präsident von GeneSiC Semiconductor.

1700 Technische Highlights des V-Übergangstransistors

  • Drei Angebote - 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); und 500 mOhm (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Anstiegs-/Abfallzeiten ein-/ausschalten <50 Nanosekunden typisch.

1200 Technische Highlights des V-Übergangstransistors

  • Zwei Angebote – 220 mOhm (GA06JT12-247); und 460 mOhm (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Anstiegs-/Abfallzeiten ein-/ausschalten <50 Nanosekunden typisch

Alle Geräte sind 100% Auf volle Spannungs- / Stromstärke getestet und in Halogen-frei untergebracht, RoHS-konforme TO-247-Pakete. Die Geräte sind ab sofort bei den autorisierten GeneSiC-Händlern erhältlich.

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Neue Physik lässt Thyristor ein höheres Niveau erreichen

DULLES, werden, August 30, 2011 - Neue Physik lässt Thyristoren ein höheres Niveau erreichen

Ein Stromnetz liefert zuverlässige Energie mit Hilfe elektronischer Geräte, die für einen reibungslosen Betrieb sorgen, zuverlässiger Kraftfluss. Bis jetzt, Auf Baugruppen auf Siliziumbasis wurde vertraut, Sie waren jedoch nicht in der Lage, die Anforderungen des Smart Grids zu erfüllen. Materialien mit großer Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC) bieten eine bessere Alternative, da sie höhere Schaltgeschwindigkeiten ermöglichen, eine höhere Durchbruchspannung, geringere Schaltverluste, und eine höhere Sperrschichttemperatur als herkömmliche Schalter auf Siliziumbasis. Das erste derartige Gerät auf SiC-Basis, das auf den Markt kommt, ist der Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid-Thyristor (SiC-Thyristor), entwickelt von GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., mit Unterstützung der Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., die USA. Abteilung für Energie- / Stromlieferung, und die USA. Armee- / Rüstungsforschung, Entwicklungs- und Entwicklungszentrum, Picatinny Arsenal, NJ.

Die Entwickler haben für dieses Gerät eine andere Betriebsphysik übernommen, das auf Minderheitentransporttransporten und einem integrierten Gleichrichter mit dritter Klemme arbeitet, Das ist eine mehr als andere kommerzielle SiC-Bauelemente. Die Entwickler haben eine neue Herstellungstechnik eingeführt, die die oben genannten Bewertungen unterstützt 6,500 V., sowie ein neues Gate-Anode-Design für Hochstromgeräte. Leistungsfähig bei Temperaturen bis zu 300 C und Strom bei 80 EIN, Der SiC-Thyristor bietet bis zu 10 mal höhere Spannung, viermal höhere Sperrspannungen, und 100 mal schnellere Schaltfrequenz als Thyristoren auf Siliziumbasis.

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GeneSiC gewinnt den renommierten R&D100 Award für SiC-Geräte in netzgekoppelten Solar- und Windenergieanwendungen

DULLES, werden, Juli 14, 2011 — R&D Magazine hat GeneSiC Semiconductor Inc. von Dulles, VA als Empfänger des renommierten 2011 R&D 100 Auszeichnung für die Vermarktung von Siliziumkarbidgeräten mit hohen Spannungswerten.

GeneSiC Semiconductor Inc., Ein wichtiger Innovator bei den auf Siliziumkarbid basierenden Stromversorgungsgeräten wurde letzte Woche mit der Ankündigung geehrt, dass er mit dem prestigeträchtigen Preis ausgezeichnet wurde 2011 R&D 100 Vergeben. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC für die Einführung eines der bedeutendsten, neu eingeführte Forschungs- und Entwicklungsfortschritte zwischen mehreren Disziplinen während 2010. R&Das D Magazine würdigte den Ultrahochspannungs-SiC-Thyristor von GeneSiC für seine Fähigkeit, Sperrspannungen und -frequenzen zu erreichen, die noch nie zuvor für Demonstrationen der Leistungselektronik verwendet wurden. Die Nennspannungen von >6.5kV, Einschaltstromstärke von 80 A und Betriebsfrequenzen von >5 kHz sind viel höher als die zuvor auf dem Markt eingeführten. Diese von den Thyristoren von GeneSiC erreichten Fähigkeiten ermöglichen es Forschern der Leistungselektronik, netzgebundene Wechselrichter zu entwickeln, Flexibel

AC-Übertragungssysteme (FAKTEN) und Hochspannungs-Gleichstromsysteme (HGÜ). Dies ermöglicht neue Erfindungen und Produktentwicklungen im Bereich der erneuerbaren Energien, Solarwechselrichter, Windkraftwechselrichter, und Energiespeicherindustrie. DR. Ranbir Singh, Der Präsident von GeneSiC Semiconductor kommentierte: „Es wird erwartet, dass sich große Märkte für Festkörper-Umspannwerke und Windturbinengeneratoren öffnen werden, nachdem Forscher auf dem Gebiet der Stromumwandlung die Vorteile von SiC-Thyristoren voll ausschöpfen werden. Diese SiC-Thyristoren der ersten Generation verwenden den niedrigsten nachgewiesenen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und die niedrigsten Einschaltwiderstände, die jemals bei SiC-Thyristoren erzielt wurden. Wir beabsichtigen, zukünftige Generationen von SiC-Thyristoren herauszubringen, die für die Gate-gesteuerte Ausschaltfähigkeit und die Impulsleistungsfähigkeit optimiert sind >10kV-Nennwerte. Während wir weiterhin Hochtemperatur-Ultrahochspannungs-Verpackungslösungen entwickeln, Die vorliegenden 6,5-kV-Thyristoren sind in Modulen mit vollständig gelöteten Kontakten verpackt, begrenzt auf Sperrschichttemperaturen von 150 ° C. “ Seit dieser Produkteinführung im Oktober 2010, GeneSiC hat Aufträge von mehreren Kunden zur Demonstration fortschrittlicher Leistungselektronik-Hardware mit diesen Siliziumkarbid-Thyristoren gebucht. GeneSiC entwickelt seine Familie von Siliziumkarbid-Thyristor-Produkten weiter. Das R&Die frühe Version für Stromumwandlungsanwendungen wurde durch SBIR-Finanzierungsunterstützung durch die US-Abteilung entwickelt. der Energie. Weiter fortgeschritten, Pulsleistungsoptimierte SiC-Thyristoren werden im Rahmen eines weiteren SBIR-Vertrags mit ARDEC entwickelt, US-Armee. Nutzung dieser technischen Entwicklungen, interne Investition von GeneSiC und kommerzielle Bestellungen von mehreren Kunden, GeneSiC konnte diese UHV-Thyristoren als kommerzielle Produkte anbieten.

Der 49. jährliche Technologiewettbewerb von R.&Das D Magazine bewertete die Beiträge verschiedener Unternehmen und Branchenakteure, Forschungsorganisationen und Universitäten auf der ganzen Welt. Als Juroren fungierten die Herausgeber des Magazins und eine Jury aus externen Experten, Bewertung jedes Eintrags hinsichtlich seiner Bedeutung für die Welt der Wissenschaft und Forschung.

Laut R&D-Magazin, ein R gewinnen&D 100 Die Auszeichnung ist ein in der Industrie bekanntes Gütesiegel, Regierung, und Wissenschaft als Beweis dafür, dass das Produkt eine der innovativsten Ideen des Jahres ist. Diese Auszeichnung würdigt GeneSiC als weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung technologiebasierter Produkte, die unsere Arbeits- und Lebensweise verändern.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor ausgewählt, um Technologie bei zu präsentieren 2011 ARPA-E Energy Innovation Summit

DULLES, werden, Februar 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor freut sich, seine Auswahl für das prestigeträchtige Technology Showcase auf dem ARPA-E Energy Innovation Summit bekannt zu geben, Co-Hosting der Agentur für fortgeschrittene Forschungsprojekte des Energieministeriums - Energie (ARPA-E) und die Organisation für saubere Technologie und nachhaltige Industrie (ctsi). Hunderte von Top-Technologen und hochmodernen Clean-Tech-Organisationen haben sich um die Teilnahme am Showcase beworben, ein Flur der vielversprechendsten Aussichten Amerikas, die Zukunft im Energiebereich zu gewinnen.

Als eine der ausgewählten Organisationen von ARPA-E, GeneSiC Semiconductor wird sein Siliziumkarbid nahezu ausstellen 2,000 nationale Staats- und Regierungschefs versammeln sich, um die langfristige amerikanische Wettbewerbsfähigkeit im Energiesektor zu fördern, einschließlich Spitzenforscher, Investoren, Unternehmer, Führungskräfte und Regierungsbeamte. Mehr als 200 bahnbrechende Technologien von ARPA-E-Preisträgern, Unternehmen, National Labs und Department of Energy R.&D-Programme werden auf der Veranstaltung vorgestellt.

„Dieser Gipfel bringt Organisationen zusammen, die die Notwendigkeit einer Zusammenarbeit und einer Partnerschaft verstehen, um die nächste Generation von Energietechnologien auf den Markt zu bringen,”Sagte GeneSiC Semiconductor, Präsident, DR. Ranbir Singh. "Es ist eine seltene und aufregende Gelegenheit, so viele wichtige Akteure in der Energiegemeinschaft unter einem Dach zu haben, und wir freuen uns darauf, unsere Siliziumkarbid-Stromversorgungsgeräte auf dem Technology Showcase mit anderen Innovatoren und Investoren zu teilen."

Forschungs- und Geschäftsentwicklungsteams von 14 Corporate Acceleration Partner, die sich für die Kommerzialisierung von Technologien einsetzen, werden ebenfalls anwesend sein, einschließlich Dow, Bosch, Angewandte Materialien und Lockheed Martin.

Der Summit bietet auch hochkarätige Redner, darunter die USA. Energieminister Steven Chu, ARPA-E-Direktor Arun Majumdar, UNS. Navy Sekretär Raymond Mabus, Der frühere Gouverneur von Kalifornien, Arnold Schwarzenegger, und der Vorsitzende der Bank of America, Charles Holliday.

Der zweite jährliche ARPA-E Energy Innovation Summit findet im Februar statt 28 – Marsch 2, 2011 im Gaylord Convention Center vor den Toren Washingtons, D.C.. Um mehr zu erfahren oder sich zu registrieren, besuchen Sie bitte: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Über GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Halbleiterbauelemente mit großer Bandlücke für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, Netzschalter und bipolare Geräte. GeneSiC verwendet eine einzigartige und umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte für eine Vielzahl von Märkten mit hohem Volumen aus. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, Heer, NASA, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung.

Über ARPA-E

Die Agentur für fortgeschrittene Forschungsprojekte - Energie (ARPA-E) ist eine neue Agentur in den USA. Energieministerium - und das erste, das sich ausschließlich auf bahnbrechende Energietechnologien konzentriert, die die Art und Weise, wie wir Energie nutzen, radikal verändern könnten. Anstatt direkt zu forschen, ARPA-E investiert in risikoreiche, Hochtechnologische Energietechnologien, die von Universitäten entwickelt werden, Startups, kleine Geschäfte, und Unternehmen. Unsere Mitarbeiter vereinen branchenführende Wissenschaftler, Ingenieure, und Investmentmanager, um vielversprechende Lösungen für die kritischsten Energieprobleme des Landes zu finden und Spitzentechnologien auf den Markt zu bringen - was entscheidend ist, um die globale Technologieführerschaft des Landes zu sichern und neue amerikanische Industrien und Arbeitsplätze zu schaffen. Besuch www.arpa-e.energy.govfür mehr Informationen.

Über CTSI

Die saubere Technologie & Organisation für nachhaltige Industrien (ctsi), ein gemeinnütziger Branchenverband 501c6, vertritt die sich entwickelnden Organisationen, Kommerzialisierung, und Energie umsetzen, Wasser, und Umwelttechnologien. Saubere Technologien bieten dringend benötigte Lösungen für wachsende Bedenken hinsichtlich Ressourcensicherheit und Nachhaltigkeit und sind für die Aufrechterhaltung der wirtschaftlichen Wettbewerbsfähigkeit von entscheidender Bedeutung. CTSI bringt weltweit führende Persönlichkeiten für Interessenvertretung zusammen, Gemeindeentwicklung, Vernetzung, und Informationsaustausch, um diese benötigten Technologien schneller auf den Markt zu bringen. Besuch www.ct-si.org für mehr Informationen.

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GeneSiC gewinnt ein Power-Management-Projekt der NASA zur Unterstützung zukünftiger Venus-Explorationsmissionen

DULLES, werden, Dezember 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., ein Schlüsselinnovator des neuartigen Siliziumkarbids (SiC) Geräte für hohe Temperaturen, hohe Energie, und Ultrahochspannungsanwendungen, gibt die Auswahl seines Projekts mit dem Titel „Integrierte SiC-Super-Junction-Transistor-Dioden-Geräte für Hochleistungs-Motorsteuerungsmodule bekannt, die bei arbeiten 500 oC ”von der US National Aeronautics and Space Administration (NASA) für eine Phase-I-SBIR-Auszeichnung. Dieses SBIR-Projekt konzentriert sich auf die Entwicklung eines monolithischen integrierten SiC-JBS-Dioden-Super-Junction-Transistors (MIDSJT) Geräte für den Betrieb unter venusähnlichen Umgebungen (500 ° C Oberflächentemperaturen). Die in diesem Programm entwickelten SiC MIDSJT-Geräte werden verwendet, um Motorsteuerungsleistungsmodule für die direkte Integration mit Venus-Explorationsrovern zu konstruieren.

“Wir freuen uns über das Vertrauen der NASA in unsere Hochtemperatur-SiC-Gerätelösungen. Dieses Projekt wird es GeneSiC ermöglichen, branchenführende SiC-basierte Energieverwaltungstechnologien durch seine innovativen Geräte- und Verpackungslösungen zu entwickeln” sagte Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiCs Technologiedirektor. “Mit den in diesem Programm vorgesehenen SiC MIDSJT-Geräten kann die Leistung auf Kilowatt-Ebene bei Temperaturen von bis zu 10 ° C digital verarbeitet werden 500 °C. Neben Weltraumanwendungen, Diese neuartige Technologie hat das Potenzial, kritische Bohrgeräte für die Luft- und Raumfahrt sowie für geothermische Ölbohrungen zu revolutionieren, die Umgebungstemperaturen von über 10 ° C erfordern 200 °C. Diese Anwendungsbereiche sind derzeit durch die schlechte Hochtemperaturleistung moderner Silizium- und sogar SiC-basierter Gerätetechnologien wie JFETs und MOSFETs begrenzt” er fügte hinzu.

GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuch www.genesicsemi.com.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung.

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Multi-kHz, Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid-Thyristoren, die von US-Forschern getestet wurden

DULLES, werden, November 1, 2010 –In einem ersten seiner Art Angebot, GeneSiC Semiconductor gibt die Verfügbarkeit einer Familie von 6,5-kV-SCR-Siliziumkarbid-Thyristoren für den Einsatz in der Leistungselektronik für Smart-Grid-Anwendungen bekannt. Von den revolutionären Leistungsvorteilen dieser Leistungsgeräte wird erwartet, dass sie wichtige Innovationen bei der Leistungselektronik-Hardware im Versorgungsmaßstab vorantreiben, um die Zugänglichkeit und Nutzung verteilter Energieressourcen zu verbessern (DER). "Bis jetzt, Multi-kV-Siliziumkarbid (SiC) Stromversorgungsgeräte standen US-Forschern nicht offen zur Verfügung, um die bekannten Vorteile von SiC-basierten Stromversorgungsgeräten - nämlich 2-10 kHz Betriebsfrequenzen bei 5-15 kV Nennleistung - voll auszuschöpfen. “ kommentierte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. „GeneSiC hat kürzlich die Lieferung vieler 6,5 kV / 40 A abgeschlossen, 6.5kV / 60A- und 6,5-kV / 80A-Thyristoren an mehrere Kunden, die Forschung im Bereich erneuerbare Energien betreiben, Anwendungen für Armee- und Marine-Energiesysteme. SiC-Geräte mit diesen Bewertungen werden jetzt in größerem Umfang angeboten. “

Thyristoren auf Siliziumkarbidbasis bieten eine 10-fach höhere Spannung, 100X schnellere Schaltfrequenzen und Betrieb bei höheren Temperaturen im Vergleich zu herkömmlichen Thyristoren auf Siliziumbasis. Zu den Forschungsmöglichkeiten für gezielte Anwendungen für diese Geräte gehört die allgemeine Mittelspannungs-Leistungsumwandlung (MVDC), Netzgebundene Solarwechselrichter, Windkraftwechselrichter, gepulste Leistung, Waffensysteme, Zündsteuerung, und Triggersteuerung. Es ist mittlerweile gut etabliert, dass Ultrahochspannung (>10kV) Siliziumkarbid (SiC) Die Gerätetechnologie wird im Versorgungsnetz der nächsten Generation eine revolutionäre Rolle spielen. SiC-Bauelemente auf Thyristorbasis bieten die höchste Einschaltleistung für >5 kV-Geräte, und sind weit verbreitet für Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsschaltungen wie Fehlerstrombegrenzer, AC-DC-Wandler, Statische VAR-Kompensatoren und Serienkompensatoren. Thyristoren auf SiC-Basis bieten aufgrund ihrer Ähnlichkeit mit herkömmlichen Stromnetzelementen auch die besten Chancen für eine frühzeitige Einführung. Der Einsatz dieser fortschrittlichen Leistungshalbleitertechnologien könnte bis zu a 25-30 prozentuale Reduzierung des Stromverbrauchs durch höhere Effizienz bei der Lieferung von Strom.

DR. Singh fährt fort: „Es wird erwartet, dass sich große Märkte für Festkörper-Umspannwerke und Windturbinengeneratoren öffnen werden, nachdem Forscher auf dem Gebiet der Stromumwandlung die Vorteile von SiC-Thyristoren voll ausschöpfen werden. Diese SiC-Thyristoren der ersten Generation verwenden den niedrigsten nachgewiesenen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und die niedrigsten Einschaltwiderstände, die jemals bei SiC-Thyristoren erzielt wurden. Wir beabsichtigen, zukünftige Generationen von SiC-Thyristoren herauszubringen, die für die Gate-gesteuerte Ausschaltfähigkeit und optimiert sind >10kV-Nennwerte. Während wir weiterhin Hochtemperatur-Ultrahochspannungs-Verpackungslösungen entwickeln, Die vorliegenden 6,5-kV-Thyristoren sind in Modulen mit vollständig gelöteten Kontakten verpackt, begrenzt auf Sperrschichttemperaturen von 150 ° C. “ GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration.

In der Nähe von Washington gelegen, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, SuperJunction-Transistoren (SJT) und eine Vielzahl von Thyristor-basierten Geräten. GeneSiC hat oder hatte Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, Heer, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuche www.genesicsemi.com.

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GeneSiC gewinnt 2,53 Millionen Dollar von ARPA-E für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Thyristor-basierten Geräten

DULLES, werden, September 28, 2010 - Agentur für fortgeschrittene Forschungsprojekte - Energie (ARPA-E) hat mit dem von GeneSiC Semiconductor geleiteten Team eine Kooperationsvereinbarung über die Entwicklung des neuartigen Ultrahochspannungs-Siliziumkarbids geschlossen (SiC) Geräte auf Thyristorbasis. Diese Geräte werden voraussichtlich die wichtigsten Voraussetzungen für die Integration großer Wind- und Solarkraftwerke in das Smart Grid der nächsten Generation sein.

„Mit dieser wettbewerbsintensiven Auszeichnung für GeneSiC können wir unsere technische Führungsposition in der Multi-kV-Siliziumkarbid-Technologie ausbauen, sowie unser Engagement für alternative Energielösungen im Netzmaßstab mit Festkörperlösungen,Kommentierte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. „Von uns entwickelte Multi-kV-SiC-Thyristoren sind die Schlüsseltechnologie für die Realisierung flexibler Wechselstromübertragungssysteme (FAKTEN) Elemente und Hochspannung DC (HGÜ) Architekturen für eine integrierte vorgesehen, effizient, Smart Grid der Zukunft. Die SiC-basierten Thyristoren von GeneSiC bieten eine 10-mal höhere Spannung, 100X schnellere Schaltfrequenzen und Betrieb bei höheren Temperaturen in FACTS- und HGÜ-Leistungsverarbeitungslösungen im Vergleich zu herkömmlichen Thyristoren auf Siliziumbasis. “

Im April 2010, GeneSiC reagierte auf die agile Lieferung elektrischer Energietechnologie (GESCHICKT) Aufforderung von ARPA-E, in Materialien für grundlegende Fortschritte bei Hochspannungsschaltern zu investieren, die das Potenzial haben, die Leistung bestehender Stromrichter zu übertreffen und gleichzeitig Kosten zu senken. Der Vorschlag des Unternehmens mit dem Titel "Siliziumkarbidanodengeschalteter Thyristor für die Umwandlung von Mittelspannungsleistung" wurde ausgewählt, um ein geringes Gewicht zu erzielen, fester Zustand, Mittelspannungs-Energieumwandlung für Hochleistungsanwendungen wie Festkörper-Umspannwerke und Windkraftanlagen. Der Einsatz dieser fortschrittlichen Leistungshalbleitertechnologien könnte bis zu a 25-30 prozentuale Reduzierung des Stromverbrauchs durch höhere Effizienz bei der Lieferung von Strom. Die ausgewählten Innovationen sollten die USA unterstützen und fördern. Unternehmen durch Technologieführerschaft, durch einen hart umkämpften Prozess.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit weit überlegenen Eigenschaften gegenüber herkömmlichem Silizium, B. die Fähigkeit, die zehnfache Spannung - und die hundertfache Stromstärke - bei Temperaturen von bis zu 300 ° C zu verarbeiten. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energie (Wind und Sonne) Installationen, und Stromnetzsteuerungssysteme.

Es ist mittlerweile gut etabliert, dass Ultrahochspannung (>10kV) Siliziumkarbid (SiC) Die Gerätetechnologie wird im Versorgungsnetz der nächsten Generation eine revolutionäre Rolle spielen. SiC-Bauelemente auf Thyristorbasis bieten die höchste Einschaltleistung für >5 kV-Geräte, und sind weit verbreitet für Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsschaltungen wie Fehlerstrombegrenzer, AC-DC-Wandler, Statische VAR-Kompensatoren und Serienkompensatoren. Thyristoren auf SiC-Basis bieten aufgrund ihrer Ähnlichkeit mit herkömmlichen Stromnetzelementen auch die besten Chancen für eine frühzeitige Einführung. Weitere vielversprechende Anwendungen und Vorteile für diese Geräte sind:

  • Energieverwaltungs- und Energiekonditionierungssysteme für die Mittelspannungs-Gleichstromumwandlung, die unter Future Naval Capability gesucht werden (FNC) der US Navy, Elektromagnetische Abschusssysteme, Hochenergie-Waffensysteme und medizinische Bildgebung. Die 10-100-fach höhere Betriebsfrequenz ermöglicht beispiellose Größenverbesserungen, Gewicht, Volumen und letztendlich, Kosten solcher Systeme.
  • Eine Vielzahl von Energiespeichern, Hochtemperatur- und Hochenergiephysikanwendungen. Energiespeicher- und Stromnetzanwendungen erhalten zunehmend Aufmerksamkeit, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration.

“Wir haben uns als führend in der Ultrahochspannungs-SiC-Technologie herausgestellt, indem wir unsere Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign mit einer umfangreichen Fertigungssuite genutzt haben, Charakterisierung, und Testeinrichtungen,Schließt Dr.. Singh. "Die Position von GeneSiC wurde jetzt vom US DOE mit dieser bedeutenden Folgeauszeichnung effektiv bestätigt."

Über GeneSiC Semiconductor

Strategisch in der Nähe von Washington gelegen, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, SuperJunction-Transistoren (SJT) und eine Vielzahl von Thyristor-basierten Geräten. GeneSiC hat oder hatte Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, Heer, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuchewww.genesicsemi.com.

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Schubnetze für erneuerbare Energien GeneSiC Semiconductor 1,5 Mio. USD vom US-Energieministerium

DULLES, werden, November 12, 2008 – Das US-Energieministerium hat GeneSiC Semiconductor zwei separate Zuschüsse in Höhe von insgesamt 1,5 Mio. USD für die Entwicklung von Hochspannungs-Siliziumkarbid gewährt (SiC) Geräte, die als Schlüssel für den Wind dienen- und Integration der Solarenergie in das Stromnetz des Landes.

„Diese Auszeichnungen zeigen das Vertrauen des DOE in die Fähigkeiten von GeneSiC, sowie sein Engagement für alternative Energielösungen,”Bemerkt Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. "Ein integriertes, Ein effizientes Stromnetz ist für die Energiezukunft des Landes von entscheidender Bedeutung - und die von uns entwickelten SiC-Geräte sind entscheidend für die Überwindung der Ineffizienzen herkömmlicher Siliziumtechnologien. “

Die erste Auszeichnung ist ein Phase-II-SBIR-Zuschuss in Höhe von 750.000 USD für die Entwicklung von Fast, Ultrahochspannungs-SiC-Bipolar-Bauelemente. Das zweite ist ein Phase-II-STTR-Zuschuss in Höhe von 750.000 USD für die Entwicklung von optisch gesteuerten Hochleistungs-SiC-Schaltern.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit der Fähigkeit, das 10-fache der Spannung und das 100-fache des Stroms von Silizium zu verarbeiten, Damit eignet es sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie erneuerbare Energien (Wind und Sonne) Installationen und Stromnetzsteuerungssysteme.

Speziell, Die beiden Auszeichnungen sind für:

  • Entwicklung von Hochfrequenzen, Multi-Kilovolt-SiC-Gate-Abschaltung (GTO) Stromversorgungsgeräte. Regierungs- und kommerzielle Anwendungen umfassen Energieverwaltungs- und Konditionierungssysteme für Schiffe, die Versorgungsindustrie, und medizinische Bildgebung.
  • Design und Herstellung von optisch gesteuerten Hochspannungen, Hochleistungs-SiC-Schaltgeräte. Die Verwendung von Glasfasern zum Schalten der Stromversorgung ist eine ideale Lösung für Umgebungen, die von elektromagnetischen Interferenzen betroffen sind (EMI), und Anwendungen, die ultrahohe Spannungen erfordern.

Die von GeneSiC entwickelten SiC-Geräte dienen einer Vielzahl von Energiespeichern, Stromnetz, und militärische Anwendungen, die zunehmend Beachtung finden, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

Sitz außerhalb von Washington, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, Feldeffekttransistoren (FETs) und bipolare Geräte, sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuche www.genesicsemi.com.